公开(公告)号：US07285806B2

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：US09813304

申请日：2001-03-21

申请人： Katsunori Nishi ,  Kaoru Inoue ,  Toshinobu Matsuno ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

发明人： Katsunori Nishi ,  Kaoru Inoue ,  Toshinobu Matsuno ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66863 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： The semiconductor device of this invention includes an active region formed from a group III nitride semiconductor grown on a substrate and an insulating oxide film formed in a peripheral portion of the active region by oxidizing the group III nitride semiconductor. On the active region, a gate electrode in Schottky contact with the active region extending onto the insulating oxide film and having an extended portion on the insulating oxide film is formed, and ohmic electrodes respectively serving as a source electrode and a drain electrode are formed with space from side edges along the gate length direction of the gate electrode.

摘要翻译： 本发明的半导体器件包括由在衬底上生长的III族氮化物半导体形成的有源区和通过氧化III族氮化物半导体而形成在有源区的周边部分中的绝缘氧化物膜。 在有源区域上，形成与延伸到绝缘氧化膜上并在绝缘氧化膜上具有延伸部分的有源区肖特基接触的栅电极，分别用作源电极和漏电极的欧姆电极形成有 沿着栅电极的栅极长度方向的侧边缘的空间。

公开(公告)号：US07307292B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US10456901

申请日：2003-06-09

申请人： Katsunori Nishii ,  Kaoru Inoue ,  Toshinobu Matsuno ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

发明人： Katsunori Nishii ,  Kaoru Inoue ,  Toshinobu Matsuno ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

IPC分类号： H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

摘要： An insulating-gate semiconductor device has a first nitride semiconductor layer formed over a substrate and an insulating oxidation layer obtained by oxidizing a second nitride semiconductor layer formed on the first nitride semiconductor layer. A gate electrode is formed on the insulating oxidation layer.

摘要翻译： 绝缘栅半导体器件具有形成在衬底上的第一氮化物半导体层和通过氧化形成在第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层而获得的绝缘氧化层。 在绝缘氧化层上形成栅电极。

公开(公告)号：US07585706B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11898951

申请日：2007-09-18

申请人： Katsunori Nishii ,  Kaoru Inoue ,  Toshinobu Matsuno ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

发明人： Katsunori Nishii ,  Kaoru Inoue ,  Toshinobu Matsuno ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66863 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： The semiconductor device of this invention includes an active region formed from a group III nitride semiconductor grown on a substrate and an insulating oxide film formed in a peripheral portion of the active region by oxidizing the group III nitride semiconductor. On the active region, a gate electrode in Schottky contact with the active region extending onto the insulating oxide film and having an extended portion on the insulating oxide film is formed, and ohmic electrodes respectively serving as a source electrode and a drain electrode are formed with space from side edges along the gate length direction of the gate electrode.

摘要翻译： 本发明的半导体器件包括由在衬底上生长的III族氮化物半导体形成的有源区和通过氧化III族氮化物半导体而形成在有源区的周边部分中的绝缘氧化物膜。 在有源区域上，形成与延伸到绝缘氧化膜上并在绝缘氧化膜上具有延伸部分的有源区肖特基接触的栅电极，分别用作源电极和漏电极的欧姆电极形成有 沿着栅电极的栅极长度方向的侧边缘的空间。

公开(公告)号：US06593193B2

公开(公告)日：2003-07-15

申请号：US10054843

申请日：2002-01-25

申请人： Katsunori Nishii ,  Kaoru Inoue ,  Toshinobu Matsuno ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

发明人： Katsunori Nishii ,  Kaoru Inoue ,  Toshinobu Matsuno ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

摘要： An insulating-gate semiconductor device has a first nitride semiconductor layer formed over a substrate and an insulating oxidation layer obtained by oxidizing a second nitride semiconductor layer formed on the first nitride semiconductor layer. A gate electrode is formed on the insulating oxidation layer.

公开(公告)号：US06852612B2

公开(公告)日：2005-02-08

申请号：US10323637

申请日：2002-12-20

申请人： Katsunori Nishii ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato ,  Kaoru Inoue

发明人： Katsunori Nishii ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato ,  Kaoru Inoue

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/338 ,  H01L23/48 ,  H01L29/20 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L31/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66856 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： The semiconductor device of the present invention includes: a gallium nitride (GaN) compound semiconductor layer; and a Schottky electrode formed on the GaN compound semiconductor layer, wherein the Schottky electrode contains silicon.

摘要翻译： 本发明的半导体器件包括：氮化镓（GaN）化合物半导体层; 和形成在GaN化合物半导体层上的肖特基电极，其中肖特基电极含有硅。

公开(公告)号：US20050006664A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10909425

申请日：2004-08-03

申请人： Kaoru Inoue ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

发明人： Kaoru Inoue ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L31/0328

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/2003

摘要： A semiconductor device includes an AlGaN film formed on a GaN film on a substrate, a gate electrode formed on the AlGaN film, and source and drain electrodes formed on either side of the gate electrode on the AlGaN film. An n-type InxGayAl1-x-yN film is interposed between the source and drain electrodes and the AlGaN film. Alternatively, the semiconductor device includes an n-type InxGayAl1-x-yN film formed on a GaN film on a substrate, a gate electrode formed on the InxGayAl1-x-yN film, and source and drain electrodes formed on either side of the gate electrode on the InxGayAl1-x-yN film.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在基板上的GaN膜上的AlGaN膜，形成在AlGaN膜上的栅电极，以及形成在AlGaN膜上的栅电极的两侧的源极和漏极。 在源电极和漏电极和AlGaN膜之间插入n型In x Ga y Al 1-x-y N膜。 或者，半导体器件包括形成在衬底上的GaN膜上的n型In x Ga y Al 1-x-y N膜，形成在In x Ga y Al 1-x-y N膜上的栅电极，以及形成在栅极两侧的源极和漏极 InxGayAl1-x-yN膜上的电极。

公开(公告)号：US06809352B2

公开(公告)日：2004-10-26

申请号：US10329675

申请日：2002-12-27

申请人： Katsunori Nishii ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato ,  Kaoru Inoue

发明人： Katsunori Nishii ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato ,  Kaoru Inoue

IPC分类号： H01L310328

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66856 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： The semiconductor device of the present invention includes: a gallium nitride (GaN) compound semiconductor layer; and a Schottky electrode formed on the GaN compound semiconductor layer, wherein the Schottky electrode contains silicon.

摘要翻译： 本发明的半导体器件包括：氮化镓（GaN）化合物半导体层; 和形成在GaN化合物半导体层上的肖特基电极，其中肖特基电极含有硅。

公开(公告)号：US06774449B1

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US09664555

申请日：2000-09-18

申请人： Katsunori Nishii ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato ,  Kaoru Inoue

发明人： Katsunori Nishii ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato ,  Kaoru Inoue

IPC分类号： H01L3100

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66856 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： The semiconductor device of the present invention includes: a gallium nitride (GaN) compound semiconductor layer; and a Schottky electrode formed on the GaN compound semiconductor layer, wherein the Schottky electrode contains silicon.

摘要翻译： 本发明的半导体器件包括：氮化镓（GaN）化合物半导体层; 和形成在GaN化合物半导体层上的肖特基电极，其中肖特基电极含有硅。

公开(公告)号：US06787820B2

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10059226

申请日：2002-01-31

申请人： Kaoru Inoue ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

发明人： Kaoru Inoue ,  Yoshito Ikeda ,  Hiroyuki Masato

IPC分类号： H01L2906

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/2003

摘要： A semiconductor device includes an AlGaN film formed on a GaN film on a substrate, a gate electrode formed on the AlGaN film, and source and drain electrodes formed on either side of the gate electrode on the AlGaN film. An n-type InxGayAl1-x-yN film is interposed between the source and drain electrodes and the AlGaN film. Alternatively, the semiconductor device includes an n-type InxGayAl1-x-yN film formed on a GaN film on a substrate, a gate electrode formed on the InxGayAl1-x-yN film, and source and drain electrodes formed on either side of the gate electrode on the InxGayAl1-x-yN film.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在基板上的GaN膜上的AlGaN膜，形成在AlGaN膜上的栅电极，以及形成在AlGaN膜上的栅电极的两侧的源极和漏极。 在源电极和漏电极和AlGaN膜之间插入n型In x Ga y Al 1-x-y N膜。 或者，半导体器件包括形成在衬底上的GaN膜上的n型In x Ga y Al 1-x-y N膜，形成在In x Ga y Al 1-x-y N膜上的栅电极，以及形成在栅极两侧的源极和漏极 InxGayAl1-x-yN膜上的电极。

公开(公告)号：US07323376B2

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US10736605

申请日：2003-12-17

申请人： Yutaka Hirose ,  Yoshito Ikeda ,  Kaoru Inoue

发明人： Yutaka Hirose ,  Yoshito Ikeda ,  Kaoru Inoue

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor device has a Group III nitride semiconductor layer and a gate electrode formed on the Group III nitride semiconductor layer. The gate electrode contains an adhesion enhancing element. A thermally oxidized insulating film is interposed between the Group III nitride semiconductor layer and the gate electrode.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在III族氮化物半导体层上的III族氮化物半导体层和栅电极。 栅极电极含有粘附增强元件。 在III族氮化物半导体层和栅电极之间插入热氧化绝缘膜。