公开(公告)号：US06777334B2

公开(公告)日：2004-08-17

申请号：US10190073

申请日：2002-07-03

申请人： Le Der Shiu ,  Pin Chia Su ,  Yin Shen Chu

发明人： Le Der Shiu ,  Pin Chia Su ,  Yin Shen Chu

IPC分类号： H01L21461

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116

摘要： A method for protecting a silicon semiconductor wafer backside surface for removing polymer containing residues from a wafer process surface including providing a silicon semiconductor wafer having a process surface and a backside surface said process surface including metal containing features said process surface at least partially covered with polymer containing residues and said backside surface including exposed silicon containing areas; forming an etching resistant oxide layer over the exposed silicon containing areas; and, subjecting the silicon semiconductor wafer to a series of cleaning steps including a wet etchant corrosive to the exposed silicon containing areas.

摘要翻译： 一种用于保护硅半导体晶片背面的方法，用于从晶片工艺表面除去含有残留物的聚合物，包括提供具有工艺表面和背面的硅半导体晶片，所述工艺表面包括含有金属的特征，所述工艺表面至少部分地被聚合物覆盖 含有残留物和所述背面包括暴露的含硅区域; 在暴露的含硅区域上形成耐蚀刻氧化物层; 并且对硅半导体晶片进行一系列清洁步骤，包括对暴露的含硅区域具有腐蚀性的湿蚀刻剂。

公开(公告)号：US07588946B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11188324

申请日：2005-07-25

申请人： Chia-Tsung Tso ,  Jiun-Hong Lai ,  Mei-Jen Wu ,  Li Te Hsu ,  Pin Chia Su ,  Po-Zen Chen

发明人： Chia-Tsung Tso ,  Jiun-Hong Lai ,  Mei-Jen Wu ,  Li Te Hsu ,  Pin Chia Su ,  Po-Zen Chen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of controlling gate formation of semiconductor devices includes determining the correlation between the step heights of isolation structures and the over-etching time by measuring step heights of isolation structures, determining an over-etching time based on the step heights, and etching gates using the over-etching time. The method may include an after-etching-inspection to measure the gate profile and fine-tune the gate formation control. Within-wafer uniformity can also be improved by measuring the step height uniformity on a wafer and adjusting gate formation processes.

摘要翻译： 控制半导体器件的栅极形成的方法包括通过测量隔离结构的阶跃高度来确定隔离结构的台阶高度与过蚀刻时间之间的相关性，基于台阶高度确定过蚀刻时间，以及使用 过蚀刻时间。 该方法可以包括蚀刻检查以测量栅极分布并微调栅极形成控制。 通过测量晶片上的台阶高度均匀性并调整栅极形成工艺，也可以提高晶片内均匀性。

公开(公告)号：US20050054209A1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：US10656584

申请日：2003-09-04

申请人： Li Te Hsu ,  Chia Lun Chen ,  Chiang Jen Peng ,  Pin Chia Su

发明人： Li Te Hsu ,  Chia Lun Chen ,  Chiang Jen Peng ,  Pin Chia Su

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L21/461 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659

摘要： A method for reducing the loss of silicon in a plasma assisted photoresist etching process including providing a silicon substrate including a polysilicon gate structure; masking a portion of the silicon substrate with photoresist to carry out an ion implantation process for forming source and drain regions; carrying out an ion implantation process; and, removing the photoresist according to at least one plasma assisted process wherein the at least one plasma assisted process comprises fluorine containing, oxygen, and hydrogen containing plasma source gases.

摘要翻译： 一种降低等离子体辅助光致抗蚀剂蚀刻工艺中的硅损耗的方法，包括提供包括多晶硅栅结构的硅衬底; 用光致抗蚀剂掩蔽硅衬底的一部分，以进行用于形成源极和漏极区域的离子注入工艺; 进行离子注入工艺; 以及根据至少一种等离子体辅助方法去除所述光致抗蚀剂，其中所述至少一种等离子体辅助方法包括含氟，氧和含氢的等离子体源气体。

公开(公告)号：US20110223767A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13114333

申请日：2011-05-24

申请人： Jin-Lin Liang ,  Yu-Sheng Su ,  Tai-Yung Yu ,  Perre Kao ,  Pin Chia Su ,  Li Te Hsu

发明人： Jin-Lin Liang ,  Yu-Sheng Su ,  Tai-Yung Yu ,  Perre Kao ,  Pin Chia Su ,  Li Te Hsu

IPC分类号： H01L21/311 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/02079 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116

摘要： A method of recycling a control wafer having a low-k dielectric layer deposited thereon involves etching a portion of the low-k dielectric layer using a plasma resulting in a residual film of the low-k dielectric layer and byproduct particulates of carbon on the substrate. The residual dielectric film is removed by wet etching with a low polarization organic solvent that includes HF and a surfactant.

摘要翻译： 回收具有沉积在其上的低k电介质层的控制晶片的方法包括使用等离子体蚀刻低k电介质层的一部分，导致低k电介质层的残留膜和基底上碳的副产物微粒 。 通过用包括HF和表面活性剂的低极化有机溶剂的湿蚀刻除去残留的电介质膜。

公开(公告)号：US20090087929A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US11963040

申请日：2007-12-21

申请人： Tai-Yung Yu ,  Yu-Sheng Su ,  Li Te Hsu ,  Jin Lin Liang ,  Shih Cheng Yeh ,  Pin Chia Su

发明人： Tai-Yung Yu ,  Yu-Sheng Su ,  Li Te Hsu ,  Jin Lin Liang ,  Shih Cheng Yeh ,  Pin Chia Su

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67253

摘要： A chemical processing bath and system used in semiconductor manufacturing utilizes a dynamic spiking model that essentially constantly monitors chemical concentration in the processing bath and adds fresh chemical on a regular basis to maintain chemical concentrations at desirable levels. Etch rates and etch selectivities are maintained at desirable levels and contamination from undesirable precipitation is avoided. The system and method automatically compare concentration levels to a plurality of control limits associated with various technologies and identify the technology or technologies that may undergo processing.

摘要翻译： 用于半导体制造的化学处理浴和系统利用动态加标模型，其基本上不断监测处理槽中的化学浓度，并定期添加新鲜化学品，以将化学浓度维持在所需水平。 蚀刻速率和蚀刻选择性保持在所需的水平，避免了不期望的沉淀的污染。 系统和方法自动将浓度水平与与各种技术相关联的多个控制限制进行比较，并识别可能经历处理的技术或技术。

公开(公告)号：US07973293B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12416725

申请日：2009-04-01

申请人： Yu-Peng Lin ,  Wei-Ming You ,  Ruey-Yong Deng ,  Jiunn-Nan Lin ,  Sheng-Chien Tung ,  Pin Chia Su

发明人： Yu-Peng Lin ,  Wei-Ming You ,  Ruey-Yong Deng ,  Jiunn-Nan Lin ,  Sheng-Chien Tung ,  Pin Chia Su

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/26513

摘要： A method comprises supplying a dopant gas in an arc chamber of an ion source. A dilutant is supplied to dilute the dopant gas. The dilutant comprises about 98.5 wt. % xenon and about 1.5 wt. % hydrogen. An ion beam is generated from the diluted dopant gas using the ion source.

摘要翻译： 一种方法包括在离子源的电弧室中提供掺杂气体。 供给稀释剂以稀释掺杂气体。 稀释剂包含约98.5wt。 ％氙和约1.5wt。 ％氢。 使用离子源从稀释的掺杂气体产生离子束。

公开(公告)号：US07306746B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US10768455

申请日：2004-01-30

申请人： Fang-Cheng Chen ,  Li Te Hsu ,  I Cheng Tseng ,  Hsu Chiung Wen ,  Tsung Chuan Chen ,  Pin Chia Su

发明人： Fang-Cheng Chen ,  Li Te Hsu ,  I Cheng Tseng ,  Hsu Chiung Wen ,  Tsung Chuan Chen ,  Pin Chia Su

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32137 ,  H01L22/20

摘要： A method for controlling a critical dimension in an etched structure comprises the steps of: forming a hard mask above a substrate, measuring a critical dimension of the hard mask, and using the measured hard mask critical dimension to control a critical dimension trim operation performed on a circuit trace above the substrate.

摘要翻译： 用于控制蚀刻结构中的临界尺寸的方法包括以下步骤：在衬底上形成硬掩模，测量硬掩模的临界尺寸，并使用测量的硬掩模临界尺寸来控制对 衬底上方的电路迹线。

公开(公告)号：US08049213B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US11958942

申请日：2007-12-18

申请人： Ching-Chung Su ,  Yi-Wei Chiu ,  Tzu Chan Weng ,  Yih Song Chiu ,  Pin Chia Su ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Hsiu Wei

发明人： Ching-Chung Su ,  Yi-Wei Chiu ,  Tzu Chan Weng ,  Yih Song Chiu ,  Pin Chia Su ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Hsiu Wei

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L22/14 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： A method of measuring dimensional characteristics includes providing a substrate and forming a reflective layer over the substrate. A dielectric layer is then formed over the reflective layer. The dielectric layer includes a grating pattern and a resistivity test line inset in a transparent region. Radiation is then directed onto the dielectric layer so that some of the radiation is transmitted through the transparent region to the reflective layer. A radiation pattern is then detected from the radiation reflected and scattered by the metal grating pattern. The radiation pattern is analyzed to determine a first dimensional information. Then the resistance of the resistivity test line is measured, and that resistance is analyzed to determine a second dimensional information. The first and second dimensional informations are then compared.

摘要翻译： 测量尺寸特性的方法包括提供衬底并在衬底上形成反射层。 然后在反射层上形成电介质层。 电介质层包括在透明区域内插入的光栅图案和电阻率测试线。 然后将辐射引导到电介质层上，使得一些辐射透过透明区域到达反射层。 然后从由金属光栅图案反射和散射的辐射中检测出辐射图。 分析辐射图以确定第一维信息。 然后测量电阻率测试线的电阻，并分析该电阻以确定第二维信息。 然后比较第一和第二维信息。

公开(公告)号：US07910014B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11963040

申请日：2007-12-21

申请人： Tai-Yung Yu ,  Yu-Sheng Su ,  Li Te Hsu ,  Jin Lin Liang ,  Shih Cheng Yeh ,  Pin Chia Su

发明人： Tai-Yung Yu ,  Yu-Sheng Su ,  Li Te Hsu ,  Jin Lin Liang ,  Shih Cheng Yeh ,  Pin Chia Su

IPC分类号： C03C15/00 ,  C03C25/68

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67253

摘要： A chemical processing bath and system used in semiconductor manufacturing utilizes a dynamic spiking model that essentially constantly monitors chemical concentration in the processing bath and adds fresh chemical on a regular basis to maintain chemical concentrations at desirable levels. Etch rates and etch selectivities are maintained at desirable levels and contamination from undesirable precipitation is avoided. The system and method automatically compare concentration levels to a plurality of control limits associated with various technologies and identify the technology or technologies that may undergo processing.

摘要翻译： 用于半导体制造的化学处理浴和系统利用动态加标模型，其基本上不断监测处理槽中的化学浓度，并定期添加新鲜化学品，以将化学浓度维持在所需水平。 蚀刻速率和蚀刻选择性保持在所需的水平，避免了不期望的沉淀的污染。 系统和方法自动将浓度水平与与各种技术相关联的多个控制限制进行比较，并识别可能经历处理的技术或技术。

公开(公告)号：US20090152545A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US11958942

申请日：2007-12-18

申请人： Ching-Chung Su ,  Yi-Wei Chiu ,  Tzu-Chan Weng ,  Yih Song Chiu ,  Pin Chia Su ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Hsiu Wei

发明人： Ching-Chung Su ,  Yi-Wei Chiu ,  Tzu-Chan Weng ,  Yih Song Chiu ,  Pin Chia Su ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Hsiu Wei

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/14 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： A method of measuring dimensional characteristics includes providing a substrate and forming a reflective layer over the substrate. A dielectric layer is then formed over the reflective layer. The dielectric layer includes a grating pattern and a resistivity test line inset in a transparent region. Radiation is then directed onto the dielectric layer so that some of the radiation is transmitted through the transparent region to the reflective layer. A radiation pattern is then detected from the radiation reflected and scattered by the metal grating pattern. The radiation pattern is analyzed to determine a first dimensional information. Then the resistance of the resistivity test line is measured, and that resistance is analyzed to determine a second dimensional information. The first and second dimensional informations are then compared.

摘要翻译： 测量尺寸特性的方法包括提供衬底并在衬底上形成反射层。 然后在反射层上形成电介质层。 电介质层包括在透明区域内插入的光栅图案和电阻率测试线。 然后将辐射引导到电介质层上，使得一些辐射透过透明区域到达反射层。 然后从由金属光栅图案反射和散射的辐射中检测出辐射图。 分析辐射图以确定第一维信息。 然后测量电阻率测试线的电阻，并分析该电阻以确定第二维信息。 然后比较第一和第二维信息。