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    Positive resist composition and pattern forming method using the same
    1.
    发明申请
    Positive resist composition and pattern forming method using the same 审中-公开
    正型抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法

    公开(公告)号：US20070072117A1

    公开(公告)日：2007-03-29

    申请号：US11525865

    申请日：2006-09-25

    申请人： Kazuyoshi Mizutani ,  Yasutomo Kawanishi

    发明人： Kazuyoshi Mizutani ,  Yasutomo Kawanishi

    IPC分类号： G03C1/00

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392

    摘要： A positive resist composition comprising: a compound having at least two acid-decomposable groups, an aromatic ring and an alkylene or cycloalkylene chain and having a molecular weight of 2,000 or less, of which solubility in an alkali developer increases under an action of an acid; and a compound represented by the formula (B-1) as defined herein, which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation.

    摘要翻译： 一种正型抗蚀剂组合物，其包含：具有至少两个可酸分解基团的芳族环和亚烷基或亚环烷基并且分子量为2,000以下的化合物，其在碱性显影剂中的溶解度在酸的作用下增加 ; 和由本文定义的式（B-1）表示的化合物，其在用光化射线或辐射照射时产生酸。

    Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition
    4.
    发明授权
    Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition 失效
    抗蚀剂组合物，用于抗蚀剂组合物的化合物和使用抗蚀剂组合物的图案形成方法

    公开(公告)号：US07541131B2

    公开(公告)日：2009-06-02

    申请号：US11356048

    申请日：2006-02-17

    申请人： Yasutomo Kawanishi

    发明人： Yasutomo Kawanishi

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/038

    CPC分类号： C07D335/16 ,  C07D335/08 ,  C07D335/12 ,  C07D339/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/123 ,  Y10S522/904

    摘要： The invention provides a resist composition for use in the production process of a semiconductor such as IC, in the production of a circuit substrate of liquid crystal, thermal head and the like or in other photofabrication processes, a compound for use in the resist composition and a pattern forming method using the resist composition, which are a resist composition comprising (A) a sulfonium salt represented by the following formula (I); and a pattern forming method using the resist composition: wherein R1 represents an alkyl group or an aryl group, R2 to R9 each independently represents a hydrogen atom or a substituent and may combine with each other to form a ring, Z represents an electron-withdrawing divalent linking group, Xn− represents an n-valent anion, n represents an integer of 1 to 3, and m represents the number of anions necessary for neutralizing the electric charge.

    摘要翻译： 本发明提供了在制造液晶，热敏头等的电路基板或其他光制造工艺中用于半导体（例如IC）的制造工艺中的抗蚀剂组合物，用于抗蚀剂组合物的化合物和 使用抗蚀剂组合物的图案形成方法，其为包含（A）由下式（I）表示的锍盐的抗蚀剂组合物; 以及使用该抗蚀剂组合物的图案形成方法，其中，R1表示烷基或芳基，R2〜R9各自独立地表示氢原子或取代基，可以相互结合形成环，Z表示吸电子 二价连接基团，Xn-表示n价阴离子，n表示1〜3的整数，m表示中和电荷所需的阴离子数。

    Positive resist composition and pattern formation method using the same
    5.
    发明申请
    Positive resist composition and pattern formation method using the same 有权
    正型抗蚀剂组成和使用其的图案形成方法

    公开(公告)号：US20070224540A1

    公开(公告)日：2007-09-27

    申请号：US11727267

    申请日：2007-03-26

    申请人： Sou Kamimura ,  Tomoya Sasaki ,  Yasutomo Kawanishi ,  Kenji Wada

    发明人： Sou Kamimura ,  Tomoya Sasaki ,  Yasutomo Kawanishi ,  Kenji Wada

    IPC分类号： G03C1/00

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

    摘要： A positive resist composition containing a compound including a sulfonium cation having a structure represented by the formula (Z-I) as defined herein, a low molecular weight compound which increases solubility in an alkali developing solution by an action of an acid, and a compound which generates a compound having a structure represented by the formula (A-I) as defined herein upon irradiation of an actinic ray or a radiation.

    摘要翻译： 含有具有本文定义的式（ZI）所示结构的锍阳离子的化合物的正性抗蚀剂组合物，通过酸的作用增加在碱性显影液中的溶解度的低分子量化合物和产生 在通过光化射线或辐射照射时具有如本文所定义的式（AI）表示的结构的化合物。

    Resist composition and pattern forming method using the same
    8.
    发明授权
    Resist composition and pattern forming method using the same 有权
    抗蚀剂组合物和图案形成方法使用其

    公开(公告)号：US07718344B2

    公开(公告)日：2010-05-18

    申请号：US11864049

    申请日：2007-09-28

    申请人： Sou Kamimura ,  Kenji Wada ,  Yasutomo Kawanishi

    发明人： Sou Kamimura ,  Kenji Wada ,  Yasutomo Kawanishi

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/126

    摘要： A resist composition, includes: (B) a polymer having a group capable of decomposing under an action of an acid and having a weight average molecular weight of 1,000 to 5,000, of which solubility in an alkali developer increases under an action of an acid; and (Z) a compound containing a sulfonium cation having a structure represented by formula (Z-1): wherein Y1 to Y13 each independently represents a hydrogen atom or a substituent, and adjacent members of Y1 to Y13 may combine with each other to form a ring; and Z represents a single bond or a divalent linking group.

    摘要翻译： 抗蚀剂组合物包括：（B）具有能够在酸的作用下分解并且重均分子量为1,000至5,000的基团的聚合物，其在碱性显影剂中的溶解度在酸的作用下增加; 和（Z）含有具有由式（Z-1）表示的结构的锍阳离子的化合物：其中Y 1至Y 13各自独立地表示氢原子或取代基，并且Y 1至Y 13的相邻成员可以相互结合形成 戒指; Z表示单键或二价连接基团。