公开(公告)号：US20130125982A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13813011

申请日：2011-07-27

申请人： Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Norihiko Matsushima ,  Akio Yamamoto

发明人： Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Norihiko Matsushima ,  Akio Yamamoto

IPC分类号： H01L31/032

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： It is aimed to provide a photoelectric conversion device having high adhesion between a light-absorbing layer and an electrode layer as well as high photoelectric conversion efficiency. A photoelectric conversion device comprises a light-absorbing layer including a chalcopyrite-based compound semiconductor and oxygen. The light-absorbing layer includes voids therein. An atomic concentration of oxygen in the vicinity of the voids is higher than an average atomic concentration of oxygen in the light-absorbing layer.

摘要翻译： 旨在提供一种在光吸收层和电极层之间具有高粘附性的光电转换装置以及高的光电转换效率。 光电转换装置包括包含基于黄铜矿的化合物半导体和氧的光吸收层。 光吸收层包括其中的空隙。 空隙附近的氧原子浓度高于光吸收层中氧的平均原子浓度。

公开(公告)号：US20120319244A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13575916

申请日：2011-01-25

申请人： Seiji Oguri ,  Keizo Takeda ,  Koichiro Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Isamu Tanaka ,  Riichi Sasamori ,  Hiromitsu Ogawa

发明人： Seiji Oguri ,  Keizo Takeda ,  Koichiro Yamada ,  Kotaro Tanigawa ,  Isamu Tanaka ,  Riichi Sasamori ,  Hiromitsu Ogawa

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A method for manufacturing a semiconductor layer according to an embodiment of the present invention comprises preparing a first compound, preparing a second compound, making a semiconductor layer forming solution, and forming a semiconductor layer including a group compound by using this semiconductor layer forming solution. The first compound contains a first chalcogen-element-containing organic compound, a first Lewis base, a I-B group element, and a first III-B group element. The second compound contains an organic ligand and a second III-B group element. The semiconductor layer forming solution contains the first compound, the second compound, and an organic solvent.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案的半导体层的制造方法包括通过使用该半导体层形成溶液制备第一化合物，制备第二化合物，制备半导体层形成溶液，以及形成包含基团化合物的半导体层。 第一化合物含有第一含硫族元素的有机化合物，第一路易斯碱，I-B族元素和第一III-B族元素。 第二化合物含有有机配体和第二III-B族元素。 半导体层形成溶液含有第一化合物，第二化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：US08772826B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13701150

申请日：2011-05-30

申请人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

发明人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

IPC分类号： H01L29/88 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L31/0272 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541

摘要： It is an object to provide a photoelectric conversion device with high photoelectric conversion efficiency. The photoelectric conversion device includes an electrode layer, and a light absorbing layer located on the electrode layer. The light absorbing layer is comprised of a plurality of stacked semiconductor layers containing a chalcopyrite-based compound semiconductor. The semiconductor layers contain oxygen. A molar concentration of the oxygen in surfaces and their vicinities of the semiconductor layers where the semiconductor layers are stacked on each other is higher than average molar concentrations of the oxygen in the semiconductor layers.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有高光电转换效率的光电转换装置。 光电转换装置包括电极层和位于电极层上的光吸收层。 光吸收层由含有黄铜矿类化合物半导体的多个层叠半导体层构成。 半导体层含有氧。 半导体层彼此层叠的半导体层的表面的摩尔浓度及其附近的摩尔浓度高于半导体层中的氧的平均摩尔浓度。

公开(公告)号：US20130069187A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13701150

申请日：2011-05-30

申请人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

发明人： Hideaki Asao ,  Rui Kamada ,  Shuichi Kasai ,  Seiji Oguri ,  Isamu Tanaka ,  Nobuyuki Horiuchi ,  Kazumasa Umesato

IPC分类号： H01L31/0272

CPC分类号： H01L31/0272 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541

摘要： It is an object to provide a photoelectric conversion device with high photoelectric conversion efficiency. The photoelectric conversion device includes an electrode layer, and a light absorbing layer located on the electrode layer. The light absorbing layer is comprised of a plurality of stacked semiconductor layers containing a chalcopyrite-based compound semiconductor. The semiconductor layers contain oxygen. A molar concentration of the oxygen in surfaces and their vicinities of the semiconductor layers where the semiconductor layers are stacked on each other is higher than average molar concentrations of the oxygen in the semiconductor layers.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种具有高光电转换效率的光电转换装置。 光电转换装置包括电极层和位于电极层上的光吸收层。 光吸收层由含有黄铜矿类化合物半导体的多个层叠半导体层构成。 半导体层含有氧。 半导体层彼此层叠的半导体层的表面的摩尔浓度及其附近的摩尔浓度高于半导体层中的氧的平均摩尔浓度。

公开(公告)号：US20120288988A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13511983

申请日：2010-12-16

申请人： Seiichiro Inai ,  Daisuke Nishimura ,  Isamu Tanaka

发明人： Seiichiro Inai ,  Daisuke Nishimura ,  Isamu Tanaka

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/368

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor layer, a method for manufacturing a photoelectric conversion device, and a semiconductor layer forming solution which are able to easily manufacture a good semiconductor layer having a desired thickness. To accomplish this object, a starting solution containing a metallic element, a chalcogen organic compound and a Lewis base organic compound is initially produced. Next, heating the starting solution produces fine particles. The fine particles contain a metal chalcogenide which is a compound of the metallic element and a chalcogen element included in the chalcogen organic compound. A semiconductor layer is formed by using a semiconductor layer forming solution in which the fine particles are dispersed.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种能够容易地制造具有期望厚度的良好半导体层的半导体层制造方法，制造光电转换装置和半导体层形成溶液的方法。 为了实现这个目的，最初制备了含有金属元素，硫族元素有机化合物和路易斯碱有机化合物的起始溶液。 接下来，加热起始溶液产生细小颗粒。 细颗粒含有金属硫族化物，其是金属元素的化合物和包括在硫属有机化合物中的硫族元素元素。 通过使用其中分散有细颗粒的半导体层形成溶液形成半导体层。

公开(公告)号：US4460718A

公开(公告)日：1984-07-17

申请号：US469279

申请日：1983-02-24

申请人： Isamu Tanaka ,  Hitoshi Oka ,  Akira Tomizawa ,  Hiroshi Kikuchi

发明人： Isamu Tanaka ,  Hitoshi Oka ,  Akira Tomizawa ,  Hiroshi Kikuchi

IPC分类号： H05K3/28 ,  C08G59/00 ,  C08G59/40 ,  C08L63/00 ,  C09D11/00 ,  C09D11/02 ,  C09D11/10 ,  C09D163/00 ,  H05K3/18 ,  H05K3/42 ,  C08L63/02 ,  C08L63/04 ,  C08L63/08

CPC分类号： C08G59/4021 ,  C09D163/00 ,  H05K3/184

摘要： An epoxy resin composition comprising an epoxide compound, a guanidine compound, a filler, a thixotropic agent and an organic solvent and having a thixotropy index of 5 to 40 and a viscosity of 800 to 10,000 poises (at 20.degree. C.) is suitable for forming a resist film which is used in electroless metal plating with excellent heat resistance, solder resistance and corrosion resistance, and the like.

摘要翻译： 包含环氧化合物，胍化合物，填料，触变剂和有机溶剂并且具有5至40的触变指数和800至10,000泊的粘度（在20℃）的环氧树脂组合物适用于 在耐电镀性，耐焊接性，耐腐蚀性优异的无电镀金属电镀中形成抗蚀剂膜等。

公开(公告)号：US4310563A

公开(公告)日：1982-01-12

申请号：US197150

申请日：1980-10-15

申请人： Hitoshi Oka ,  Kenji Nakamura ,  Hitoshi Yokono ,  Tokio Isogai ,  Akira Matsuo ,  Osamu Miyazawa ,  Isamu Tanaka

发明人： Hitoshi Oka ,  Kenji Nakamura ,  Hitoshi Yokono ,  Tokio Isogai ,  Akira Matsuo ,  Osamu Miyazawa ,  Isamu Tanaka

IPC分类号： G01N27/333 ,  C23C18/16 ,  G01N27/30 ,  G01N27/416 ,  C23C3/02 ,  B05D1/18

CPC分类号： C23C18/1683

摘要： The pH of a chemical copper plating solution is exactly measured for a prolonged time by utilizing a copper oxide prepared by etching metallic copper in an 0.1-1 N inorganic acid then oxidizing the etched metallic copper in an aqueous 0.1-1 N alkali metal hydroxide solution as a main electrode for pH measurement or reducing agent concentration measurement in terms of pH.A combination of the pH measurement with well known procedures for measuring concentrations of cupric ions and a complexing agent exactly measures the pH and the concentrations of a reducing agent, cupric ions and a complexing agent for a continuation of longer time than the conventional procedures.

摘要翻译： 通过使用通过在0.1-1N无机酸中蚀刻金属铜制备的氧化铜，然后在0.1-1N的碱金属氢氧化物水溶液中氧化蚀刻的金属铜，化学镀铜溶液的pH被长时间精确地测量 作为用于pH测量的主要电极或根据pH的还原剂浓度测量。 用于测量铜离子浓度和络合剂的众所周知的测量方法的组合可以精确地测量还原剂，铜离子和络合剂的pH值和浓度，持续比常规方法更长的时间。

公开(公告)号：US09023680B2

公开(公告)日：2015-05-05

申请号：US13320895

申请日：2010-07-27

申请人： Seiichiro Inai ,  Yoshihide Okawa ,  Isamu Tanaka ,  Koichiro Yamada

发明人： Seiichiro Inai ,  Yoshihide Okawa ,  Isamu Tanaka ,  Koichiro Yamada

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/032 ,  H01L21/02 ,  H01L31/046

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A method for producing a compound semiconductor layer comprises dissolving a metal feedstock comprising at least one of a group I-B element and a group III-B element, in a metal state, in a mixed solvent comprising an organic compound containing a chalcogen element and a Lewis base organic compound to produce a solution for forming a semiconductor; forming a coat using the solution for forming a semiconductor; and heat-treating the coat.

摘要翻译： 一种制备化合物半导体层的方法包括将包含IB族元素和III-B族元素中的至少一种的金属原料以金属状态溶解在包含含有硫属元素和Lewis的有机化合物的混合溶剂中 碱性有机化合物以产生用于形成半导体的溶液; 使用用于形成半导体的溶液形成涂层; 并对外套进行热处理。

公开(公告)号：US20120070937A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13320895

申请日：2010-07-27

申请人： Seiichiro Inai ,  Yoshihide Okawa ,  Isamu Tanaka ,  Koichiro Yamada

发明人： Seiichiro Inai ,  Yoshihide Okawa ,  Isamu Tanaka ,  Koichiro Yamada

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01B1/02 ,  H01L21/208

CPC分类号： H01L31/0322 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A method for producing a compound semiconductor layer comprises dissolving a metal feedstock comprising at least one of a group I-B element and a group III-B element, in a metal state, in a mixed solvent comprising an organic compound containing a chalcogen element and a Lewis base organic compound to produce a solution for forming a semiconductor; forming a coat using the solution for forming a semiconductor; and heat-treating the coat.

摘要翻译： 一种制备化合物半导体层的方法包括将包含IB族元素和III-B族元素中的至少一种的金属原料以金属状态溶解在包含含有硫属元素和Lewis的有机化合物的混合溶剂中 碱性有机化合物以产生用于形成半导体的溶液; 使用用于形成半导体的溶液形成涂层; 并对外套进行热处理。

公开(公告)号：US20110244624A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13062494

申请日：2010-03-29

申请人： Isamu Tanaka ,  Seiichiro Inai ,  Yoshihide Okawa ,  Daisuke Nishimura ,  Sentaro Yamamoto

发明人： Isamu Tanaka ,  Seiichiro Inai ,  Yoshihide Okawa ,  Daisuke Nishimura ,  Sentaro Yamamoto

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： The production method of a photoelectric conversion device comprises the steps of adding a chalcogenide powder of a group-IIIB element to an organic solvent including a single source precursor containing a group-IB element, a group-IIIB element, and a chalcogen element to prepare a solution for forming a semiconductor, and forming a semiconductor containing a group-I-III-VI compound by use of the solution for forming a semiconductor.

摘要翻译： 光电转换装置的制造方法包括以下步骤：将IIIB族元素的硫族化物粉末添加到包含IB族元素，IIIB族元素和硫族元素元素的单一源前体的有机溶剂中，以制备 用于形成半导体的解决方案，以及通过使用用于形成半导体的溶液形成含有I-III-VI族化合物的半导体。