公开(公告)号：US20090184305A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12230223

申请日：2008-08-26

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistive memory device includes a first electrode and a first insulation layer arranged on the first electrode. A portion of the first electrode is exposed through a first hole in the first insulation layer. A first variable resistance layer contacts the exposed portion of the first electrode and extends on the first insulation layer around the first hole. A first switching device electrically connects to the first resistive switching layer.

摘要翻译： 电阻式存储器件包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。 第一电极的一部分通过第一绝缘层中的第一孔露出。 第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分并在第一绝缘层周围在第一孔周围延伸。 第一开关装置电连接到第一电阻开关层。

公开(公告)号：US08169053B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12289069

申请日：2008-10-20

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： Provided are resistive random access memories (RRAMs) and methods of manufacturing the same. A RRAM includes a storage node including a variable resistance layer, a switching device connected to the storage node, and a protective layer covering an exposed part of the variable resistance layer. The protective layer includes at least one of aluminum oxide and titanium oxide. The variable resistance layer is a metal oxide layer.

摘要翻译： 提供了电阻随机存取存储器（RRAM）及其制造方法。 RRAM包括存储节点，包括可变电阻层，连接到存储节点的开关装置和覆盖可变电阻层的暴露部分的保护层。 保护层包括氧化铝和氧化钛中的至少一种。 可变电阻层是金属氧化物层。

公开(公告)号：US20090184396A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12289069

申请日：2008-10-20

申请人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Ki-hwan Kim ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/441

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： Provided are resistive random access memories (RRAMs) and methods of manufacturing the same. A RRAM includes a storage node including a variable resistance layer, a switching device connected to the storage node, and a protective layer covering an exposed part of the variable resistance layer. The protective layer includes at least one of aluminum oxide and titanium oxide. The variable resistance layer is a metal oxide layer.

摘要翻译： 提供了电阻随机存取存储器（RRAM）及其制造方法。 RRAM包括存储节点，包括可变电阻层，连接到存储节点的开关装置和覆盖可变电阻层的暴露部分的保护层。 保护层包括氧化铝和氧化钛中的至少一种。 可变电阻层是金属氧化物层。

公开(公告)号：US08853759B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US12230223

申请日：2008-08-26

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Myung-jae Lee ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： A resistive memory device includes a first electrode and a first insulation layer arranged on the first electrode. A portion of the first electrode is exposed through a first hole in the first insulation layer. A first variable resistance layer contacts the exposed portion of the first electrode and extends on the first insulation layer around the first hole. A first switching device electrically connects to the first resistive switching layer.

摘要翻译： 电阻式存储器件包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。 第一电极的一部分通过第一绝缘层中的第一孔露出。 第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分并在第一绝缘层周围在第一孔周围延伸。 第一开关装置电连接到第一电阻开关层。

公开(公告)号：US20090072246A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12076308

申请日：2008-03-17

申请人： Stefanovich Genrikh ,  Bo-soo Kang ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Myoung-Jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Stefanovich Genrikh ,  Bo-soo Kang ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Myoung-Jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/24 ,  H01L29/242 ,  H01L29/267 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： Provided are a diode and a memory device comprising the diode. The diode includes a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, wherein at least one of the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer comprises a resistance changing material whose resistance is changed according to a voltage applied to the resistance changing material.

摘要翻译： 提供了二极管和包括二极管的存储器件。 二极管包括p型半导体层和n型半导体层，其中p型半导体层和n型半导体层中的至少一个包括电阻变化材料，其电阻根据施加到 电阻变化材料。

公开(公告)号：US08173989B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12149809

申请日：2008-05-08

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L47/00 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/76 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253

摘要： Provided may be a resistive random access memory (RRAM) device and methods of manufacturing and operating the same. The resistive random access memory device may include at least one first electrode, at least one second electrode spaced apart from the at least one first electrode, a first structure including a first resistance-changing layer between the at least one first and second electrodes, and a first switching element electrically connected to the first resistance-changing layer, wherein at least one of the first and second electrodes include an alloy layer having a noble metal and a base metal.

摘要翻译： 提供可以是电阻随机存取存储器（RRAM）装置及其制造和操作方法。 电阻式随机存取存储器件可以包括至少一个第一电极，与至少一个第一电极间隔开的至少一个第二电极，包括在至少一个第一和第二电极之间的第一电阻变化层的第一结构，以及 电连接到第一电阻变化层的第一开关元件，其中第一和第二电极中的至少一个包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：US20080296550A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：US12149809

申请日：2008-05-08

申请人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

发明人： Chang-bum Lee ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Bo-soo Kang ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253

摘要： Provided may be a resistive random access memory (RRAM) device and methods of manufacturing and operating the same. The resistive random access memory device may include at least one first electrode, at least one second electrode spaced apart from the at least one first electrode, a first structure including a first resistance-changing layer between the at least one first and second electrodes, and a first switching element electrically connected to the first resistance-changing layer, wherein at least one of the first and second electrodes include an alloy layer having a noble metal and a base metal.

摘要翻译： 提供可以是电阻随机存取存储器（RRAM）装置及其制造和操作方法。 电阻式随机存取存储器件可以包括至少一个第一电极，与至少一个第一电极间隔开的至少一个第二电极，包括在至少一个第一和第二电极之间的第一电阻变化层的第一结构，以及 电连接到第一电阻变化层的第一开关元件，其中第一和第二电极中的至少一个包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：US08890228B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US12292596

申请日：2008-11-21

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L23/498 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/06 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49833 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes: a memory array on a first substrate; and a peripheral circuit on a second substrate, wherein the first substrate and the second substrate may be attached to each other so that the memory array and the peripheral circuit are electrically connected to each other.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：第一衬底上的存储器阵列; 以及第二基板上的外围电路，其中第一基板和第二基板可以彼此附接，使得存储器阵列和外围电路彼此电连接。

公开(公告)号：US20090243115A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12292596

申请日：2008-11-21

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L23/49833 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes: a memory array on a first substrate; and a peripheral circuit on a second substrate, wherein the first substrate and the second substrate may be attached to each other so that the memory array and the peripheral circuit are electrically connected to each other.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：第一衬底上的存储器阵列; 以及第二基板上的外围电路，其中第一基板和第二基板可以彼此附接，使得存储器阵列和外围电路彼此电连接。

公开(公告)号：US07989791B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12076311

申请日：2008-03-17

申请人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/242 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/8618

摘要： Provided are a diode structure and a memory device including the same. The diode structure includes: a first electrode; a p-type Cu oxide layer formed on the first electrode; an n-type InZn oxide layer formed on the p-type Cu oxide layer; and a second electrode formed on the n-type InZn oxide.

摘要翻译： 提供二极管结构和包括该二极管结构的存储器件。 二极管结构包括：第一电极; 形成在所述第一电极上的p型Cu氧化物层; 形成在p型Cu氧化物层上的n型InZn氧化物层; 以及形成在n型InZn氧化物上的第二电极。