公开(公告)号：US20080187776A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12026863

申请日：2008-02-06

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Yoshio Nishimoto ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Yoshio Nishimoto ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： B32B15/00

CPC分类号： C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  Y10T428/12778

摘要： Provided is a multilayer substrate having the configuration in which a multilayer film is formed on a principal surface opposite to a principal surface in the oxide-thin-film lamination direction in a translucent substrate. The multilayer film is formed by sequentially laminating a dielectric film, Au (gold) film, and oxide film in this order from the translucent substrate. On the principal surface opposite to the principal surface on which the oxide thin film is disposed, the multilayer film containing the Au film is formed, the Au film can reflect and block the excessive infrared light from a substrate holder or a heat source at the time of growth. As a result, temperature can be accurately measured.

摘要翻译： 提供一种多层基板，其具有在透光性基板中在与氧化物薄膜层叠方向的主面相反的主面上形成多层膜的结构。 通过从透光性基板依次层叠电介质膜Au（金）膜和氧化膜而形成多层膜。 在与设置有氧化物薄膜的主表面相对的主表面上形成含有Au膜的多层膜，Au膜可以反映并阻挡来自衬底保持器或热源的过多红外光 的增长。 结果，可以精确地测量温度。

公开(公告)号：US20110114938A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12735798

申请日：2009-02-20

申请人： Ken Nakahara ,  Kentaro Tamura ,  Hiroyuki Yuji ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Kentaro Tamura ,  Hiroyuki Yuji ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L33/02

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device in which, in the case of forming a laminate including an acceptor-doped layer made of a ZnO-based semiconductor, the properties of a film can be stabilized by preventing deterioration of the flatness of the acceptor-doped layer or a layer after the acceptor-doped layer and an increase of crystal defect in the layer, without lowering the concentration of an acceptor element.

摘要翻译： 提供了一种ZnO基半导体器件，其中在形成包含由ZnO基半导体制成的受主掺杂层的层压体的情况下，可以通过防止受体 - 掺杂层或受体掺杂层之后的层，并且层中的晶体缺陷增加，而不降低受主元素的浓度。

公开(公告)号：US20110033718A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12450597

申请日：2008-04-02

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： C30B29/16 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L21/02472 ,  C30B23/025 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  Y10T428/31678

摘要： Provided is a ZnO-based thin film which is doped with p-type impurities and which can be used for various devices. An MgxZn1-xO film (0≦x≦0.5) is formed on top of a substrate so as to have an acceptor concentration of a p-type dopant that is 5×1020 cm−3 or less. An acceptor concentration exceeding 5×1020 cm−3 results in the formation of a mixed crystal of the p-type impurities and the ZnO crystal as the base material. Accordingly, no high-quality ZnO-based thin film doped to be p-type can be obtained. This fact is testified by the change observed in the ZnO secondary ion intensity.

摘要翻译： 提供了掺杂有p型杂质并可用于各种器件的ZnO基薄膜。 在衬底的顶部形成Mg x Zn 1-x O膜（0＆amp; nlE; x＆lt; lE; 0.5），使其具有5×1020cm-3以下的p型掺杂剂的受主浓度。 受体浓度超过5×1020cm-3导致形成p型杂质和ZnO晶体的混合晶体作为基材。 因此，不能获得掺杂为p型的高品质ZnO基薄膜。 这个事实是通过在ZnO二次离子强度中观察到的变化来证明的。

公开(公告)号：US20090200545A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12308064

申请日：2007-06-08

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate having a main surface on the lamination side oriented in a c-axis direction. ZnO-based semiconductor layers 2 to 6 are epitaxially grown on an MgxZn1-xO (0≦x≦1) substrate 1 having a +C surface (0001), as a main surface, inclined at least in an m-axis direction. A p-electrode 8 is formed on the ZnO-based semiconductor layer 5, and an n-electrode 9 is formed on the underside of the MgxZn1-xO substrate 1. Thereby, steps regularly arranged in the m-axis direction can be formed on the surface of the MgxZn1-xO substrate 1, and a phenomenon called step bunching is prevented. Consequently, the flatness of a film of the semiconductor layers laminated on the substrate 1 can be improved.

摘要翻译： 提供一种ZnO基半导体器件，其能够在层叠侧的主表面在c轴方向上取向的MgZnO基板上生长平坦的ZnO基半导体层。 在具有+ C表面（0001）的作为主表面的Mg x Zn 1-x O（0 <= x <= 1）衬底1上外延生长ZnO基半导体层2至6，至少在m轴方向 。 在ZnO系半导体层5上形成p电极8，在Mg x Zn 1-x O基板1的下侧形成n电极9.由此，能够在m轴方向上规则排列的工序形成在 MgxZn1-xO基板1的表面，以及称为步骤聚束的现象。 因此，可以提高层叠在基板1上的半导体层的膜的平坦度。

公开(公告)号：US20100323160A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12526113

申请日：2008-02-06

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： B32B33/00 ,  C30B29/16 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L21/02554 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612

摘要： Provided is a ZnO-based thin film for growing a flat film when the ZnO-based thin film is formed on a substrate. In FIG. 1(a), a ZnO-based film 2 is formed on a ZnO-based substrate 1. Meanwhile, in FIG. 1(b), a ZnO-based laminated body 10 that is a laminated body of ZnO-based thin films is formed on the ZnO-based substrate 1. The ZnO-based laminated body 10 is the laminated body in which multiple ZnO-based thin films including a ZnO-based thin film 3, a ZnO-based thin film 4 and the like are laminated. When forming the ZnO-based thin film 2 or the ZnO-based laminated body 10, the film or the body is formed at a growth temperature of 750° C. or above, or alternatively, a step structure on a surface of the film is formed into a predetermined structure such that roughness on the surface of the film is in a predetermined range.

摘要翻译： 提供了当在基板上形成ZnO基薄膜时用于生长平坦膜的ZnO基薄膜。 在图 如图1（a）所示，在ZnO系基板1上形成ZnO系膜2。 如图1（b）所示，在ZnO系基板1上形成作为ZnO系薄膜的层叠体的ZnO系叠层体10. ZnO系叠层体10为多层ZnO系 层叠包含ZnO系薄膜3，ZnO系薄膜4等的薄膜。 当形成ZnO基薄膜2或ZnO基层叠体10时，在750℃以上的生长温度下形成薄膜或者本体，或者也可以在薄膜的表面上形成台阶结构 形成为预定结构，使得薄膜表面上的粗糙度处于预定范围内。

公开(公告)号：US08410478B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12672444

申请日：2008-08-01

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L33/285 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0083

摘要： A p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is formed on a substrate (2) made of a ZnO-based semiconductor. The p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is composed so that X as a ratio of Mg with respect to Zn therein can be 0≦X

摘要翻译： 在由ZnO类半导体制成的基板（2）上形成p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）。 p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）的构成为，使Mg相对于Zn的比例的X为0以上，X <1，优选为0＆lt; nlE; X＆lt; lE; 0.5。 在p型MgZnO薄膜（1）中，作为受体的p型杂质的氮含量约为5.0×1018 cm -3以上。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硅的IV族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×10 17 cm -3以下。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硼和铝的III族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×1016 cm -3以下。

公开(公告)号：US07741637B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12308064

申请日：2007-06-08

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate having a main surface on the lamination side oriented in a c-axis direction. ZnO-based semiconductor layers 2 to 6 are epitaxially grown on an MgxZn1-xO (0≦x

摘要翻译： 提供一种ZnO基半导体器件，其能够在层叠侧的主表面在c轴方向上取向的MgZnO基板上生长平坦的ZnO基半导体层。 在具有+ C面（0001）的作为主表面的至少在m轴方向上倾斜的MgxZn1-xO（0＆lt; nlE; x <1）衬底1上外延生长ZnO基半导体层2至6。 在ZnO系半导体层5上形成p电极8，在Mg x Zn 1-x O基板1的下侧形成n电极9.由此，能够在m轴方向上规则排列的工序形成在 MgxZn1-xO基板1的表面，以及称为步骤聚束的现象。 因此，可以提高层叠在基板1上的半导体层的膜的平坦度。

公开(公告)号：US20080245297A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US12078322

申请日：2008-03-28

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： B05C5/00

CPC分类号： C30B23/066 ,  C30B35/00

摘要： A container of a material supply apparatus is configured of a crucible and an orifice. The crucible has a cylindrical shape, a rectangular-column shape or the like, and is hollow. Heat sources such as heaters are disposed around the crucible. The orifice including an opening is provided on a side of the crucible in a material element supplying direction. The orifice includes a pipe portion that extends in the material element supplying direction. The opening is formed on a tip of the pipe portion. An opening area of the pipe portion is formed to become gradually narrower towards the material element supplying side, namely in a direction of the opening.

摘要翻译： 材料供给装置的容器由坩埚和孔构成。 坩埚具有圆柱形状，矩形柱状等，并且是中空的。 诸如加热器的热源设置在坩埚周围。 包括开口的孔口沿着材料元件供给方向设置在坩埚的一侧。 孔口包括在材料元件供给方向上延伸的管部分。 开口形成在管部的前端。 管部的开口部形成为朝向材料供给侧逐渐变窄，即开口方向。

公开(公告)号：US20110114937A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12672444

申请日：2008-08-01

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L33/285 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0083

摘要： Provided are: a p-type MgZnO-based thin film that functions as a p-type; and a semiconductor light emitting device that includes the p-type MgZnO-based thin film.A p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is formed on a substrate (2) made of a ZnO-based semiconductor. The p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is composed so that X as a ratio of Mg with respect to Zn therein can be 0≦X

摘要翻译： 提供：用作p型的p型MgZnO基薄膜; 以及包括p型MgZnO基薄膜的半导体发光器件。 在由ZnO类半导体制成的基板（2）上形成p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）。 p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）的构成为，使Mg相对于Zn的比例的X为0以上，X <1，优选为0＆lt; NlE; X＆lt; lE; 0.5。 在p型MgZnO薄膜（1）中，作为受体的p型杂质的氮含量约为5.0×1018 cm -3以上。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硅的IV族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×10 17 cm -3以下。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硼和铝的III族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×1016 cm -3以下。

公开(公告)号：US20100090214A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12450614

申请日：2008-04-02

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C28/04 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  C23C28/42 ,  C23C30/00 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/285

摘要： Provided are an oxide thin film doped with an n-type impurity, and an oxide thin film device. In an oxide thin film (2), as shown in FIG. 1(b), doped oxide layers (2a) doped with an n-type (electron-conductivity type) impurity and undoped oxide layers (2b) not doped with an n-type impurity are laminated in an alternating and repeated manner. When an oxide layer is doped with the n-type impurity at a high concentration, roughness of a surface of the oxide layer becomes large. For this reason, the doped oxide layers (2a) are covered with the undoped oxide layers (2b) capable of ensuring surface flatness, before surface roughness attributable to the doped oxide layers (2a) becomes very large. Thus, a flat oxide thin film can be formed.

摘要翻译： 提供掺杂有n型杂质的氧化物薄膜和氧化物薄膜器件。 在氧化物薄膜（2）中，如图1所示， 如图1（b）所示，掺杂有n型（电子传导型）杂质的掺杂氧化物层（2a）和未掺杂n型杂质的未掺杂氧化物层（2b）以交替重复的方式层叠。 当以高浓度掺杂n型杂质的氧化物层时，氧化物层的表面的粗糙度变大。 为此，在由掺杂氧化物层（2a）引起的表面粗糙度变得非常大之前，掺杂氧化物层（2a）被能够确保表面平坦度的未掺杂氧化物层（2b）覆盖。 因此，可以形成平坦的氧化物薄膜。