公开(公告)号：US20070111420A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11309204

申请日：2006-07-13

申请人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

发明人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device comprising a substrate, a first type of metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor, a second type of MOS transistor, an etching stop layer, a first stress layer and a second stress layer is provided. The substrate has a first active region and a second active region. The first active region is isolated from the second active region through an isolation structure. The first type of MOS transistor is disposed in the first active region of the substrate; the second type of MOS transistor is disposed in the second active region of the substrate. The etching stop layer covers conformably the first type of MOS transistor, the second type of MOS transistor and the isolation structure. The first stress layer is disposed on the etching stop layer in the first active region and the second stress layer is disposed on the etching stop layer in the second active region.

摘要翻译： 一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包括衬底，第一类型的金属氧化物半导体（MOS）晶体管，第二类型的MOS晶体管，蚀刻停止层，第一应力层和第二应力层 被提供。 衬底具有第一有源区和第二有源区。 第一有源区通过隔离结构与第二有源区隔离。 第一类型的MOS晶体管设置在基板的第一有源区中; 第二类型的MOS晶体管设置在衬底的第二有源区中。 蚀刻停止层适合地覆盖第一类型的MOS晶体管，第二类型的MOS晶体管和隔离结构。 第一应力层设置在第一有源区中的蚀刻停止层上，第二应力层设置在第二有源区中的蚀刻停止层上。

公开(公告)号：US20070111452A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11164274

申请日：2005-11-16

申请人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

发明人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device comprising a substrate, a first type of metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor, a second type of MOS transistor, an etching stop layer, a first stress layer and a second stress layer is provided. The substrate has a first and a second active region. The first active region is isolated from the second active region through an isolation structure. The first type of MOS transistor is disposed in the first active region of the substrate and the second type of MOS transistor is disposed in the second active region of the substrate. The etching stop layer covers conformably the first type of MOS transistor, the second type of MOS transistor and the isolation structure. The first stress layer is disposed on the etching stop layer in the first active region and the second stress layer is disposed on the etching stop layer in the second active region.

摘要翻译： 一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包括衬底，第一类型的金属氧化物半导体（MOS）晶体管，第二类型的MOS晶体管，蚀刻停止层，第一应力层和第二应力层 被提供。 衬底具有第一和第二有源区。 第一有源区通过隔离结构与第二有源区隔离。 第一类型的MOS晶体管设置在衬底的第一有源区中，并且第二类型的MOS晶体管设置在衬底的第二有源区中。 蚀刻停止层适合地覆盖第一类型的MOS晶体管，第二类型的MOS晶体管和隔离结构。 第一应力层设置在第一有源区中的蚀刻停止层上，第二应力层设置在第二有源区中的蚀刻停止层上。

公开(公告)号：US07601587B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11924571

申请日：2007-10-25

申请人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

发明人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method of forming a metal-oxide-semiconductor (MOS) device is provided. The method includes the following steps. First, a conductive type MOS transistor is formed on a substrate. Then, a first etching stop layer is formed over the substrate to cover conformably the conductive type MOS transistor. Thereafter, a stress layer is formed over the first etching stop layer. Then, a second etching stop layer is formed over the stress layer.

摘要翻译： 提供一种形成金属氧化物半导体（MOS）器件的方法。 该方法包括以下步骤。 首先，在基板上形成导电型MOS晶体管。 然后，在基板上形成第一蚀刻停止层，以覆盖适形的导电型MOS晶体管。 此后，在第一蚀刻停止层上形成应力层。 然后，在应力层上形成第二蚀刻停止层。

公开(公告)号：US20080128831A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11930120

申请日：2007-10-31

申请人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

发明人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L27/00

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor comprising a conductive type MOS transistor, a first etching stop layer, a stress layer and a second etching stop layer is provided. The conductive MOS transistor is disposed on a substrate. The first etching stop layer is covered conformably the conductive type MOS transistor. Furthermore, the stress layer is disposed on the first etching stop layer. The second etching stop layer is disposed on the stress layer.

摘要翻译： 提供了包括导电型MOS晶体管，第一蚀刻停止层，应力层和第二蚀刻停止层的金属氧化物半导体（MOS）晶体管。 导电MOS晶体管设置在基板上。 第一蚀刻停止层被一致地覆盖导电型MOS晶体管。 此外，应力层设置在第一蚀刻停止层上。 第二蚀刻停止层设置在应力层上。

公开(公告)号：US20080096343A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11924571

申请日：2007-10-25

申请人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

发明人： Pei-Yu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L21/98

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method of forming a metal-oxide-semiconductor (MOS) device is provided. The method includes the following steps. First, a conductive type MOS transistor is formed on a substrate. Then, a first etching stop layer is formed over the substrate to cover conformably the conductive type MOS transistor. Thereafter, a stress layer is formed over the first etching stop layer. Then, a second etching stop layer is formed over the stress layer.

摘要翻译： 提供一种形成金属氧化物半导体（MOS）器件的方法。 该方法包括以下步骤。 首先，在基板上形成导电型MOS晶体管。 然后，在基板上形成第一蚀刻停止层，以覆盖适形的导电型MOS晶体管。 此后，在第一蚀刻停止层上形成应力层。 然后，在应力层上形成第二蚀刻停止层。

公开(公告)号：US07303962B2

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US11164274

申请日：2005-11-16

申请人： Pei-Tu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

发明人： Pei-Tu Chou ,  Min-Chieh Yang ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device comprising a substrate, a first type of metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor, a second type of MOS transistor, an etching stop layer, a first stress layer and a second stress layer is provided. The substrate has a first and a second active region. The first active region is isolated from the second active region through an isolation structure. The first type of MOS transistor is disposed in the first active region of the substrate and the second type of MOS transistor is disposed in the second active region of the substrate. The etching stop layer covers conformably the first type of MOS transistor, the second type of MOS transistor and the isolation structure. The first stress layer is disposed on the etching stop layer in the first active region and the second stress layer is disposed on the etching stop layer in the second active region.

摘要翻译： 一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包括衬底，第一类型的金属氧化物半导体（MOS）晶体管，第二类型的MOS晶体管，蚀刻停止层，第一应力层和第二应力层 被提供。 衬底具有第一和第二有源区。 第一有源区通过隔离结构与第二有源区隔离。 第一类型的MOS晶体管设置在衬底的第一有源区中，并且第二类型的MOS晶体管设置在衬底的第二有源区中。 蚀刻停止层适合地覆盖第一类型的MOS晶体管，第二类型的MOS晶体管和隔离结构。 第一应力层设置在第一有源区中的蚀刻停止层上，第二应力层设置在第二有源区中的蚀刻停止层上。

公开(公告)号：US09384962B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US13082387

申请日：2011-04-07

申请人： Guang-Yaw Hwang ,  Chun-Hsien Lin ,  Hung-Ling Shih ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Zhi-Cheng Lee ,  Shao-Hua Hsu ,  Yi-Wen Chen ,  Cheng-Guo Chen ,  Jung-Tsung Tseng ,  Chien-Ting Lin ,  Tong-Jyun Huang ,  Jie-Ning Yang ,  Tsung-Lung Tsai ,  Po-Jui Liao ,  Chien-Ming Lai ,  Ying-Tsung Chen ,  Cheng-Yu Ma ,  Wen-Han Hung ,  Che-Hua Hsu

发明人： Guang-Yaw Hwang ,  Chun-Hsien Lin ,  Hung-Ling Shih ,  Jiunn-Hsiung Liao ,  Zhi-Cheng Lee ,  Shao-Hua Hsu ,  Yi-Wen Chen ,  Cheng-Guo Chen ,  Jung-Tsung Tseng ,  Chien-Ting Lin ,  Tong-Jyun Huang ,  Jie-Ning Yang ,  Tsung-Lung Tsai ,  Po-Jui Liao ,  Chien-Ming Lai ,  Ying-Tsung Chen ,  Cheng-Yu Ma ,  Wen-Han Hung ,  Che-Hua Hsu

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7846

摘要： A method of manufacturing a metal gate is provided. The method includes providing a substrate. Then, a gate dielectric layer is formed on the substrate. A multi-layered stack structure having a work function metal layer is formed on the gate dielectric layer. An O2 ambience treatment is performed on at least one layer of the multi-layered stack structure. A conductive layer is formed on the multi-layered stack structure.

摘要翻译： 提供一种制造金属栅极的方法。 该方法包括提供基板。 然后，在基板上形成栅极电介质层。 在栅极电介质层上形成具有功函数金属层的多层堆叠结构。 在多层堆叠结构的至少一层上进行O2气氛处理。 在多层堆叠结构上形成导电层。

公开(公告)号：US08735268B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13165854

申请日：2011-06-22

申请人： Ching-Sen Lu ,  Wen-Han Hung ,  Tsai-Fu Chen ,  Tzyy-Ming Cheng

发明人： Ching-Sen Lu ,  Wen-Han Hung ,  Tsai-Fu Chen ,  Tzyy-Ming Cheng

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7847

摘要： A method for fabricating a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor includes the following steps. Firstly, a substrate is provided. A gate structure, a first spacer, a second spacer and a source/drain structure are formed over the substrate. The second spacer includes an inner layer and an outer layer. Then, a thinning process is performed to reduce the thickness of the second spacer, thereby retaining the inner layer of the second spacer. After a stress film is formed on the inner layer of the second spacer and the source/drain structure, an annealing process is performed. Afterwards, the stress film is removed.

摘要翻译： 一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 在衬底上形成栅极结构，第一间隔物，第二间隔物和源极/漏极结构。 第二间隔件包括内层和外层。 然后，进行减薄处理以减小第二间隔物的厚度，从而保持第二间隔物的内层。 在第二间隔物的内层和源极/漏极结构上形成应力膜之后，进行退火处理。 之后，去除应力膜。

公开(公告)号：US20120319214A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13161512

申请日：2011-06-16

申请人： Cheng-Yu Ma ,  Wen-Han Hung

发明人： Cheng-Yu Ma ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a metal gate includes the following steps. First, a substrate having an interfacial dielectric layer above the substrate is provided. Then, a gate trench having a barrier layer is formed in the interfacial dielectric layer. A source layer is disposed above the barrier layer. Next, a process is performed to have at least one element in the source layer move into the barrier layer. Finally, the barrier layer is removed and a metal layer fills up the gate trench.

摘要翻译： 一种制造金属栅极的方法包括以下步骤。 首先，提供在基板上方具有界面电介质层的基板。 然后，在界面电介质层中形成具有阻挡层的栅极沟槽。 源层设置在阻挡层上方。 接下来，执行处理以使源层中的至少一个元素移动到阻挡层中。 最后，去除阻挡层，并且金属层填满栅极沟槽。

公开(公告)号：US08211775B1

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US13043479

申请日：2011-03-09

申请人： Cheng-Yu Ma ,  Wen-Han Hung ,  Ta-Kang Lo ,  Tsai-Fu Chen ,  Tzyy-Ming Cheng

发明人： Cheng-Yu Ma ,  Wen-Han Hung ,  Ta-Kang Lo ,  Tsai-Fu Chen ,  Tzyy-Ming Cheng

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66553 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/513 ,  H01L29/6656

摘要： A method for forming a transistor having a metal gate is provided. A substrate is provided first. A transistor is formed on the substrate. The transistor includes a high-k gate dielectric layer, an oxygen containing dielectric layer disposed on the high-k gate dielectric layer, and a dummy gate disposed on the oxygen containing dielectric layer. Then, the dummy gate and the patterned gate dielectric layer are removed. Lastly, a metal gate is formed and the metal gate directly contacts the high-k gate oxide.

摘要翻译： 提供一种形成具有金属栅极的晶体管的方法。 首先提供基板。 在基板上形成晶体管。 晶体管包括高k栅极电介质层，设置在高k栅极电介质层上的含氧电介质层和设置在含氧电介质层上的伪栅极。 然后，去除伪栅极和图案化栅极电介质层。 最后，形成金属栅极，并且金属栅极直接接触高k栅极氧化物。