公开(公告)号：US06534381B2

公开(公告)日：2003-03-18

申请号：US09476916

申请日：2000-01-04

申请人： Nathan W. Cheung ,  William G. En ,  Sharon N. Farrens ,  Mikhail Korolik

发明人： Nathan W. Cheung ,  William G. En ,  Sharon N. Farrens ,  Mikhail Korolik

IPC分类号： H01L2130

CPC分类号： H01L21/76251

摘要： A method for forming a multi-layered substrate. The method includes forming a compliant layer on a face of a first substrate (10). Joining the compliant layer against a face of a second substrate (20), where the compliant layer forms around a surface non-uniformity on the second substrate face.

摘要翻译： 一种形成多层基板的方法。 该方法包括在第一衬底（10）的表面上形成柔顺层。 将柔性层接合在第二衬底（20）的表面上，其中柔顺层围绕第二衬底面上的表面不均匀地形成。

公开(公告)号：US08590550B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12862091

申请日：2010-08-24

申请人： Mikhail Korolik ,  Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhaylichenko ,  Mike Ravkin ,  Fritz Redeker

发明人： Mikhail Korolik ,  Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhaylichenko ,  Mike Ravkin ,  Fritz Redeker

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B7/02 ,  C11D1/146 ,  C11D3/2079 ,  C11D9/02 ,  C11D17/0013 ,  C11D17/0017 ,  C23G1/18 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086

摘要： A substrate holder is defined to support a substrate. A rotating mechanism is defined to rotate the substrate holder. An applicator is defined to extend over the substrate holder to dispense a cleaning material onto a surface of the substrate when present on the substrate holder. The applicator is defined to apply a downward force to the cleaning material on the surface of the substrate. In one embodiment the cleaning material is gelatinous.

摘要翻译： 衬底支架限定为支撑衬底。 限定旋转机构以旋转衬底保持器。 施加器限定为在衬底保持器上延伸以在存在于衬底保持器上时将清洁材料分配到衬底的表面上。 施加器被限定为向衬底表面上的清洁材料施加向下的力。 在一个实施方案中，清洁材料是凝胶状的。

公开(公告)号：US08522799B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US11532493

申请日：2006-09-15

申请人： Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhaylichenko ,  Michael Ravkin ,  Mikhail Korolik ,  Fred C. Redeker ,  Clint Thomas ,  John Parks

发明人： Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhaylichenko ,  Michael Ravkin ,  Mikhail Korolik ,  Fred C. Redeker ,  Clint Thomas ,  John Parks

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/003 ,  B08B3/02

摘要： An apparatus for cleaning a substrate is disclosed. The apparatus having a first head unit and a second head unit. The first head unit is positioned proximate to the surface of the substrate and has a first row of channels defined within configured to supply a foam to the surface of the substrate. The second head unit is positioned substantially adjacent to the first head unit and proximate to the surface of the substrate. A second and a third row of channels are defined within the second head unit. The second row of channels is configured to supply a fluid to the surface of the substrate. The third row of channels is configured to apply a vacuum to the surface of the substrate.

摘要翻译： 公开了一种用于清洁衬底的设备。 该装置具有第一头单元和第二头单元。 第一头单元定位成接近基底的表面，并且具有限定在构造成向基底的表面提供泡沫的第一排通道。 第二头单元被定位成基本上与第一头单元相邻并且靠近衬底的表面。 第二和第三行通道被限定在第二头单元内。 第二排通道被配置成向衬底的表面提供流体。 第三排通道被配置为向基板的表面施加真空。

公开(公告)号：US08242067B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12862072

申请日：2010-08-24

申请人： Mikhail Korolik ,  Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhaylichenko ,  Mike Ravkin ,  Fritz Redeker

发明人： Mikhail Korolik ,  Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhaylichenko ,  Mike Ravkin ,  Fritz Redeker

IPC分类号： C11D1/04

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B7/02 ,  C11D1/146 ,  C11D3/2079 ,  C11D9/02 ,  C11D17/0013 ,  C11D17/0017 ,  C23G1/18 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086

摘要： A cleaning compound is disclosed for removing particulate contaminants from a semiconductor substrate surface. The cleaning compound includes a liquid and carboxylic acid solid components dispersed in a substantially uniform manner in the liquid. A concentration of the carboxylic acid solid components in the liquid exceeds a solubility limit of the carboxylic acid solid components in the liquid. In one embodiment, a concentration of the carboxylic acid solid components in the liquid is within a range extending from about 3 percent by weight to about 5 percent by weight. In one embodiment, the carboxylic acid solid components are defined by a carbon number of at least four. The carboxylic acid solid components are defined to interact with the particulate contaminants on the semiconductor substrate surface to remove the particulate contaminants from the semiconductor substrate surface. The cleaning compound is viscous and may be formed as a gel.

摘要翻译： 公开了用于从半导体衬底表面去除微粒污染物的清洁化合物。 清洁化合物包括以基本均匀的方式分散在液体中的液体和羧酸固体组分。 液体中羧酸固体组分的浓度超过了液体中羧酸固体组分的溶解度极限。 在一个实施方案中，液体中羧酸固体组分的浓度在约3重量％至约5重量％的范围内。 在一个实施方案中，羧酸固体组分由至少四个的碳数定义。 羧酸固体组分被定义为与半导体衬底表面上的颗粒污染物相互作用以从半导体衬底表面去除颗粒污染物。 清洁化合物是粘稠的并且可以形成为凝胶。

公开(公告)号：US20120145202A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13396047

申请日：2012-02-14

申请人： Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhay Iichenko ,  Michael Ravkin ,  Mikhail Korolik ,  Fred C. Redeker

发明人： Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhay Iichenko ,  Michael Ravkin ,  Mikhail Korolik ,  Fred C. Redeker

IPC分类号： B08B3/04

CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B7/02 ,  C11D3/2079 ,  C11D9/02 ,  C11D9/26 ,  C11D9/267 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0013 ,  C11D17/0017 ,  C23G1/18 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H05K3/26

摘要： A cleaning compound is provided. The cleaning compound includes about 0.1 weight percent to about 10 weight percent of a fatty acid dispersed in water. The cleaning compound includes an amount of a base sufficient to bring a pH of the fatty acid water solution to about a level where above about 50% of the dispersed fatty acid is ionized. A method for cleaning a substrate, a system for cleaning a substrate, and a cleaning solution prepared by a process are also provided.

摘要翻译： 提供清洁化合物。 清洁化合物包括分散在水中的约0.1重量％至约10重量％的脂肪酸​​。 清洁化合物包括一定量的足以使脂肪酸水溶液的pH达到大约50％的分散脂肪酸被离子化的水平的碱。 还提供了清洁基板的方法，用于清洁基板的系统以及通过工艺制备的清洁溶液。

公开(公告)号：US07939139B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US12624369

申请日：2009-11-23

申请人： Mike Ravkin ,  Mikhail Korolik ,  Mark Wilcoxson

发明人： Mike Ravkin ,  Mikhail Korolik ,  Mark Wilcoxson

IPC分类号： B05D1/36 ,  B05D7/00 ,  B08B3/00

CPC分类号： C25D5/08 ,  B82Y40/00 ,  C25D5/22 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25D17/02 ,  C25D21/10 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

摘要： Provided are methods for processing a substrate using a proximity system defined by one or more meniscus windows on one or more proximity heads. One method includes applying a first fluid meniscus to a surface of the substrate to apply a chemical precursor to the surface of the substrate. The first fluid meniscus is applied to first proximity meniscus window. Then, applying a second fluid meniscus to the surface of the substrate to leave an atomic layer of the chemical precursor on the surface of the substrate, through a second proximity meniscus window. A third fluid meniscus is applied to the surface of the substrate to apply a chemical reactant configured to react with the atomic layer of the chemical precursor to generate a layer of a material, through a third proximity meniscus window. The first, second and third proximity meniscus windows are arranged to apply the first fluid meniscus, the second fluid meniscus and the third fluid meniscus one after the other to a same location of the surface of the substrate during movement of the substrate through the proximity system.

摘要翻译： 提供了使用由一个或多个邻近头上的一个或多个弯液面窗口限定的接近系统来处理衬底的方法。 一种方法包括将第一流体弯月面施加到衬底的表面以将化学前体施加到衬底的表面。 第一流体弯液面被应用于第一接近弯月面窗口。 然后，将第二流体弯月面施加到衬底的表面，以通过第二接近弯月面窗口在衬底的表面上留下化学前体的原子层。 将第三流体弯液面施加到基底的表面，以施加配置成与化学前体的原子层反应以产生材料层的化学反应物，通过第三接近弯月面窗口。 第一，第二和第三接近弯液面窗口被布置成在衬底通过邻近系统移动期间将第一流体弯月面，第二流体弯月面和第三流体弯月面一个接一个地施加到衬底的表面的相同位置 。

公开(公告)号：US07862662B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11532491

申请日：2006-09-15

申请人： Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhaylichenko ,  Michael Ravkin ,  Mikhail Korolik ,  Fred C. Redeker

发明人： Erik M. Freer ,  John M. de Larios ,  Katrina Mikhaylichenko ,  Michael Ravkin ,  Mikhail Korolik ,  Fred C. Redeker

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B3/04 ,  B08B7/00 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/0013 ,  C11D17/0017 ,  G03F1/82 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67051

摘要： Methods for cleaning using a tri-state body are disclosed. A substrate having a particle deposited thereon is provided. A tri-state body that has a solid portion, liquid portion, and a gas portion is generated. A force is applied over the tri-state body to promulgate an interaction between the solid portion and the particle. The tri-state body is removed along with the particle from the surface of the substrate. The interaction between the solid portion and the particle causing the particle to be removed along with the tri-state body.

摘要翻译： 公开了使用三态体进行清洁的方法。 提供了沉积有颗粒的基板。 产生具有固体部分，液体部分和气体部分的三态体。 在三态体上施加力以发出固体部分和颗粒之间的相互作用。 将三态体与来自衬底表面的颗粒一起去除。 固体部分和颗粒之间的相互作用导致颗粒与三态体一起被去除。

公开(公告)号：US20100136788A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12699518

申请日：2010-02-03

申请人： Zhonghui Alex Wang ,  Tiruchirapalli Arunagiri ,  Fritz C. Redeker ,  Yezdi Dordi ,  John Boyd ,  Mikhail Korolik ,  Arthur M. Howald ,  William Thie ,  Praveen Nalla

发明人： Zhonghui Alex Wang ,  Tiruchirapalli Arunagiri ,  Fritz C. Redeker ,  Yezdi Dordi ,  John Boyd ,  Mikhail Korolik ,  Arthur M. Howald ,  William Thie ,  Praveen Nalla

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/02074

摘要： Methods for cleaning semiconductor wafers following chemical mechanical polishing are provided. An exemplary method exposes a wafer to a thermal treatment in an oxidizing environment followed by a thermal treatment in a reducing environment. The thermal treatment in the oxidizing environment both removes residues and oxidizes exposed copper surfaces to form a cupric oxide layer. The thermal treatment in the reducing environment then reduces the cupric oxide to elemental copper. This leaves the exposed copper clean and in condition for further processing, such as electroless plating.

摘要翻译： 提供了化学机械抛光后的半导体晶片清洗方法。 一种示例性方法将晶片暴露于氧化环境中的热处理，然后在还原环境中进行热处理。 在氧化环境中的热处理既去除残留物，又氧化暴露的铜表面以形成氧化铜层。 然后，在还原环境中的热处理将氧化铜还原为元素铜。 这使得暴露的铜清洁并进行进一步处理，例如化学镀。

公开(公告)号：US20090320884A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12555217

申请日：2009-09-08

申请人： Mikhail Korolik ,  John M. de Larios ,  Mike Ravkin ,  Jeffrey Farber

发明人： Mikhail Korolik ,  John M. de Larios ,  Mike Ravkin ,  Jeffrey Farber

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/67051 ,  C25D5/22 ,  C25D17/001 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67046 ,  Y10S134/902

摘要： A method for processing a substrate is provided which includes generating a fluid meniscus to process the substrate and applying the fluid meniscus to a surface of the substrate. The method further includes reducing evaporation of fluids from a surface in the substrate processing environment.

摘要翻译： 提供了一种用于处理衬底的方法，其包括产生流体弯月面以处理衬底并将流体弯月面施加到衬底的表面。 该方法还包括减少流体在基板处理环境中的表面的蒸发。

公开(公告)号：US07568490B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US10746114

申请日：2003-12-23

申请人： John M. de Larios ,  Mike Ravkin ,  Jeffrey Farber ,  Mikhail Korolik ,  Fritz Redeker ,  Aleksander Owczarz

发明人： John M. de Larios ,  Mike Ravkin ,  Jeffrey Farber ,  Mikhail Korolik ,  Fritz Redeker ,  Aleksander Owczarz

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： B08B3/003 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67046 ,  Y10S134/902

摘要： An apparatus and method are disclosed in which a semiconductor substrate having a surface containing contaminants is cleaned or otherwise subjected to chemical treatment using a foam. The semiconductor wafer is supported either on a stiff support (or a layer of foam) and foam is provided on the opposite surface of the semiconductor wafer while the semiconductor wafer is supported. The foam contacting the semiconductor wafer is pressurized using a form to produce a jammed foam. Relative movement between the form and the semiconductor wafer, such as oscillation parallel and/or perpendicular to the top surface of the semiconductor wafer, is then induced while the jammed foam is in contact with the semiconductor wafer to remove the undesired contaminants and/or otherwise chemically treat the surface of the semiconductor wafer using the foam.

摘要翻译： 公开了一种装置和方法，其中具有含有污染物的表面的半导体衬底被清洁或以其它方式用泡沫进行化学处理。 半导体晶片被支撑在刚性支撑件（或泡沫层）上，并且在半导体晶片被支撑的同时在半导体晶片的相对表面上提供泡沫。 接触半导体晶片的泡沫使用形式加压以产生卡住的泡沫。 然后，在卡住的泡沫与半导体晶片接触的同时，形成半导体晶片之间的相对运动（例如平行于和/或垂直于半导体晶片的顶表面的振荡），以除去不需要的污染物和/或以其他方式 使用泡沫化学处理半导体晶片的表面。