公开(公告)号：US08994023B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13115088

申请日：2011-05-24

申请人： Hye-Young Ryu ,  Woo-Geun Lee ,  Young-Joo Choi ,  Kyoung-Jae Chung ,  Jin-Won Lee ,  Seung-Ha Choi ,  Hee-Jun Byeon ,  Pil-Sang Yun

发明人： Hye-Young Ryu ,  Woo-Geun Lee ,  Young-Joo Choi ,  Kyoung-Jae Chung ,  Jin-Won Lee ,  Seung-Ha Choi ,  Hee-Jun Byeon ,  Pil-Sang Yun

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/10 ,  H01L29/04 ,  H01L29/15 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

摘要： A thin film transistor array substrate capable of reducing degradation of a device due to degradation of an oxide semiconductor pattern and a method of fabricating the same are provided. The thin film transistor array substrate may include an insulating substrate on which a gate electrode is formed, a gate insulating film formed on the insulating substrate, an oxide semiconductor pattern disposed on the gate insulating film, an anti-etching pattern formed on the oxide semiconductor pattern, and a source electrode and a drain electrode formed on the anti-etching pattern. The oxide semiconductor pattern may include an edge portion positioned between the source electrode and the drain electrode, and the edge portion may include at least one conductive region and at least one non-conductive region.

摘要翻译： 提供了能够降低由于氧化物半导体图案的劣化引起的器件劣化的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。 薄膜晶体管阵列基板可以包括其上形成有栅极的绝缘基板，形成在绝缘基板上的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的氧化物半导体图案，形成在氧化物半导体上的抗蚀刻图案 图案，以及形成在防蚀刻图案上的源电极和漏电极。 氧化物半导体图案可以包括位于源电极和漏电极之间的边缘部分，并且边缘部分可以包括至少一个导电区域和至少一个非导电区域。

公开(公告)号：US20100051934A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12504483

申请日：2009-07-16

申请人： Jong-Hyun Choung ,  Bong-Kyun Kim ,  Byeong-Jin Lee ,  Sun-Young Hong ,  Pil-Sang Yun ,  Hong-Sick Park ,  Dong-Ju Yang ,  Young-Joo Choi ,  Nam-Seok Suh

发明人： Jong-Hyun Choung ,  Bong-Kyun Kim ,  Byeong-Jin Lee ,  Sun-Young Hong ,  Pil-Sang Yun ,  Hong-Sick Park ,  Dong-Ju Yang ,  Young-Joo Choi ,  Nam-Seok Suh

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A thin film transistor array panel and a method of manufacturing the same are provided according to one or more embodiments. In an embodiment, a method includes: forming a gate line on an insulation substrate; stacking a gate insulating layer, an oxide semiconductor layer, a first barrier layer, and a first copper layer on the gate line; performing a photolithography process on the oxide semiconductor layer, the first barrier layer, and the first copper layer and forming a data line including a source electrode, a drain electrode, and an oxide semiconductor pattern; forming a passivation layer having the contact hole that exposes the drain electrode on the data line and the drain electrode; and forming a pixel electrode that is connected to the drain electrode through the contact hole on the passivation layer, wherein the forming of a data line, a drain electrode, and an oxide semiconductor pattern includes wet etching the first copper layer and then wet etching the first barrier layer and the oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 根据一个或多个实施例提供薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。 在一个实施例中，一种方法包括：在绝缘基板上形成栅极线; 在栅极线上堆叠栅极绝缘层，氧化物半导体层，第一势垒层和第一铜层; 在所述氧化物半导体层，所述第一阻挡层和所述第一铜层上进行光刻工艺，并形成包括源电极，漏电极和氧化物半导体图案的数据线; 形成具有使数据线和漏电极上的漏电极露出的接触孔的钝化层; 以及形成通过钝化层上的接触孔连接到漏电极的像素电极，其中数据线，漏电极和氧化物半导体图案的形成包括湿蚀刻第一铜层，然后湿蚀刻 第一阻挡层和氧化物半导体层。

公开(公告)号：US08598577B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13177783

申请日：2011-07-07

申请人： Jae-Woo Park ,  Dong-Hoon Lee ,  Sung-Haeng Cho ,  Woo-Geun Lee ,  Hye-Young Ryu ,  Young-Joo Choi

发明人： Jae-Woo Park ,  Dong-Hoon Lee ,  Sung-Haeng Cho ,  Woo-Geun Lee ,  Hye-Young Ryu ,  Young-Joo Choi

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： A display substrate includes a gate line extending in a first direction on a base substrate, a data line on the base substrate and extending in a second direction crossing the first direction, a gate insulating layer on the gate line, a thin-film transistor and a pixel electrode. The thin-film transistor includes a gate electrode electrically connected the gate line, an oxide semiconductor pattern, and source and drain electrodes on the oxide semiconductor pattern and spaced apart from each other. The oxide semiconductor pattern includes a first semiconductor pattern including indium oxide and a second semiconductor pattern including indium-free oxide. The pixel electrode is electrically connected the drain electrode.

摘要翻译： 显示基板包括在基底基板上沿第一方向延伸的栅极线，在基底基板上的数据线，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸，栅极线上的栅极绝缘层，薄膜晶体管和 像素电极。 薄膜晶体管包括栅电极，电极连接栅极线，氧化物半导体图案以及氧化物半导体图案上的源电极和漏电极并彼此间隔开。 氧化物半导体图案包括包括氧化铟的第一半导体图案和包含无铟氧化物的第二半导体图案。 像素电极与漏电极电连接。

公开(公告)号：US20120104384A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13193459

申请日：2011-07-28

申请人： Young-Joo CHOI ,  Jae-Won SONG ,  Xun ZHU ,  Sang-Wan JIN ,  Woo-Geun LEE

发明人： Young-Joo CHOI ,  Jae-Won SONG ,  Xun ZHU ,  Sang-Wan JIN ,  Woo-Geun LEE

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin-film transistor (TFT) includes a gate electrode, an oxide semiconductor pattern, a source electrode, a drain electrode and an etch stopper. The gate electrode is formed on a substrate. The oxide semiconductor pattern is disposed in an area overlapping with the gate electrode. The source electrode is partially disposed on the oxide semiconductor pattern. The drain electrode is spaced apart from the source electrode, faces the source electrode, and is partially disposed on the oxide semiconductor pattern. The etch stopper has first and second end portions. The first end portion is disposed between the oxide semiconductor pattern and the source electrode, and the second end portion is disposed between the oxide semiconductor pattern and the drain electrode. A sum of first and second overlapping length is between about 30% and about 99% of a total length of the etch stopper.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）包括栅电极，氧化物半导体图案，源电极，漏电极和蚀刻停止器。 栅电极形成在基板上。 氧化物半导体图案设置在与栅电极重叠的区域中。 源电极部分地设置在氧化物半导体图案上。 漏电极与源极间隔开，面对源电极，部分地设置在氧化物半导体图案上。 蚀刻停止器具有第一和第二端部。 第一端部设置在氧化物半导体图案和源电极之间，第二端部设置在氧化物半导体图案和漏电极之间。 第一和第二重叠长度之和在蚀刻停止器的总长度的约30％至约99％之间。

公开(公告)号：US20120018720A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13177783

申请日：2011-07-07

申请人： Jae-Woo PARK ,  Dong-Hoon LEE ,  Sung-Haeng CHO ,  Woo-Geun LEE ,  Hye-Young RYU ,  Young-Joo CHOI

发明人： Jae-Woo PARK ,  Dong-Hoon LEE ,  Sung-Haeng CHO ,  Woo-Geun LEE ,  Hye-Young RYU ,  Young-Joo CHOI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： A display substrate includes a gate line extending in a first direction on a base substrate, a data line on the base substrate and extending in a second direction crossing the first direction, a gate insulating layer on the gate line, a thin-film transistor and a pixel electrode. The thin-film transistor includes a gate electrode electrically connected the gate line, an oxide semiconductor pattern, and source and drain electrodes on the oxide semiconductor pattern and spaced apart from each other. The oxide semiconductor pattern includes a first semiconductor pattern including indium oxide and a second semiconductor pattern including indium-free oxide. The pixel electrode is electrically connected the drain electrode.

摘要翻译： 显示基板包括在基底基板上沿第一方向延伸的栅极线，在基底基板上的数据线，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸，栅极线上的栅极绝缘层，薄膜晶体管和 像素电极。 薄膜晶体管包括栅电极，电极连接栅极线，氧化物半导体图案以及氧化物半导体图案上的源电极和漏电极并彼此间隔开。 氧化物半导体图案包括包括氧化铟的第一半导体图案和包含无铟氧化物的第二半导体图案。 像素电极与漏电极电连接。

公开(公告)号：US20110079776A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12772836

申请日：2010-05-03

申请人： Young-Joo Choi ,  Woo-Geun Lee ,  Hye-Young Ryu ,  Ki-Won Kim

发明人： Young-Joo Choi ,  Woo-Geun Lee ,  Hye-Young Ryu ,  Ki-Won Kim

IPC分类号： H01L33/26

CPC分类号： H01L27/124 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225

摘要： A display device includes a gate pattern, a semiconductor pattern, a source pattern and a pixel electrode are provided. The gate pattern is formed on a base substrate and includes a gate line and a gate electrode. The semiconductor pattern is formed on the base substrate having the gate pattern and includes an oxide semiconductor. The source pattern is formed from a data metal layer and formed on the base substrate having the semiconductor pattern, and includes a data line, a source electrode and a drain electrode. The data metal layer includes a first copper alloy layer, and a lower surface of the data metal layer substantially coincides with an upper surface of the semiconductor pattern. The pixel electrode is formed on the base substrate having the source pattern and electrically connected to the drain electrode. Thus, manufacturing processes may be simplified, and reliability may be improved.

摘要翻译： 显示装置包括栅极图案，半导体图案，源图案和像素电极。 栅极图案形成在基底基板上，并且包括栅极线和栅电极。 半导体图案形成在具有栅极图案的基底基板上，并且包括氧化物半导体。 源图案由数据金属层形成并形成在具有半导体图案的基底基板上，并且包括数据线，源电极和漏电极。 数据金属层包括第一铜合金层，数据金属层的下表面基本上与半导体图案的上表面重合。 像素电极形成在具有源极图案的基底基板上并与漏电极电连接。 因此，可以简化制造工艺，并且可以提高可靠性。

公开(公告)号：US20100120209A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12432437

申请日：2009-04-29

申请人： Young-Joo CHOI ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Ky-Sub KIM ,  Seung-Yong LEE ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Seung-Jae YANG ,  Hyun-Kyu LEE ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM

发明人： Young-Joo CHOI ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Ky-Sub KIM ,  Seung-Yong LEE ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Seung-Jae YANG ,  Hyun-Kyu LEE ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM

IPC分类号： H01L21/336 ,  C09K13/06 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

摘要： An etchant composition is provided. The etchant composition includes about 40 to about 65 wt % of phosphoric acid, about 2 to about 5 wt % of nitric acid, about 2 to about 20 wt % of acetic acid, about 0.1 to about 2 wt % of a compound containing phosphate, about 0.1 to about 2 wt % of a compound simultaneously containing an amino group and a carboxyl group, and a remaining weight percent of water for the total weight of the composition.

摘要翻译： 提供蚀刻剂组合物。 蚀刻剂组合物包括约40至约65重量％的磷酸，约2至约5重量％的硝酸，约2至约20重量％的乙酸，约0.1至约2重量％的含磷酸盐的化合物， 约0.1至约2重量％的同时含有氨基和羧基的化合物，以及组合物总重量的剩余重量百分数。

公开(公告)号：US08841144B2

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：US12357789

申请日：2009-01-22

申请人： Se-Hwan Yu ,  Byoung-Joo Kim ,  Hyang-Shik Kong ,  Kweon-Sam Hong ,  Yoon-Ho Kang ,  Young-Joo Choi

发明人： Se-Hwan Yu ,  Byoung-Joo Kim ,  Hyang-Shik Kong ,  Kweon-Sam Hong ,  Yoon-Ho Kang ,  Young-Joo Choi

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/124 ,  B29D11/00634 ,  G02F1/133516 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1262 ,  H01L33/42 ,  H01L33/58

摘要： A method of manufacturing a color filter substrate includes forming a plurality of trenches having a predetermined depth by etching a surface of a transparent substrate, disposing a color filter material in the plurality of trenches to form a color filter layer, and forming a transparent electrode on the transparent substrate including the color filter layer therein.

摘要翻译： 制造滤色器基板的方法包括通过蚀刻透明基板的表面来形成具有预定深度的多个沟槽，在多个沟槽中设置滤色器材料以形成滤色器层，并且形成透明电极 所述透明基板包括其中的滤色器层。

公开(公告)号：US08216865B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US12772836

申请日：2010-05-03

申请人： Young-Joo Choi ,  Woo-Geun Lee ,  Hye-Young Ryu ,  Ki-Won Kim

发明人： Young-Joo Choi ,  Woo-Geun Lee ,  Hye-Young Ryu ,  Ki-Won Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/124 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225

摘要： A display device includes a gate pattern, a semiconductor pattern, a source pattern and a pixel electrode are provided. The gate pattern is formed on a base substrate and includes a gate line and a gate electrode. The semiconductor pattern is formed on the base substrate having the gate pattern and includes an oxide semiconductor. The source pattern is formed from a data metal layer and formed on the base substrate having the semiconductor pattern, and includes a data line, a source electrode and a drain electrode. The data metal layer includes a first copper alloy layer, and a lower surface of the data metal layer substantially coincides with an upper surface of the semiconductor pattern. The pixel electrode is formed on the base substrate having the source pattern and electrically connected to the drain electrode. Thus, manufacturing processes may be simplified, and reliability may be improved.

摘要翻译： 显示装置包括栅极图案，半导体图案，源图案和像素电极。 栅极图案形成在基底基板上，并且包括栅极线和栅电极。 半导体图案形成在具有栅极图案的基底基板上，并且包括氧化物半导体。 源图案由数据金属层形成并形成在具有半导体图案的基底基板上，并且包括数据线，源电极和漏电极。 数据金属层包括第一铜合金层，数据金属层的下表面基本上与半导体图案的上表面重合。 像素电极形成在具有源极图案的基底基板上并与漏电极电连接。 因此，可以简化制造工艺，并且可以提高可靠性。

公开(公告)号：US20120037910A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13111027

申请日：2011-05-19

申请人： Young-Joo CHOI ,  Woo-Geun LEE ,  Do-Hyun KIM

发明人： Young-Joo CHOI ,  Woo-Geun LEE ,  Do-Hyun KIM

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L27/1225

摘要： A display substrate includes; a gate pattern including a gate electrode disposed on a substrate, a gate insulation layer disposed on the substrate and the gate pattern, an insulation pattern including; a first thickness part disposed on a first area of the gate insulation layer overlapping the gate electrode and a second thickness part disposed on a second area of the gate insulation layer adjacent to the first area, an oxide semiconductor pattern disposed on the first thickness part of the first area, an etch stopper disposed on the oxide semiconductor pattern, a source pattern including a source electrode and a drain electrode which contact the oxide semiconductor pattern, and a pixel electrode which contacts the drain electrode.

摘要翻译： 显示基板包括： 栅极图案，包括设置在基板上的栅极电极，设置在基板上的栅极绝缘层和栅极图案，绝缘图案，包括： 设置在与栅电极重叠的栅极绝缘层的第一区域上的第一厚度部分和设置在与第一区域相邻的栅极绝缘层的第二区域上的第二厚度部分，设置在栅极绝缘层的第一厚度部分上的氧化物半导体图案 第一区域，设置在氧化物半导体图案上的蚀刻停止件，包括与氧化物半导体图案接触的源电极和漏电极的源图案以及与漏电极接触的像素电极。