公开(公告)号：US20060163083A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11038236

申请日：2005-01-21

申请人： Panayotis Andricacos ,  Donald Canaperi ,  Emanuel Cooper ,  John Cotte ,  Hariklia Deligianni ,  Laertis Economikos ,  Daniel Edelstein ,  Silvia Franz ,  Balasubramanian Pranatharthiharan ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Andrew Mansson ,  Erick Walton ,  Alan West ,  Caliopi Andricacos

发明人： Panayotis Andricacos ,  Donald Canaperi ,  Emanuel Cooper ,  John Cotte ,  Hariklia Deligianni ,  Laertis Economikos ,  Daniel Edelstein ,  Silvia Franz ,  Balasubramanian Pranatharthiharan ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Andrew Mansson ,  Erick Walton ,  Alan West ,  Caliopi Andricacos

IPC分类号： B23H3/00

CPC分类号： C25F3/02 ,  B23H5/08 ,  C09G1/04 ,  H01L21/32125

摘要： Methods and compositions for electro-chemical-mechanical polishing (e-CMP) of silicon chip interconnect materials, such as copper, are provided. The methods include the use of compositions according to the invention in combination with pads having various configurations.

摘要翻译： 提供了诸如铜之类的硅芯片互连材料的电化学机械抛光（e-CMP）的方法和组合物。 所述方法包括使用根据本发明的组合物与具有各种构型的垫组合。

公开(公告)号：US20100051474A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12548893

申请日：2009-08-27

申请人： Panayotis C. Andricacos ,  Caliopi Andricacos ,  Donald F. Canaperi ,  Emanuel I. Cooper ,  John M. Cotte ,  Hariklia Deligianni ,  Laertis Economikos ,  Daniel C. Edelstein ,  Silvia Franz ,  Balasubramanian Pranatharthiharan ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Andrew P. Mansson ,  Erick G. Walton ,  Alan C. West

发明人： Panayotis C. Andricacos ,  Caliopi Andricacos ,  Donald F. Canaperi ,  Emanuel I. Cooper ,  John M. Cotte ,  Hariklia Deligianni ,  Laertis Economikos ,  Daniel C. Edelstein ,  Silvia Franz ,  Balasubramanian Pranatharthiharan ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Andrew P. Mansson ,  Erick G. Walton ,  Alan C. West

IPC分类号： B23H5/06

CPC分类号： C25F3/02 ,  B23H5/08 ,  C09G1/04 ,  H01L21/32125

摘要： Methods and compositions for electro-chemical-mechanical polishing (e-CMP) of silicon chip interconnect materials, such as copper, are provided. The methods include the use of compositions according to the invention in combination with pads having various configurations.

摘要翻译： 提供了诸如铜之类的硅芯片互连材料的电化学机械抛光（e-CMP）的方法和组合物。 所述方法包括使用根据本发明的组合物与具有各种构型的垫组合。

公开(公告)号：US20060081885A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11228269

申请日：2005-10-26

申请人： Katherine Saenger ,  Cyril Cabral ,  Hariklia Deligianni ,  Panayotis Andricacos ,  Caliopi Andricacos ,  Philippe Vereecken ,  Emanuel Cooper

发明人： Katherine Saenger ,  Cyril Cabral ,  Hariklia Deligianni ,  Panayotis Andricacos ,  Caliopi Andricacos ,  Philippe Vereecken ,  Emanuel Cooper

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

摘要： Disclosed is a method for making a metal gate for a FET, wherein the metal gate comprises at least some material deposited by electroplating as well as an FET device comprising a metal gate that is at least partially plated. Further disclosed is a method for making a metal gate for a FET wherein the metal gate comprises at least some plated material and the method comprises the steps of: selecting a substrate having a top surface and a recessed region; conformally depositing a thin conductive seed layer on the substrate; and electroplating a filler gate metal on the seed layer to fill and overfill the recessed region.

摘要翻译： 公开了一种用于制造用于FET的金属栅极的方法，其中金属栅极包括通过电镀沉积的至少一些材料以及包括至少部分镀覆的金属栅极的FET器件。 还公开了一种用于制造用于FET的金属栅极的方法，其中金属栅极包括至少一些镀层材料，并且该方法包括以下步骤：选择具有顶表面和凹陷区域的衬底; 在衬底上共形沉积导电种子层; 并在种子层上电镀填充栅极金属以填充和覆盖凹陷区域。

公开(公告)号：US20060163055A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11050899

申请日：2005-01-27

申请人： Philippe Vereecken ,  Panayotis Andricacos ,  Hariklia Deligianni ,  Keith Kwietniak ,  Caliopi Andricacos

发明人： Philippe Vereecken ,  Panayotis Andricacos ,  Hariklia Deligianni ,  Keith Kwietniak ,  Caliopi Andricacos

IPC分类号： C25D21/12

CPC分类号： C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus for direct electroplating of a conductive material, such as copper, on resistive liners or substrates is provided. The apparatus includes an integrated in-situ measuring system to follow the actual progress of the front of the conductive material during plating. Feed-back of this information to a power supply allows for more precise control of the effective current density during plating.

摘要翻译： 提供了一种用于在电阻衬片或衬底上直接电镀诸如铜的导电材料的设备。 该装置包括一体化的原位测量系统，以跟踪电镀期间导电材料前部的实际进展。 将该信息反馈给电源允许在电镀期间更有效地控制有效电流密度。