公开(公告)号：US20110206932A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12910759

申请日：2010-10-22

申请人： Keiko Waki ,  Do-Hyun Kim ,  Masashi Takano

发明人： Keiko Waki ,  Do-Hyun Kim ,  Masashi Takano

IPC分类号： D01F9/12 ,  D02J3/00 ,  C01B31/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/178 ,  C01B2202/36 ,  Y10T428/2978

摘要： A carbon nanotube (CNT) is provided having micropores with a diameter of 1 to 10 nm in the side wall and in turn, having a large specific surface area. A production method of a surface-modified CNT (DMWCNT), comprises heating CNT having supported on the surface thereof a metal oxide or metal nitrate fine particle at a temperature of 100 to 1000° C., such as, 200 to 500° C., in an atmosphere containing oxygen. A cyclical solid phase oxidation-reduction reaction between the metal oxide and CNT occurs on the surface of the metal oxide fine particle supported on CNT, and carbon of CNT is oxidized to open a micropore. The metal oxide is preferably cobalt oxide, and the metal nitrate is preferably cobalt nitrate.

摘要翻译： 在侧壁中提供具有直径为1至10nm的微孔并且具有大的比表面积的碳纳米管（CNT）。 表面改性CNT（DMWCNT）的制造方法包括在100〜1000℃，例如200〜500℃的温度下加热在其表面上具有金属氧化物或金属硝酸盐微粒的CNT。 ，在含氧气氛中。 金属氧化物和CNT之间的周期性固相氧化还原反应发生在负载在CNT上的金属氧化物微粒的表面上，并且碳的碳被氧化以打开微孔。 金属氧化物优选为氧化钴，金属硝酸盐优选为硝酸钴。

公开(公告)号：US09570621B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US12977853

申请日：2010-12-23

申请人： Ki-Hun Jeong ,  Do-Hyun Kim ,  Dong-Hoon Lee ,  Kap-Soo Yoon ,  Jae-Ho Choi ,  Sung-Hoon Yang ,  Pil-Sang Yun ,  Seung-Mi Seo

发明人： Ki-Hun Jeong ,  Do-Hyun Kim ,  Dong-Hoon Lee ,  Kap-Soo Yoon ,  Jae-Ho Choi ,  Sung-Hoon Yang ,  Pil-Sang Yun ,  Seung-Mi Seo

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633

摘要： The present invention discloses a thin film transistor (TFT), a method for manufacturing the TFT, and a display substrate using the TFT that may prevent degradation of the characteristics of an oxide semiconductor contained in the TFT by blocking external light from entering a channel region of the oxide semiconductor. The TFT includes an oxide semiconductor layer; a protective layer overlapping a channel region of the oxide semiconductor layer; an opaque layer disposed between the oxide semiconductor layer and the protective layer; a source electrode contacting a first side of the oxide semiconductor layer; a drain electrode contacting a second side of the oxide semiconductor layer and facing the source electrode across the channel region; a gate electrode to apply an electric field to the oxide semiconductor layer; and a gate insulating layer disposed between the gate electrode and the oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 本发明公开了一种薄膜晶体管（TFT），TFT的制造方法以及使用该TFT的显示基板，其可以防止外部光阻挡进入沟道区域而使TFT中包含的氧化物半导体的特性劣化 的氧化物半导体。 TFT包括氧化物半导体层; 与所述氧化物半导体层的沟道区域重叠的保护层; 设置在所述氧化物半导体层和所述保护层之间的不透明层; 与氧化物半导体层的第一面接触的源电极; 漏电极，与所述氧化物半导体层的第二侧接触，并跨过所述沟道区面对所述源电极; 用于向氧化物半导体层施加电场的栅电极; 以及设置在栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层。

公开(公告)号：US09252226B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13367061

申请日：2012-02-06

申请人： Do-Hyun Kim ,  Yoon Ho Khang ,  Dong-Hoon Lee ,  Sang Ho Park ,  Se Hwan Yu ,  Cheol Kyu Kim ,  Yong-Su Lee ,  Sung Haeng Cho ,  Chong Sup Chang ,  Dong Jo Kim ,  Jung Kyu Lee

发明人： Do-Hyun Kim ,  Yoon Ho Khang ,  Dong-Hoon Lee ,  Sang Ho Park ,  Se Hwan Yu ,  Cheol Kyu Kim ,  Yong-Su Lee ,  Sung Haeng Cho ,  Chong Sup Chang ,  Dong Jo Kim ,  Jung Kyu Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

摘要： Provided is a thin film transistor array panel. The thin film transistor array panel according to exemplary embodiments of the present invention includes: a gate wiring layer disposed on a substrate; an oxide semiconductor layer disposed on the gate wiring layer; and a data wiring layer disposed on the oxide semiconductor layer, in which the data wiring layer includes a main wiring layer including copper and a capping layer disposed on the main wiring layer and including a copper alloy.

摘要翻译： 提供了一种薄膜晶体管阵列面板。 根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层; 设置在所述栅极布线层上的氧化物半导体层; 以及数据布线层，其设置在所述氧化物半导体层上，所述数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在所述主布线层上并包括铜合金的覆盖层。

公开(公告)号：US08994158B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13277799

申请日：2011-10-20

申请人： Do-Hyun Kim ,  Won-young Kim

发明人： Do-Hyun Kim ,  Won-young Kim

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49558 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Semiconductor packages having lead frames include a lead frame, which supports a semiconductor chip and is electrically connected to the semiconductor chip by bonding wires, and a molding layer encapsulating the semiconductor chip. The lead frame includes first lead frames extending in a first direction and second lead frames extending in a second direction. The first lead frames may run across the semiconductor chip and support the semiconductor chip and the second lead frames may run across the bottom surface of the semiconductor chip.

摘要翻译： 具有引线框架的半导体封装包括引线框架，其支撑半导体芯片并且通过接合线电连接到半导体芯片，以及封装半导体芯片的模制层。 引线框架包括沿第一方向延伸的第一引线框架和沿第二方向延伸的第二引线框架。 第一引线框架可跨越半导体芯片并且支撑半导体芯片，并且第二引线框架可以跨过半导体芯片的底表面延伸。

公开(公告)号：US08723179B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US12957743

申请日：2010-12-01

申请人： Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim ,  Hye-Young Ryu ,  Woo-Geun Lee ,  Seung-Ha Choi ,  Jae-Hyoung Youn ,  Kyoung-Jae Chung ,  Young-Wook Lee ,  Je-Hun Lee ,  Kap-Soo Yoon ,  Do-Hyun Kim ,  Dong-Ju Yang ,  Young-Joo Choi

发明人： Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim ,  Hye-Young Ryu ,  Woo-Geun Lee ,  Seung-Ha Choi ,  Jae-Hyoung Youn ,  Kyoung-Jae Chung ,  Young-Wook Lee ,  Je-Hun Lee ,  Kap-Soo Yoon ,  Do-Hyun Kim ,  Dong-Ju Yang ,  Young-Joo Choi

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L29/41733 ,  H01L21/44 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L21/475 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor panel includes an insulating substrate, a gate insulating layer disposed on the insulating substrate, an oxide semiconductor layer disposed on the gate insulating layer, an etch stopper disposed on the oxide semiconductor layer, and a source electrode and a drain electrode disposed on the etch stopper.

摘要翻译： 薄膜晶体管面板包括绝缘基板，设置在绝缘基板上的栅极绝缘层，设置在栅极绝缘层上的氧化物半导体层，设置在氧化物半导体层上的蚀刻停止器，以及设置在源极电极和漏极上的 在蚀刻停止器上。

公开(公告)号：US08551307B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US12779459

申请日：2010-05-13

申请人： Do-Hyun Kim ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong

发明人： Do-Hyun Kim ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3435

摘要： A sputtering target apparatus is provided. The sputtering target apparatus includes a first target assembly including a first target array having a first target, a second target disposed adjacent to the first target, and a first target dividing region disposed between the first and second targets, the first target assembly extending along a first direction, wherein the first target dividing region has a longitudinal cross-section that is oblique with respect to the first direction.

摘要翻译： 提供溅射靶设备。 溅射靶设备包括：第一目标组件，其包括具有第一靶的第一靶阵列，与第一靶相邻设置的第二靶;以及设置在第一靶和第二靶之间的第一靶分离区， 第一方向，其中第一目标分割区域具有相对于第一方向倾斜的纵向横截面。

公开(公告)号：US08461585B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US13111027

申请日：2011-05-19

申请人： Young-Joo Choi ,  Woo-Geun Lee ,  Do-Hyun Kim

发明人： Young-Joo Choi ,  Woo-Geun Lee ,  Do-Hyun Kim

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L27/1225

摘要： A display substrate includes; a gate pattern including a gate electrode disposed on a substrate, a gate insulation layer disposed on the substrate and the gate pattern, an insulation pattern including; a first thickness part disposed on a first area of the gate insulation layer overlapping the gate electrode and a second thickness part disposed on a second area of the gate insulation layer adjacent to the first area, an oxide semiconductor pattern disposed on the first thickness part of the first area, an etch stopper disposed on the oxide semiconductor pattern, a source pattern including a source electrode and a drain electrode which contact the oxide semiconductor pattern, and a pixel electrode which contacts the drain electrode.

摘要翻译： 显示基板包括： 栅极图案，包括设置在基板上的栅极电极，设置在基板上的栅极绝缘层和栅极图案，绝缘图案，包括： 设置在与栅电极重叠的栅极绝缘层的第一区域上的第一厚度部分和设置在与第一区域相邻的栅极绝缘层的第二区域上的第二厚度部分，设置在栅极绝缘层的第一厚度部分上的氧化物半导体图案 第一区域，设置在氧化物半导体图案上的蚀刻停止件，包括与氧化物半导体图案接触的源电极和漏电极的源图案以及与漏电极接触的像素电极。

公开(公告)号：US20130138536A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13552765

申请日：2012-07-19

申请人： Bong-Koon KOH ,  Sang-Jae Lee ,  Sa-Eun Park ,  Jae-Woo Park ,  Ki-Hoon Cha ,  Do-Hyun Kim ,  Mi-Yeon Kang ,  Soon-Chol Kwon

发明人： Bong-Koon KOH ,  Sang-Jae Lee ,  Sa-Eun Park ,  Jae-Woo Park ,  Ki-Hoon Cha ,  Do-Hyun Kim ,  Mi-Yeon Kang ,  Soon-Chol Kwon

IPC分类号： G06Q30/06

CPC分类号： G06Q30/06 ,  G06Q10/08 ,  G06Q30/04 ,  G06Q50/28

摘要： A logistics support method of a logistics support system for supporting online shopping includes: receiving a usable range for a waybill number from at least one delivery service company system; receiving product order information, except for personal information, from a sales company server selling a product; receiving a request for waybill output information containing the product order information from a supply company system supplying the product or the delivery service company system delivering the product; receiving and encrypting the personal information corresponding to the product order information from the sales company server; generating the waybill output information containing the encrypted personal information, the product order information, and a waybill number belong to the usable waybill number range; and transmitting the waybill output information to the supply company system or the delivery service company system.

摘要翻译： 支持在线购物的物流支持系统的物流支持方法包括：从至少一个送货服务公司系统接收运单号码的可用范围; 从销售产品的销售公司服务器接收产品订单信息（个人信息除外）; 从提供产品的供应公司系统或提供产品的送货服务公司系统接收包含产品订单信息的运单输出信息的请求; 从销售公司服务器接收和加密与产品订单信息相对应的个人信息; 产生包含加密的个人信息，产品订单信息和运单号码的运单输出信息属于可用运单数量范围; 并将运单输出信息传送给供应公司系统或送货服务公司系统。

公开(公告)号：US08288766B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12555824

申请日：2009-09-09

申请人： Je-Hun Lee ,  Ki-Won Kim ,  Do-Hyun Kim ,  Woo-Geun Lee ,  Kap-Soo Yoon

发明人： Je-Hun Lee ,  Ki-Won Kim ,  Do-Hyun Kim ,  Woo-Geun Lee ,  Kap-Soo Yoon

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A TFT array substrate includes a semiconductive oxide layer disposed on an insulating substrate and including a channel portion, a gate electrode overlapping the semiconductive oxide layer, a gate insulating layer interposed between the semiconductive oxide layer and the gate electrode, and a passivation layer disposed on the semiconductive oxide layer and the gate electrode. At least one of the gate insulating layer and the passivation layer includes an oxynitride layer, and the oxynitride layer has a higher concentration of oxygen than that of nitrogen in a location of the oxynitride layer closer to the semiconductive oxide layer.

摘要翻译： TFT阵列基板包括设置在绝缘基板上并包括沟道部分的半导体氧化物层，与半导体氧化物层重叠的栅极电极，插入在半导体氧化物层和栅电极之间的栅极绝缘层，以及设置在 半导体氧化物层和栅电极。 栅极绝缘层和钝化层中的至少一个包括氧氮化物层，并且氧氮化物层在氧氮化物层的位置更靠近半导体氧化物层的位置处具有比氮的浓度高的氧氮化物层。

公开(公告)号：US08055763B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US11872104

申请日：2007-10-15

申请人： Jae-Jun Yoo ,  Do-Hyun Kim ,  Mi-Jeong Kim ,  Byung-Tae Jang ,  Jong-Hyun Park ,  Jeong-Dan Choi ,  Myung-Hee Son ,  Jung-Sook Kim ,  Kyung-Bok Sung ,  Jae-Han Lim

发明人： Jae-Jun Yoo ,  Do-Hyun Kim ,  Mi-Jeong Kim ,  Byung-Tae Jang ,  Jong-Hyun Park ,  Jeong-Dan Choi ,  Myung-Hee Son ,  Jung-Sook Kim ,  Kyung-Bok Sung ,  Jae-Han Lim

IPC分类号： G06F15/173

CPC分类号： H04L67/12

摘要： Provided are a system and method for processing sensing data from a sensor network. The system includes: a data processing condition managing unit for storing sensing data processing conditions; a data processing function managing unit for storing sensing data processing function information; a processed data managing unit for storing processed sensing data; a data pattern managing unit for storing sensing data pattern information; an acquired data managing unit for storing sensing data; a data acquisition condition managing unit for storing sensing data acquisition conditions; a user requirement acquiring unit for acquiring the sensing data acquisition conditions; a data acquiring unit for acquiring sensing data; a data pattern extracting unit for extracting the pattern of sensing data; a data generating unit for processing the sensing data; and a data processing unit for processing the sensing data.

摘要翻译： 提供了一种用于处理来自传感器网络的感测数据的系统和方法。 该系统包括：数据处理条件管理单元，用于存储感测数据处理条件; 数据处理功能管理单元，用于存储感测数据处理功能信息; 处理数据管理单元，用于存储处理的感测数据; 数据模式管理单元，用于存储感测数据模式信息; 用于存储感测数据的获取数据管理单元; 数据获取条件管理单元，用于存储感测数据获取条件; 用户需求获取单元，用于获取所述感测数据获取条件; 数据获取单元，用于获取感测数据; 数据模式提取单元，用于提取感测数据的模式; 数据生成单元，用于处理感测数据; 以及用于处理感测数据的数据处理单元。