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    Polymer having thieno[3,2-b] thiophene moieties
    2.
    发明授权
    Polymer having thieno[3,2-b] thiophene moieties 有权
    具有噻吩并[3,2-b]噻吩部分的聚合物

    公开(公告)号：US07919574B2

    公开(公告)日：2011-04-05

    申请号：US12331571

    申请日：2008-12-10

    申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S Ong

    发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S Ong

    IPC分类号： C08G75/06 ,  C08G75/00

    CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： A polymer comprising one or more types of repeat units, wherein the polymer includes a substituted thieno[3,2-b]thiophene component A and a different component B in the same type of repeat unit or in different types of repeat units, and wherein the polymer excludes a substituted or unsubstituted thieno[2,3-b]thiophene moiety. The polymer can be used as a semiconductor in electronics such as in organic thin film transistors.

    摘要翻译： 包含一种或多种重复单元的聚合物，其中所述聚合物包括取代的噻吩并[3,2-b]噻吩组分A和相同类型的重复单元或不同类型的重复单元中的不同组分B，其中 该聚合物不包括取代或未取代的噻吩并[2,3-b]噻吩部分。 该聚合物可用作诸如有机薄膜晶体管的电子器件中的半导体。

    Device with phase-separated dielectric structure
    6.
    发明授权
    Device with phase-separated dielectric structure 有权
    具有相分离介质结构的器件

    公开(公告)号：US07795614B2

    公开(公告)日：2010-09-14

    申请号：US11695138

    申请日：2007-04-02

    申请人： Yiliang Wu ,  Hadi K Mahabadi ,  Beng S Ong ,  Paul F Smith

    发明人： Yiliang Wu ,  Hadi K Mahabadi ,  Beng S Ong ,  Paul F Smith

    IPC分类号： H01L29/10

    CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： An electronic device including in any sequence: (a) a semiconductor layer; and (b) a phase-separated dielectric structure comprising a lower-k dielectric polymer and a higher-k dielectric polymer, wherein the lower-k dielectric polymer is in a higher concentration than the higher-k dielectric polymer in a region of the dielectric structure closest to the semiconductor layer.

    摘要翻译： 一种电子设备，包括以下任何顺序：（a）半导体层; 和（b）包含低k介电聚合物和较高k电介质聚合物的相分离电介质结构，其中所述低k电介质聚合物在所述电介质区域中比所述较高k电介质聚合物更高的浓度 最接近半导体层的结构。

    TFT containing coalesced nanoparticles
    7.
    发明授权
    TFT containing coalesced nanoparticles 有权
    含有聚结的纳米粒子的TFT

    公开(公告)号：US07612374B2

    公开(公告)日：2009-11-03

    申请号：US11954736

    申请日：2007-12-12

    申请人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S Ong

    发明人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S Ong

    IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

    CPC分类号： B22F7/04 ,  B22F1/0022 ,  B22F2999/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/288 ,  H01L23/53242 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10S977/936 ,  Y10T428/25 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/0085 ,  H01L2924/00

    摘要： A thin film transistor comprising: (a) an insulating layer; (b) a gate electrode; (c) a semiconductor layer; (d) a source electrode; and (e) a drain electrode, wherein the insulating layer, the gate electrode, the semiconductor layer, the source electrode, and the drain electrode are in any sequence as long as the gate electrode and the semiconductor layer both contact the insulating layer, and the source electrode and the drain electrode both contact the semiconductor layer, and wherein at least one of the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode comprise coalesced coinage metal containing nanoparticles and a residual amount of one or both of a stabilizer covalently bonded to the coalesced coinage metal containing nanoparticles and a decomposed stabilizer covalently bonded to the coalesced coinage metal containing nanoparticles.

    摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括：（a）绝缘层; （b）栅电极; （c）半导体层; （d）源电极; 和（e）漏电极，其中绝缘层，栅极电极，半导体层，源电极和漏电极是任何顺序的，只要栅电极和半导体层都接触绝缘层，以及 源电极和漏电极都接触半导体层，并且其中源电极，漏电极和栅极电极中的至少一个包括聚结的含有金属的含金属纳米颗粒和剩余量的一种或两种稳定剂共价键合 包含聚合的含金属的纳米颗粒和分解的稳定剂共价结合到含聚合物的含金属的纳米颗粒上。

    TFT having a fluorocarbon-containing layer
    8.
    发明授权
    TFT having a fluorocarbon-containing layer 有权
    TFT具有含氟碳的层

    公开(公告)号：US07282735B2

    公开(公告)日：2007-10-16

    申请号：US11276694

    申请日：2006-03-10

    申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S Ong

    发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S Ong

    IPC分类号： H01L29/08

    CPC分类号： H01L51/0529 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3127 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： A thin film transistor composed of: (a) a semiconductor layer including a thiophene compound, wherein the thiophene compound comprises one or more substituted thiophene units, one or more unsubstituted thiophene units, and optionally one or more divalent linkages; (b) a gate dielectric; and (c) a layer contacting the gate dielectric disposed between the semiconductor layer and the gate dielectric, wherein the layer comprises a substance comprising a fluorocarbon structure.

    摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括：（a）包含噻吩化合物的半导体层，其中所述噻吩化合物包含一个或多个取代的噻吩单元，一个或多个未取代的噻吩单元和任选的一个或多个二价键; （b）栅极电介质; 和（c）与设置在半导体层和栅极电介质之间的栅极电介质接触的层，其中该层包括含有碳氟化合物结构的物质。

    Fabricating TFT having fluorocarbon-containing layer
    9.
    发明授权
    Fabricating TFT having fluorocarbon-containing layer 有权
    制造具有含氟烃层的TFT

    公开(公告)号：US08222073B2

    公开(公告)日：2012-07-17

    申请号：US11837016

    申请日：2007-08-10

    申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S Ong

    发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S Ong

    IPC分类号： G02F1/13 ,  H01L29/94

    CPC分类号： H01L51/0529 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3127 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： A process for fabricating a thin film transistor comprising: (a) forming a gate dielectric; (b) forming a layer including a substance comprising a fluorocarbon structure; and (c) forming a semiconductor layer including a thiophene compound comprising one or more substituted thiophene units, one or more unsubstituted thiophene units, and optionally one or more divalent linkages, wherein the layer contacts the gate dielectric and is disposed between the semiconductor layer and the gate dielectric.

    摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管的工艺，包括：（a）形成栅极电介质; （b）形成包含含氟碳结构的物质的层; 和（c）形成包含噻吩化合物的半导体层，所述噻吩化合物包含一个或多个取代的噻吩单元，一个或多个未取代的噻吩单元和任选的一个或多个二价键，其中所述层接触所述栅极电介质并且设置在所述半导体层和 栅电介质。