公开(公告)号：US20120168761A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13343384

申请日：2012-01-04

申请人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Byoung Gon YU

发明人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Byoung Gon YU

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L33/50

CPC分类号： H01L51/5284 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/322 ,  H01L27/326 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are an active matrix organic light emitting diode and a method for manufacturing the same. The active matrix organic light emitting diode includes: a substrate; a black matrix formed above a part of the substrate; at least one thin film transistor formed above the black matrix; a passivation film formed to entirely cover the at least one thin film transistor; a planarizing layer formed above the passivation film; a color filter formed above an upper part of the planarizing layer opposite to the position where the at least one thin film transistor is formed; and an organic light emitting diode formed above the color filter.

摘要翻译： 公开了有源矩阵有机发光二极管及其制造方法。 有源矩阵有机发光二极管包括：基板; 形成在基板的一部分上方的黑色矩阵; 形成在黑矩阵上方的至少一个薄膜晶体管; 形成为完全覆盖所述至少一个薄膜晶体管的钝化膜; 形成在钝化膜上方的平坦化层; 形成在所述平坦化层的与形成有所述至少一个薄膜晶体管的位置相反的上方的滤色器; 以及形成在滤色器上方的有机发光二极管。

公开(公告)号：US20110249202A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US13080831

申请日：2011-04-06

申请人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun Hwang ,  Min Ki Ryu

发明人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun Hwang ,  Min Ki Ryu

IPC分类号： H04N5/66 ,  H04N3/14

CPC分类号： H04N5/63 ,  H04N5/64

摘要： A power reduction television with a photo frame is provided. The power reduction television includes a first display configured to display a first video image, a low power second display configured to display a second video image, and a display control unit configured to control the second display to display the second video image, when the first video image is not displayed through the first display.

摘要翻译： 提供带有相框的减速电视机。 功率降低电视包括被配置为显示第一视频图像的第一显示器，被配置为显示第二视频图像的低功率第二显示器，以及显示控制单元，被配置为当第一视频图像被显示时控制第二显示器显示第二视频图像 视频图像不会通过第一个显示屏显示。

公开(公告)号：US20110084274A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12967538

申请日：2010-12-14

申请人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Hye Yong CHU ,  Jeong Ik LEE

发明人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Hye Yong CHU ,  Jeong Ik LEE

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45529 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： Provided are a method of manufacturing a transparent N-doped p-type ZnO semiconductor layer using a surface chemical reaction between precursors containing elements constituting thin layers, and a thin film transistor (TFT) including the p-type ZnO semiconductor layer. The method includes the steps of: preparing a substrate and loading the substrate into a chamber; injecting a Zn precursor and an oxygen precursor into the chamber, and causing a surface chemical reaction between the Zn precursor and the oxygen precursor using an atomic layer deposition (ALD) technique to form a ZnO thin layer on the substrate; and injecting a Zn precursor and an nitrogen precursor into the chamber, and causing a surface chemical reaction between the Zn precursor and the nitrogen precursor to form a doping layer on the ZnO thin layer.

摘要翻译： 提供了使用包含构成薄层的元素的前体和包含p型ZnO半导体层的薄膜晶体管（TFT）之间的表面化学反应来制造透明N掺杂p型ZnO半导体层的方法。 该方法包括以下步骤：准备衬底并将衬底装载到腔室中; 将Zn前体和氧前体注入到室中，并且使用原子层沉积（ALD）技术在Zn前体和氧前体之间引起表面化学反应，以在衬底上形成ZnO薄层; 并将Zn前体和氮前体注入到室中，并且使Zn前体和氮前体之间的表面化学反应在ZnO薄层上形成掺杂层。

公开(公告)号：US20110049592A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12838878

申请日：2010-07-19

申请人： Sung Min YOON ,  Chun Won BYUN ,  Shin Hyuk YANG ,  Sang Hee PARK ,  Soon Won JUNG ,  Seung Youl KANG ,  Chi Sun HWANG ,  Byoung Gon YUN

发明人： Sung Min YOON ,  Chun Won BYUN ,  Shin Hyuk YANG ,  Sang Hee PARK ,  Soon Won JUNG ,  Seung Youl KANG ,  Chi Sun HWANG ,  Byoung Gon YUN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6684 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/78391

摘要： Provided are a nonvolatile memory cell and a method of manufacturing the same. The nonvolatile memory cell includes a memory transistor and a driver transistor. The memory transistor includes a semiconductor layer, a buffer layer, an organic ferroelectric layer, and a gate electrode, which are disposed on a substrate. The driver transistor includes the semiconductor layer, the buffer layer, a gate insulating layer, and the gate electrode, which are disposed on the substrate. The memory transistor and the driver transistor are disposed on the same substrate. The nonvolatile memory cell is transparent in a visible light region.

摘要翻译： 提供一种非易失性存储单元及其制造方法。 非易失性存储单元包括存储晶体管和驱动晶体管。 存储晶体管包括设置在基板上的半导体层，缓冲层，有机铁电层和栅极电极。 驱动晶体管包括设置在基板上的半导体层，缓冲层，栅极绝缘层和栅极电极。 存储晶体管和驱动晶体管设置在同一衬底上。 非易失性存储单元在可见光区域是透明的。

公开(公告)号：US20120032186A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13239810

申请日：2011-09-22

申请人： Jeong Ik LEE ,  Hye Yong CHU ,  Lee Mi DO ,  Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Yong Suk YANG ,  Sung Mook CHUNG

发明人： Jeong Ik LEE ,  Hye Yong CHU ,  Lee Mi DO ,  Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Yong Suk YANG ,  Sung Mook CHUNG

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L51/5036

摘要： Provided is a white organic light emitting device (OLED), including: a first electrode formed on a substrate; a hole transport layer formed on the first electrode; an emission layer formed on the hole transport layer; an electron transport layer formed on the emission layer; and an color control layer formed on at least one of the hole transport layer, the emission layer and the electron transport layer, and emitting green and/or red by energy transfer from the emission layer. The white OLED emits red, green and blue light with high efficiency, has excellent color reproducibility and a high color reproduction index.

摘要翻译： 提供了一种白色有机发光器件（OLED），包括：形成在衬底上的第一电极; 形成在所述第一电极上的空穴传输层; 形成在空穴传输层上的发光层; 形成在发光层上的电子传输层; 以及形成在空穴传输层，发射层和电子传输层中的至少一个上的颜色控制层，并且通过从发射层的能量转移发射绿色和/或红色。 白色OLED以高效率发出红色，绿色和蓝色光，具有优异的色彩再现性和高色彩再现指数。

公开(公告)号：US20080277656A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11970737

申请日：2008-01-08

申请人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Hye Yong CHU ,  Jeong Ik LEE

发明人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Hye Yong CHU ,  Jeong Ik LEE

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66969

摘要： Provided are a method of manufacturing a ZnO semiconductor layer for an electronic device, which can control the size of crystals of the ZnO semiconductor layer and the number of carriers using a surface chemical reaction between precursors, and a thin film transistor (TFT) including the ZnO semiconductor layer. The method includes: (a) loading a substrate into a chamber; (b) injecting a Zn precursor into the chamber to adsorb the Zn precursor on the substrate; (c) injecting an inert gas or N2 gas into the chamber to remove the remaining Zn precursor; (d) injecting an oxygen precursor into the chamber to cause a reaction between the oxygen precursor and the Zn precursor adsorbed on the substrate to form the ZnO semiconductor layer; (e) injecting the N2 gas or inert gas into the chamber to remove the remaining oxygen precursor; (f) repeating steps (a) through (e); (g) repeatedly processing the surface treatment of the ZnO semiconductor layer using O2 plasma or O3; (h) injecting the N2 gas or inert gas into the chamber to remove the remaining oxygen and Zn precursors; and (i) repeating steps (a) through (h) to control the thickness of the ZnO semiconductor layer. In this method, a transparent TFT is formed using a transparent substrate to enable manufacture of a transparent display device, and a flexible display device can be manufactured using a flexible substrate. Also, the crystallinity of the ZnO semiconductor layer can be increased to improve the mobility of a TFT, and the number of carriers can be controlled to reduce a leakage current. Therefore, a ZnO semiconductor having excellent characteristics can be manufactured.

摘要翻译： 提供一种制造电子器件的ZnO半导体层的方法，其可以使用前体之间的表面化学反应来控制ZnO半导体层的晶体的尺寸和载流子的数量，以及包括 ZnO半导体层。 该方法包括：（a）将衬底装载到腔室中; （b）将Zn前体注入到室中以将Zn前体吸附在基底上; （c）将惰性气体或N 2 O 2气体注入到室中以除去剩余的Zn前体; （d）将氧前体注入到所述室中以引起所述氧前体和所述衬底上吸附的所述Zn前体之间的反应以形成所述ZnO半导体层; （e）将N 2 N 2气体或惰性气体注入到室中以除去剩余的氧前体; （f）重复步骤（a）至（e）; （g）使用O 2等离子体或O 3 3重复处理ZnO半导体层的表面处理; （h）将N 2气体或惰性气体注入到室中以除去剩余的氧和Zn前体; 和（i）重复步骤（a）至（h）以控制ZnO半导体层的厚度。 在该方法中，使用透明基板形成透明TFT以能够制造透明显示装置，并且可以使用柔性基板制造柔性显示装置。 此外，可以增加ZnO半导体层的结晶度以提高TFT的迁移率，并且可以控制载流子数量以减少漏电流。 因此，可以制造具有优异特性的ZnO半导体。

公开(公告)号：US20080164476A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11970836

申请日：2008-01-08

申请人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Hye Yong CHU ,  Jeong Ik LEE

发明人： Sang Hee PARK ,  Chi Sun HWANG ,  Hye Yong CHU ,  Jeong Ik LEE

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45529 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： Provided are a method of manufacturing a transparent N-doped p-type ZnO semiconductor layer using a surface chemical reaction between precursors containing elements constituting thin layers, and a thin film transistor (TFT) including the p-type ZnO semiconductor layer. The method includes the steps of: preparing a substrate and loading the substrate into a chamber; injecting a Zn precursor and an oxygen precursor into the chamber, and causing a surface chemical reaction between the Zn precursor and the oxygen precursor using an atomic layer deposition (ALD) technique to form a ZnO thin layer on the substrate; and injecting a Zn precursor and an nitrogen precursor into the chamber, and causing a surface chemical reaction between the Zn precursor and the nitrogen precursor to form a doping layer on the ZnO thin layer.

摘要翻译： 提供了使用包含构成薄层的元素的前体和包含p型ZnO半导体层的薄膜晶体管（TFT）之间的表面化学反应来制造透明N掺杂p型ZnO半导体层的方法。 该方法包括以下步骤：准备衬底并将衬底装载到腔室中; 将Zn前体和氧前体注入到室中，并且使用原子层沉积（ALD）技术在Zn前体和氧前体之间引起表面化学反应，以在衬底上形成ZnO薄层; 并将Zn前体和氮前体注入到室中，并且使Zn前体和氮前体之间的表面化学反应在ZnO薄层上形成掺杂层。

公开(公告)号：US20140290735A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：US14226015

申请日：2014-03-26

申请人： Sang Hee PARK ,  Tae Joon KIM ,  Hun Hyu SONG

发明人： Sang Hee PARK ,  Tae Joon KIM ,  Hun Hyu SONG

IPC分类号： H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022425 ,  Y02E10/50

摘要： A composition for solar cell electrodes includes silver powder; a silver alloy (AgX) that includes silver (Ag) and a metal (X), the silver alloy having a eutectic point of about 150° C. to about 900° C.; a glass frit; and an organic vehicle

摘要翻译： 太阳能电池电极用组合物包括银粉; 包含银（Ag）和金属（X）的银合金（AgX），银合金具有约150℃至约900℃的共晶点。 玻璃料; 和有机车辆

公开(公告)号：US20140186994A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：US14107750

申请日：2013-12-16

申请人： Sang Hee PARK ,  Tae Joon KIM ,  Hun Gyu SONG

发明人： Sang Hee PARK ,  Tae Joon KIM ,  Hun Gyu SONG

IPC分类号： H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C8/18 ,  C03C8/22 ,  H01B1/16 ,  Y02E10/50

摘要： A composition for solar cell electrodes, a solar cell electrode prepared from the composition, and a method of manufacturing the same, the composition including silver powder; silver nitrate; glass frit; and an organic vehicle, wherein the silver nitrate is present in an amount of about 0.1 wt % to about 30 wt %, based on a total weight of the composition.

摘要翻译： 用于太阳能电池电极的组合物，由该组合物制备的太阳能电池电极及其制造方法，所述组合物包括银粉; 硝酸银; 玻璃料; 和有机载体，其中基于组合物的总重量，硝酸银的存在量为约0.1重量％至约30重量％。

公开(公告)号：US20140182672A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：US14107489

申请日：2013-12-16

申请人： Sang Hee PARK ,  Tae Joon KIM ,  Hun Gyu SONG

发明人： Sang Hee PARK ,  Tae Joon KIM ,  Hun Gyu SONG

IPC分类号： H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022425 ,  C03C8/18 ,  C03C8/22 ,  H01B1/16 ,  Y02E10/50

摘要： A composition for solar cell electrodes, a solar cell electrode prepared from the composition, a solar cell, and a method of manufacturing the same, the composition including silver powder; silver iodide; glass frit; and an organic vehicle, wherein the silver iodide is present in an amount of about 0.1 wt % to about 30 wt %, based on a total weight of the composition.

摘要翻译： 用于太阳能电池电极的组合物，由该组合物制备的太阳能电池电极，太阳能电池及其制造方法，所述组合物包括银粉; 碘化银; 玻璃料; 和有机载体，其中基于组合物的总重量，碘化银的存在量为约0.1重量％至约30重量％。