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    SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    3.
    发明申请
    SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：US20120234382A1

    公开(公告)日：2012-09-20

    申请号：US13293010

    申请日：2011-11-09

    申请人： Min PARK ,  Min-Seok Oh ,  Yun-Seok Lee ,  Nam-Kyu Song ,  Cho-Young Lee ,  Hoon-Ha Jeon ,  Yeon-Ik Jang

    发明人： Min PARK ,  Min-Seok Oh ,  Yun-Seok Lee ,  Nam-Kyu Song ,  Cho-Young Lee ,  Hoon-Ha Jeon ,  Yeon-Ik Jang

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/02366 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A solar cell and a method of manufacturing the solar cell, the solar cell including a first surface configured to receive incident sunlight and having a concavo-convex pattern, a substantially flat second surface opposite to the first surface, a first doped layer formed as a crystalline silicon layer having a first dopant, and a second doped layer formed as an amorphous silicon layer having a second dopant. The processes for forming these layers, with the exception of forming the first doped layer, are performed at a low temperature. Accordingly, reflectivity of sunlight may be minimized, a high terminal voltage may be generated, and a wafer including the solar cell can be kept from being bent.

    摘要翻译： 一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池包括被配置为接收入射的太阳光并具有凹凸图案的第一表面，与所述第一表面相对的大致平坦的第二表面，形成为所述第一表面的第一掺杂层 具有第一掺杂剂的晶体硅层和形成为具有第二掺杂剂的非晶硅层的第二掺杂层。 除了形成第一掺杂层之外，形成这些层的工艺在低温下进行。 因此，可以将太阳光的反射率最小化，可能产生高的端子电压，并且可以防止包括太阳能电池的晶片弯曲。

    PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    6.
    发明申请
    PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    光伏器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130113059A1

    公开(公告)日：2013-05-09

    申请号：US13569142

    申请日：2012-08-07

    申请人： Nam-Kyu Song ,  Min-Seok Oh ,  Yun-Seok Lee ,  Cho-Young Lee

    发明人： Nam-Kyu Song ,  Min-Seok Oh ,  Yun-Seok Lee ,  Cho-Young Lee

    IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A photovoltaic device includes a semiconductor substrate; an amorphous first conductive semiconductor layer on a first region of a first surface of the semiconductor substrate and containing a first impurity; an amorphous second conductive semiconductor layer on a second region of the first surface of the semiconductor substrate and containing a second impurity; and a gap passivation layer located between the first region and the second region on the semiconductor substrate, wherein the first conductive semiconductor layer is also on the gap passivation layer.

    摘要翻译： 光电器件包括半导体衬底; 在所述半导体衬底的第一表面的第一区域上并含有第一杂质的非晶体第一导电半导体层; 在所述半导体衬底的所述第一表面的第二区域上并含有第二杂质的无定形第二导电半导体层; 以及位于半导体衬底上的第一区域和第二区域之间的间隙钝化层，其中第一导电半导体层也在间隙钝化层上。

    PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    7.
    发明申请
    PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    光伏器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130127005A1

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：US13561259

    申请日：2012-07-30

    申请人： Cho-Young Lee ,  Min-Seok Oh ,  Yun-Seok Lee ,  Nam-Kyu Song

    发明人： Cho-Young Lee ,  Min-Seok Oh ,  Yun-Seok Lee ,  Nam-Kyu Song

    IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

    摘要： A photovoltaic device and a method of manufacturing the same are disclosed. In one embodiment, the device includes i) a semiconductor substrate, ii) a first conductive semiconductor layer formed on a first region of the semiconductor substrate and iii) a first transparent conductive layer formed on the first conductive semiconductor layer. The device may further include i) a second conductive semiconductor layer formed on a second region of the semiconductor substrate, ii) a second transparent conductive layer formed on the second conductive semiconductor layer and iii) a gap passivation layer interposed between i) the first layers and ii) the second layers, wherein the gap passivation layer has a thickness greater than the sum of the thicknesses of the first layers.

    摘要翻译： 公开了一种光电器件及其制造方法。 在一个实施例中，器件包括i）半导体衬底，ii）形成在半导体衬底的第一区域上的第一导电半导体层，以及iii）形成在第一导电半导体层上的第一透明导电层。 所述器件还可以包括i）形成在半导体衬底的第二区域上的第二导电半导体层，ii）形成在第二导电半导体层上的第二透明导电层，以及iii）插入在i）第一层之间的间隙钝化层 以及ii）所述第二层，其中所述间隙钝化层的厚度大于所述第一层的厚度之和。