公开(公告)号：US20140174640A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US13918066

申请日：2013-06-14

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Xianyu WENXU ,  Jeong-yub LEE ,  Chang-youl MOON ,  Yong-young PARK ,  Woo-young YANG ,  Yong-sung KIM ,  Joo-ho LEE

IPC: B29C67/24

CPC classification number: B29C67/24 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/102 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: A method of transferring graphene includes forming a sacrificial layer and a graphene layer sequentially on a first substrate, bonding the graphene layer to a target layer, and removing the sacrificial layer using a laser and separating the first substrate from the graphene layer.

Abstract translation: 转移石墨烯的方法包括在第一基板上顺序地形成牺牲层和石墨烯层，将石墨烯层粘合到目标层，以及使用激光去除牺牲层并将第一基板与石墨烯层分离。

公开(公告)号：US20140117349A1

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：US13949588

申请日：2013-07-24

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Xianyu WENXU ,  Woo-young YANG ,  Chang-youl MOON ,  Yong-young PARK ,  Jeong-yub LEE

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/868

Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device using a metal oxide includes forming a metal oxide layer on a substrate, forming an amorphous semiconductor layer on the metal oxide layer, and forming a polycrystalline semiconductor layer by crystallizing the amorphous semiconductor layer using the metal oxide layer.

Abstract translation: 使用金属氧化物的半导体器件的制造方法包括在基板上形成金属氧化物层，在金属氧化物层上形成非晶半导体层，通过使用金属氧化物层使非晶半导体层结晶而形成多晶半导体层。

公开(公告)号：US20140110717A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：US13848281

申请日：2013-03-21

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Xianyu WENXU ,  Yeon-hee KIM ,  Chang-youl MOON ,  Yong-young PARK

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/2003

Abstract: A structure includes a silicon substrate, a plurality of silicon rods on the silicon substrate, a silicon layer on the plurality of silicon rods, and a GaN substrate on the silicon layer.

Abstract translation: 一种结构包括硅衬底，硅衬底上的多个硅棒，多个硅棒上的硅层，以及硅层上的GaN衬底。