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    DEEP TRENCH CRACKSTOPS UNDER CONTACTS
    1.
    发明申请
    DEEP TRENCH CRACKSTOPS UNDER CONTACTS 失效
    DEEP TRENCH CRACKSTOPS UNDER联系人

    公开(公告)号：US20100200960A1

    公开(公告)日：2010-08-12

    申请号：US12689479

    申请日：2010-01-19

    申请人： Matthew S. Angyal ,  Lawrence A. Clevenger ,  Vincent J. McGahay ,  Satyanarayana V. Nitta ,  Shaoning Yao

    发明人： Matthew S. Angyal ,  Lawrence A. Clevenger ,  Vincent J. McGahay ,  Satyanarayana V. Nitta ,  Shaoning Yao

    IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/302

    CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L29/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

    摘要： Deep trenches formed beneath contact level in a semiconductor substrate function as crackstops, in a die area or in a scribe area of the wafer, and may be disposed in rows of increasing distance from a device which they are intended to protect, and may be located under a lattice work crackstop structure in an interconnect stack layer. The deep trenches may remain unfilled, or may be filled with a dielectric material or conductor. The deep trenches may have a depth into the substrate of approximately 1 micron to 100 microns, and a width of approximately 10 nm to 10 microns.

    摘要翻译： 形成在半导体衬底的接触电平下方的深沟槽作为裂纹，在晶片的管芯区域或划线区域中起作用，并且可以设置成距它们旨在保护的器件的距离增加的行，并且可以位于 在互连堆叠层中的格子工作裂纹结构下。 深沟槽可以保持未填充，或者可以用介电材料或导体填充。 深沟槽可以具有大约1微米至100微米的衬底的深度和约10nm至10微米的宽度。

    Deep trench crackstops under contacts
    2.
    发明授权
    Deep trench crackstops under contacts 失效
    深沟槽裂缝下的接触

    公开(公告)号：US08237246B2

    公开(公告)日：2012-08-07

    申请号：US12689479

    申请日：2010-01-19

    申请人： Matthew S. Angyal ,  Lawrence A. Clevenger ,  Vincent J. McGahay ,  Satyanarayana V. Nitta ,  Shaoning Yao

    发明人： Matthew S. Angyal ,  Lawrence A. Clevenger ,  Vincent J. McGahay ,  Satyanarayana V. Nitta ,  Shaoning Yao

    IPC分类号： H01L23/544

    CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L29/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

    摘要： Deep trenches formed beneath contact level in a semiconductor substrate function as crackstops, in a die area or in a scribe area of the wafer, and may be disposed in rows of increasing distance from a device which they are intended to protect, and may be located under a lattice work crackstop structure in an interconnect stack layer. The deep trenches may remain unfilled, or may be filled with a dielectric material or conductor. The deep trenches may have a depth into the substrate of approximately 1 micron to 100 microns, and a width of approximately 10 nm to 10 microns.

    摘要翻译： 形成在半导体衬底的接触电平下方的深沟槽作为裂纹，在晶片的管芯区域或划线区域中起作用，并且可以设置成距它们旨在保护的器件的距离增加的行，并且可以位于 在互连堆叠层中的格子工作裂纹结构下。 深沟槽可以保持未填充，或者可以用介电材料或导体填充。 深沟槽可以具有大约1微米至100微米的衬底的深度和约10nm至10微米的宽度。

    Method to create region specific exposure in a layer
    6.
    发明授权
    Method to create region specific exposure in a layer 有权
    在图层中创建区域特定曝光的方法

    公开(公告)号：US07977032B2

    公开(公告)日：2011-07-12

    申请号：US10906268

    申请日：2005-02-11

    申请人： Christos D. Dimitrakopoulos ,  Daniel C. Edelstein ,  Vincent J. McGahay ,  Satyanarayana V. Nitta ,  Kevin S. Petrarca ,  Shom Ponoth ,  Shahab Siddiqui

    发明人： Christos D. Dimitrakopoulos ,  Daniel C. Edelstein ,  Vincent J. McGahay ,  Satyanarayana V. Nitta ,  Kevin S. Petrarca ,  Shom Ponoth ,  Shahab Siddiqui

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/2022

    摘要： A method of selectively altering material properties of a substrate in one region while making a different alteration of material properties in an adjoining region is provided. The method includes selectively masking a first portion of the substrate during a first exposure and selectively masking a second portion of the substrate during a second exposure. Additionally, a mask may be formed having more than one thickness where each thickness will selectively reduce the amount of energy from a blanket exposure of the substrate thereby allowing a substrate to receive different levels of energy dosage in a single blanket exposure.

    摘要翻译： 提供了一种在邻接区域中对材料性质进行不同的改变的同时选择性地改变一个区域中的衬底的材料特性的方法。 该方法包括在第一曝光期间选择性地掩蔽衬底的第一部分，并且在第二次曝光期间选择性地掩蔽衬底的第二部分。 另外，可以形成具有多于一个厚度的掩模，其中每个厚度将选择性地减少来自衬底的覆盖曝光的能量的量，从而允许衬底在单次覆盖曝光中接收不同水平的能量。