公开(公告)号：US08847286B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13349221

申请日：2012-01-12

申请人： Shiu-Ko Jangjian ,  Kei-Wei Chen ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang

发明人： Shiu-Ko Jangjian ,  Kei-Wei Chen ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1464

摘要： An image sensor includes a substrate having opposite first and second sides, a multilayer structure on the first side of the substrate, and a photo-sensitive element on the second side of the substrate. The photo-sensitive element is configured to receive light that is incident upon the first side and transmitted through the multilayer structure and the substrate. The multilayer structure includes first and second light transmitting layers. The first light transmitting layer is sandwiched between the substrate and the second light transmitting layer. The first light transmitting layer has a refractive index that is from 60% to 90% of a refractive index of the substrate. The second light transmitting layer has a refractive index that is lower than the refractive index of the first light transmitting layer and is from 40% to 70% of the refractive index of the substrate.

摘要翻译： 图像传感器包括具有相对的第一和第二侧的基板，在基板的第一侧上的多层结构和在基板的第二侧上的感光元件。 光敏元件被配置为接收入射在第一侧并透过多层结构和基板的光。 多层结构包括第一和第二透光层。 第一透光层夹在基板和第二透光层之间。 第一透光层的折射率为基板折射率的60％至90％。 第二透光层的折射率低于第一透光层的折射率，为基板的折射率的40％〜70％。

公开(公告)号：US20130193538A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13363280

申请日：2012-01-31

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/022433

摘要： An improved reflectivity optical grid for image sensors. In an embodiment, a backside illuminated CIS device includes a semiconductor substrate having a pixel array area comprising a plurality of photosensors formed on a front side surface of the semiconductor substrate, each of the photosensors forming a pixel in the pixel array area; an optical grid material disposed over a backside surface of the semiconductor substrate, the optical grid material patterned to form an optical grid that bounds each of the pixels in the pixel array area and extending above the semiconductor substrate, the optical grid having sidewalls and a top portion; and a highly reflective coating formed over the optical grid, comprising a pure metal coating of a metal that is at least 99% pure, and a high-k dielectric coating over the pure metal coating that has a refractive index of greater than about 2.0. Methods are also disclosed.

摘要翻译： 用于图像传感器的改进的反射光栅。 在一个实施例中，背面照明的CIS器件包括具有像素阵列区域的半导体衬底，该像素阵列区域包括形成在半导体衬底的前侧表面上的多个光电传感器，每个光电传感器在像素阵列区域中形成像素; 设置在半导体衬底的背侧表面上的光栅格材料，所述光栅格材料被图案化以形成限定像素阵列区域中的每个像素并在半导体衬底上方延伸的光栅，所述光栅具有侧壁和顶部 一部分; 以及形成在光栅上的高反射涂层，包括纯金属的纯金属涂层，其纯度至少为99％，纯金属涂层上的高k电介质涂层具有大于约2.0的折射率。 还公开了方法。

公开(公告)号：US08772899B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13409924

申请日：2012-03-01

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/02

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14687

摘要： Methods and apparatus for a backside illuminated (BSI) image sensor device are disclosed. A BSI sensor device is formed on a substrate comprising a photosensitive diode. The substrate may be thinned at the backside, then a B doped Epi-Si(Ge) layer may be formed on the backside surface of the substrate. Additional layers may be formed on the B doped Epi-Si(Ge) layer, such as a metal shield layer, a dielectric layer, a micro-lens, and a color filter.

摘要翻译： 公开了用于背面照明（BSI）图像传感器装置的方法和装置。 在包括感光二极管的基板上形成BSI传感器装置。 衬底可以在背面变薄，则可以在衬底的背面上形成B掺杂的Epi-Si（Ge）层。 另外的层可以形成在B掺杂的Epi-Si（Ge）层上，例如金属屏蔽层，电介质层，微透镜和滤色器。

公开(公告)号：US20130228886A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13409924

申请日：2012-03-01

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14687

摘要： Methods and apparatus for a backside illuminated (BSI) image sensor device are disclosed. A BSI sensor device is formed on a substrate comprising a photosensitive diode. The substrate may be thinned at the backside, then a B doped Epi-Si(Ge) layer may be formed on the backside surface of the substrate. Additional layers may be formed on the B doped Epi-Si(Ge) layer, such as a metal shield layer, a dielectric layer, a micro-lens, and a color filter.

摘要翻译： 公开了用于背面照明（BSI）图像传感器装置的方法和装置。 在包括感光二极管的基板上形成BSI传感器装置。 衬底可以在背面变薄，则可以在衬底的背面上形成B掺杂的Epi-Si（Ge）层。 另外的层可以形成在B掺杂的Epi-Si（Ge）层上，例如金属屏蔽层，电介质层，微透镜和滤色器。

公开(公告)号：US09356059B2

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：US13352980

申请日：2012-01-18

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

摘要： A device includes semiconductor substrate having a front side and a backside. A polysilicon layer is disposed on the backside of the semiconductor substrate. The polysilicon layer includes a portion doped with a p-type impurity. A dielectric layer is disposed on the backside of the semiconductor substrate, wherein the polysilicon layer is between the semiconductor substrate and the polysilicon layer.

摘要翻译： 一种器件包括具有正面和背面的半导体衬底。 多晶硅层设置在半导体衬底的背面。 多晶硅层包括掺杂有p型杂质的部分。 电介质层设置在半导体衬底的背面，其中多晶硅层位于半导体衬底和多晶硅层之间。

公开(公告)号：US08890273B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13363280

申请日：2012-01-31

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/022433

摘要： An improved reflectivity optical grid for image sensors. In an embodiment, a backside illuminated CIS device includes a semiconductor substrate having a pixel array area comprising a plurality of photosensors formed on a front side surface of the semiconductor substrate, each of the photosensors forming a pixel in the pixel array area; an optical grid material disposed over a backside surface of the semiconductor substrate, the optical grid material patterned to form an optical grid that bounds each of the pixels in the pixel array area and extending above the semiconductor substrate, the optical grid having sidewalls and a top portion; and a highly reflective coating formed over the optical grid, comprising a pure metal coating of a metal that is at least 99% pure, and a high-k dielectric coating over the pure metal coating that has a refractive index of greater than about 2.0. Methods are also disclosed.

摘要翻译： 用于图像传感器的改进的反射光栅。 在一个实施例中，背面照明的CIS器件包括具有像素阵列区域的半导体衬底，该像素阵列区域包括形成在半导体衬底的前侧表面上的多个光电传感器，每个光电传感器在像素阵列区域中形成像素; 设置在半导体衬底的背侧表面上的光栅格材料，所述光栅格材料被图案化以形成限定像素阵列区域中的每个像素并在半导体衬底上方延伸的光栅，所述光栅具有侧壁和顶部 一部分; 以及形成在光栅上的高反射涂层，包括纯金属的纯金属涂层，其纯度至少为99％，纯金属涂层上的高k电介质涂层具有大于约2.0的折射率。 还公开了方法。

公开(公告)号：US20130153901A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13352980

申请日：2012-01-18

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Kei-Wei Chen ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L31/0368 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

摘要： A device includes semiconductor substrate having a front side and a backside. A polysilicon layer is disposed on the backside of the semiconductor substrate. The polysilicon layer includes a portion doped with a p-type impurity. A dielectric layer is disposed on the backside of the semiconductor substrate, wherein the polysilicon layer is between the semiconductor substrate and the polysilicon layer.

摘要翻译： 一种器件包括具有正面和背面的半导体衬底。 多晶硅层设置在半导体衬底的背面。 多晶硅层包括掺杂有p型杂质的部分。 介电层设置在半导体衬底的背面，其中多晶硅层位于半导体衬底和多晶硅层之间。

公开(公告)号：US20070205516A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US11364088

申请日：2006-03-01

申请人： Kei-Wei Chen ,  Sheng-Wen Chen ,  Shiu-Ko Jangjian ,  Shih-Ho Lin ,  Hung-Jui Chang ,  Yu-Ku Lin ,  Ying-Lang Wang

发明人： Kei-Wei Chen ,  Sheng-Wen Chen ,  Shiu-Ko Jangjian ,  Shih-Ho Lin ,  Hung-Jui Chang ,  Yu-Ku Lin ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Low-k dielectric layer, semiconductor device, and method for fabricating the same. The low-k dielectric layer comprises a hardened sub-layer sandwiched by two low-k dielectric sub-layers. The hardened sub-layer is formed by a method comprising bombarding the underlying low-k dielectric sub-layer utilizing hydrogen plasma or inert gas plasma. The semiconductor device comprises the low-k dielectric layer overlying an etch stop layer overlying a substrate, and a conductive material embedded in the dielectric layer and the etch stop layer, electrically connecting to the substrate.

摘要翻译： 低k电介质层，半导体器件及其制造方法。 低k电介质层包括夹在两个低k电介质子层之间的硬化子层。 硬化的子层通过利用氢等离子体或惰性气体等离子体轰击下面的低k电介质子层的方法形成。 半导体器件包括覆盖衬底上的蚀刻停止层的低k电介质层，以及电连接到衬底的埋入电介质层和蚀刻停止层中的导电材料。

公开(公告)号：US20130193540A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13436364

申请日：2012-03-30

申请人： Miao-Cheng Liao ,  Jinn-Kwei Liang ,  Wen-Chieh Hsieh ,  Shiu-Ko JangJian ,  Hsiang Hsiang Ko ,  Ying-Lang Wang

发明人： Miao-Cheng Liao ,  Jinn-Kwei Liang ,  Wen-Chieh Hsieh ,  Shiu-Ko JangJian ,  Hsiang Hsiang Ko ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A method for reducing dark current in image sensors comprises providing a backside illuminated image sensor wafer, depositing a first passivation layer on a backside of the backside illuminated image sensor wafer, depositing a plasma enhanced passivation layer on the first passivation layer and depositing a second passivation layer on the plasma enhanced passivation layer.

摘要翻译： 一种用于减小图像传感器中的暗电流的方法包括提供背面照射的图像传感器晶片，在背面照射的图像传感器晶片的背面上沉积第一钝化层，在第一钝化层上沉积等离子体增强的钝化层并沉积第二钝化层 层上的等离子体增强钝化层。

公开(公告)号：US07611589B2

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：US11072114

申请日：2005-03-04

申请人： Jun Wu ,  Dong-Xuan Lu ,  Shih-Chi Lin ,  Wen-Long Lee ,  Yi-An Jian ,  Guang-Cheng Wang ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chyi-Tsong Ni ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang

发明人： Jun Wu ,  Dong-Xuan Lu ,  Shih-Chi Lin ,  Wen-Long Lee ,  Yi-An Jian ,  Guang-Cheng Wang ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chyi-Tsong Ni ,  Szu-An Wu ,  Ying-Lang Wang

IPC分类号： B08B3/02 ,  B08B1/04

CPC分类号： B08B1/04 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67051

摘要： A method for spin-on wafer cleaning. The method comprises controlling spin speed and vertical water jet pressure. The vertical jet pressure and the spin speed are substantially maintained in inverse proportion. Wafer spin speed is between 50 to 1200 rpm. Vertical wafer jet pressure is between 0.05 to 100 KPa.

摘要翻译： 旋转晶片清洗的方法。 该方法包括控制旋转速度和垂直喷水压力。 垂直喷射压力和旋转速度基本保持成反比例。 晶圆转速在50至1200rpm之间。 垂直晶片喷射压力为0.05至100KPa。