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    Memory device with adaptive capacity
    1.
    发明授权
    Memory device with adaptive capacity 有权
    具有适应能力的存储器件

    公开(公告)号：US08694859B2

    公开(公告)日：2014-04-08

    申请号：US13539920

    申请日：2012-07-02

    申请人： Ofir Shalvi ,  Dotan Sokolov ,  Ariel Maislos ,  Zeev Cohen ,  Eyal Gurgi ,  Gil Semo

    发明人： Ofir Shalvi ,  Dotan Sokolov ,  Ariel Maislos ,  Zeev Cohen ,  Eyal Gurgi ,  Gil Semo

    IPC分类号： G06F11/00

    CPC分类号： G11C16/349 ,  G06F2212/7205 ,  G06F2212/7206 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/565 ,  G11C11/5657 ,  G11C11/5671 ,  G11C11/5678 ,  G11C27/005 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5641

    摘要： A method for data storage in a memory that includes a plurality of analog memory cells includes estimating respective achievable storage capacities of the analog memory cells. The memory cells are assigned respective storage configurations defining quantities of data to be stored in the memory cells based on the estimated achievable capacities. The data is stored in the memory cells in accordance with the respective assigned storage configurations. The achievable storage capacities of the analog memory cells are re-estimated after the memory has been installed in a host system and used for storing the data in the host system. The storage configurations are modified responsively to the re-estimated achievable capacities.

    摘要翻译： 一种用于在包括多个模拟存储器单元的存储器中的数据存储的方法包括估计模拟存储器单元的各自可实现的存储容量。 根据估计的可实现的容量，为存储器单元分配相应的存储配置，其定义要存储在存储器单元中的数据量。 数据根据相应的分配的存储配置存储在存储器单元中。 在存储器已经安装在主机系统中并用于在主机系统中存储数据之后，重新估计模拟存储器单元的可实现的存储容量。 存储配置根据重新估计的可实现容量进行修改。

    Efficient data storage in multi-plane memory devices
    3.
    发明授权
    Efficient data storage in multi-plane memory devices 有权
    在多平面存储设备中高效的数据存储

    公开(公告)号：US08456905B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US12332370

    申请日：2008-12-11

    申请人： Yoav Kasorla ,  Eyal Gurgi ,  Dotan Sokolov ,  Ofir Shalvi

    发明人： Yoav Kasorla ,  Eyal Gurgi ,  Dotan Sokolov ,  Ofir Shalvi

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： G06F11/1072 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0607 ,  G06F2212/7208 ,  G11C29/52

    摘要： A method for data storage includes initially storing a sequence of data pages in a memory that includes multiple memory arrays, such that successive data pages in the sequence are stored in alternation in a first number of the memory arrays. The initially-stored data pages are rearranged in the memory so as to store the successive data pages in the sequence in a second number of the memory arrays, which is less than the first number. The rearranged data pages are read from the second number of the memory arrays.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括：首先将数据页序列存储在包括多个存储器阵列的存储器中，使得序列中的连续数据页被交替地存储在第一数量的存储器阵列中。 将初始存储的数据页重新排列在存储器中，以便将序列中的连续数据页存储在小于第一数量的第二数量的存储器阵列中。 从第二数量的存储器阵列中读取重新排列的数据页。

    Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays
    4.
    发明授权
    Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays 有权
    在模拟存储单元阵列中选择性地激活编程方案

    公开(公告)号：US08228701B2

    公开(公告)日：2012-07-24

    申请号：US12714501

    申请日：2010-02-28

    申请人： Dotan Sokolov ,  Naftali Sommer ,  Uri Perlmutter ,  Ofir Shalvi

    发明人： Dotan Sokolov ,  Naftali Sommer ,  Uri Perlmutter ,  Ofir Shalvi

    IPC分类号： G11C27/00

    CPC分类号： G11C27/005 ,  G11C7/02 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3418

    摘要： A method for data storage includes defining a first programming scheme that programs a group of analog memory cells while reducing interference caused by at least one memory cell that neighbors the group, and a second programming scheme that programs the group of the analog memory cells and does not reduce all of the interference reduced by the first programming scheme. One of the first and second programming schemes is selected based on a criterion defined with respect to the analog memory cells. Data is stored in the group of the analog memory cells using the selected programming scheme.

    摘要翻译： 一种用于数据存储的方法包括：定义第一编程方案，其编程一组模拟存储器单元，同时减少由与该组相邻的至少一个存储器单元引起的干扰;以及第二编程方案，其对该组模拟存储器单元进行编程 不能减少第一编程方案减少的所有干扰。 基于针对模拟存储器单元定义的标准来选择第一和第二编程方案之一。 使用所选择的编程方案将数据存储在模拟存储器单元的组中。

    Memory power and performance management
    5.
    发明授权
    Memory power and performance management 有权
    内存功耗和性能管理

    公开(公告)号：US07924648B2

    公开(公告)日：2011-04-12

    申请号：US11945575

    申请日：2007-11-27

    申请人： Dotan Sokolov ,  Ofir Shalvi

    发明人： Dotan Sokolov ,  Ofir Shalvi

    IPC分类号： G11C5/14

    CPC分类号： G06F1/3203 ,  G06F1/3275 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7202 ,  Y02D10/14

    摘要： A method for storage includes collecting information regarding respective performance characteristics of a plurality of memory units in a memory array, each memory unit including one or more cells of the memory array. When data are received for storage in the memory array, a memory unit is selected responsively to the respective performance characteristics, and the received data are stored in the selected memory unit.

    摘要翻译： 一种用于存储的方法包括收集有关存储器阵列中的多个存储器单元的各个性能特征的信息，每个存储器单元包括存储器阵列的一个或多个单元。 当接收到用于存储在存储器阵列中的数据时，响应于相应的性能特性来选择存储器单元，并且接收到的数据被存储在所选择的存储器单元中。

    READING MEMORY CELLS USING MULTIPLE THRESHOLDS
    6.
    发明申请
    READING MEMORY CELLS USING MULTIPLE THRESHOLDS 有权
    使用多个阈值读取记忆细胞

    公开(公告)号：US20100165730A1

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：US11995814

    申请日：2007-10-30

    申请人： Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi ,  Dotan Sokolov

    发明人： Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi ,  Dotan Sokolov

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G06F11/1068 ,  G11C8/20 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5642 ,  G11C27/005

    摘要： A method for operating a memory (28) includes storing data, which is encoded with an Error Correction Code (ECC), in analog memory cells (32) of the memory by writing respective analog input values selected from a set of nominal values to the analog memory cells. The stored data is read by performing multiple read operations that compare analog output values of the analog memory cells to different, respective read thresholds so as to produce multiple comparison results for each of the analog memory cells. At least two of the read thresholds are positioned between a pair of the nominal values that are adjacent to one another in the set of the nominal values. Soft metrics are computed responsively to the multiple comparison results. The ECC is decoded using the soft metrics, so as to extract the data stored in the analog memory cells.

    摘要翻译： 一种用于操作存储器（28）的方法包括：通过将从一组标称值中选择的相应模拟输入值写入到存储器的模拟存储器单元（32）中来存储用错误校正码（ECC）编码的数据， 模拟存储单元。 通过执行将模拟存储器单元的模拟输出值与不同的相应读取阈值进行比较的多个读取操作来读取存储的数据，以便为每个模拟存储器单元产生多个比较结果。 读取阈值中的至少两个位于在标称值的集合中彼此相邻的一对标称值之间。 响应于多个比较结果计算软度量。 使用软指标对ECC进行解码，以便提取存储在模拟存储单元中的数据。

    MEMORY DEVICE WITH INTERNAL SIGNAP PROCESSING UNIT
    7.
    发明申请
    MEMORY DEVICE WITH INTERNAL SIGNAP PROCESSING UNIT 有权
    具有内部信号处理单元的存储器件

    公开(公告)号：US20100131827A1

    公开(公告)日：2010-05-27

    申请号：US12597494

    申请日：2008-04-16

    申请人： Dotan Sokolov ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi ,  Uri Perlmutter

    发明人： Dotan Sokolov ,  Naftali Sommer ,  Ofir Shalvi ,  Uri Perlmutter

    IPC分类号： G11C29/52 ,  G11C27/00 ,  G06F12/00 ,  G06F11/10 ,  G06F12/16

    CPC分类号： G06F11/1072 ,  G06F11/1044 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1076 ,  G06F12/00 ,  G11C11/56 ,  G11C29/50004 ,  G11C29/52 ,  G11C2029/5004

    摘要： A method for operating a memory (36) includes storing data in a plurality of analog memory cells (40) that are fabricated on a first semiconductor die by writing input storage values to a group of the analog memory cells. After storing the data, multiple output storage values are read from each of the analog memory cells in the group using respective, different threshold sets of read thresholds, thus providing multiple output sets of the output storage values corresponding respectively to the threshold sets. The multiple output sets of the output storage values are preprocessed by circuitry (48) that is fabricated on the first semiconductor die, to produce preprocessed data. The preprocessed data is provided to a memory controller (28), which is fabricated on a second semiconductor die that is different from the first semiconductor die, so as to enable the memory controller to reconstruct the data responsively to the preprocessed data.

    摘要翻译： 一种用于操作存储器（36）的方法包括：通过将输入存储值写入到一组模拟存储器单元中，将数据存储在制造在第一半导体管芯上的多个模拟存储单元（40）中。 在存储数据之后，使用相应的不同的阈值集合读取组中每个模拟存储器单元的多个输出存储值，从而提供分别对应于阈值集合的输出存储值的多个输出组。 输出存储值的多个输出组由在第一半导体管芯上制造的电路（48）预处理，以产生预处理的数据。 预处理数据被提供给存储器控制器（28），该存储器控制器（28）被制造在与第一半导体管芯不同的第二半导体管芯上，以使得存储器控制器可以响应于预处理的数据来重建数据。

    COMBINED DISTORTION ESTIMATION AND ERROR CORRECTION CODING FOR MEMORY DEVICES
    8.
    发明申请
    COMBINED DISTORTION ESTIMATION AND ERROR CORRECTION CODING FOR MEMORY DEVICES 有权
    用于存储器件的组合失真估计和错误校正编码

    公开(公告)号：US20090024905A1

    公开(公告)日：2009-01-22

    申请号：US11996054

    申请日：2007-05-10

    申请人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer ,  Ariel Maislos ,  Dotan Sokolov

    发明人： Ofir Shalvi ,  Naftali Sommer ,  Ariel Maislos ,  Dotan Sokolov

    IPC分类号： G11C29/00 ,  G06F11/00

    CPC分类号： G06F11/1072

    摘要： A method for operating a memory device (24) includes encoding data using an Error Correction Code (ECC) and storing the encoded data as first analog values in respective analog memory cells (32) of the memory device. After storing the encoded data, second analog values are read from the respective memory cells of the memory device in which the encoded data were stored. At least some of the second analog values differ from the respective first analog values. A distortion that is present in the second analog values is estimated. Error correction metrics are computed with respect to the second analog values responsively to the estimated distortion. The second analog values are processed using the error correction metrics in an ECC decoding process, so as to reconstruct the data.

    摘要翻译： 一种用于操作存储器件（24）的方法包括使用纠错码（ECC）对数据进行编码，并将编码数据作为第一模拟值存储在存储器件的相应模拟存储单元（32）中。 在存储编码数据之后，从其中存储有编码数据的存储器件的相应存储单元读取第二模拟值。 至少一些第二模拟值与各自的第一模拟值不同。 估计存在于第二模拟值中的失真。 响应于估计的失真，相对于第二模拟值计算误差校正度量。 使用ECC解码处理中的纠错度量来处理第二模拟值，以重构数据。