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    Dual damascene process using a low k interlayer for forming vias and trenches
    2.
    发明授权
    Dual damascene process using a low k interlayer for forming vias and trenches 失效
    使用低k中间层形成通孔和沟槽的双镶嵌工艺

    公开(公告)号：US06518171B1

    公开(公告)日：2003-02-11

    申请号：US09967125

    申请日：2001-09-27

    申请人： Steven N. Towle

    发明人： Steven N. Towle

    IPC分类号： H01L21469

    CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L2221/1031

    摘要： Dual-Damascene processes for difficult to etch low k dielectric such as carbon-doped oxide. First deposition of dielectric is made to thickness of vias only, then etched. Second depositions of dielectric is made to thickness of conductor and then etched.

    摘要翻译： 用于难以蚀刻低k电介质（如碳掺杂氧化物）的双镶嵌工艺。 首先将电介质淀积到通孔的厚度，然后进行蚀刻。 对导体的厚度进行第二次沉积，然后蚀刻。

    Optical thumbtack
    4.
    发明授权
    Optical thumbtack 失效
    光学图钉

    公开(公告)号：US06792179B2

    公开(公告)日：2004-09-14

    申请号：US10334749

    申请日：2002-12-31

    申请人： Daoqiang Lu ,  Gilroy J. Vandentop ,  Steven N. Towle ,  Henning Braunisch

    发明人： Daoqiang Lu ,  Gilroy J. Vandentop ,  Steven N. Towle ,  Henning Braunisch

    IPC分类号： G02B632

    CPC分类号： G02B6/43 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/181

    摘要： An optical or optoelectroronic component is mounted to a substrate, and an optical thumbtack is inserted into a through-hole of the substrate. The optical thumbtack is positioned to receive light from or send light to the optical or optoelectronic component and provide a conditioned, for example collimated or focused, beam. The optical thumbtack comprises a lens portion, a spacer portion, and a foot portion. Light may enter the thumbtack from either direction.

    摘要翻译： 将光学或光电元件安装到基板上，并将光学图钉插入基板的通孔中。 光学图钉被定位成从光学或光电子部件接收光或发光，并提供经调理的例如准直或聚焦的光束。 光学图钉包括透镜部分，间隔部分和脚部分。 光可以从任一方向进入图钉。

    Healing of micro-cracks in an on-chip dielectric
    6.
    发明授权
    Healing of micro-cracks in an on-chip dielectric 失效
    在芯片电介质中修复微裂纹

    公开(公告)号：US06806168B2

    公开(公告)日：2004-10-19

    申请号：US10306357

    申请日：2002-11-27

    申请人： Steven N. Towle ,  Anna M. George

    发明人： Steven N. Towle ,  Anna M. George

    IPC分类号： H01L2146

    CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/3124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

    摘要： In one embodiment there is provided a method comprising performing a singulation operation on a wafer; and treating the wafer to at least reduce a propagation of micro-cracks formed in the wafer during the singulation. In another embodiment there is provided a semi-conductor die comprising a substrate having a central first portion, and a peripheral second portion around the central first portion; an integrated circuit formed on the central first portion; and a guard ring disposed between the first and second portions of the substrate to prevent a propagation of micro-cracks formed in the second portion into the first portion, the micro-cracks having been formed during a singulation operation to separate the semiconductor die from a wafer, wherein the second portion includes micro-cracks filled with a crack-healing material to arrest propagation of the micro-cracks beyond the ring and into the central first portion.

    摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种方法，包括在晶片上执行单工操作; 并且在分离期间处理晶片以至少减少在晶片中形成的微裂纹的传播。 在另一个实施例中，提供了一种半导体管芯，其包括具有中心第一部分的基底和围绕中心第一部分的周边第二部分; 形成在所述中央第一部分上的集成电路; 以及设置在基板的第一和第二部分之间的保护环，以防止在第二部分中形成的微裂纹扩展到第一部分中，在单工操作期间形成的微裂纹将半导体管芯从 晶片，其中第二部分包括填充有裂纹修复材料的微裂纹，以阻止微裂纹扩展超过环并进入中心第一部分。

    Semiconductor device with boron containing carbon doped silicon oxide layer
    8.
    发明授权
    Semiconductor device with boron containing carbon doped silicon oxide layer 有权
    具有含硼碳掺杂氧化硅层的半导体器件

    公开(公告)号：US06762435B2

    公开(公告)日：2004-07-13

    申请号：US10458003

    申请日：2003-06-09

    申请人： Steven N. Towle

    发明人： Steven N. Towle

    IPC分类号： H01L31256

    CPC分类号： C23C16/401 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/30

    摘要： A method of forming a carbon doped oxide layer on a substrate is described. That method comprises introducing into a chemical vapor deposition apparatus a source of carbon, silicon, boron, and oxygen. That apparatus is then operated under conditions that cause a boron containing carbon doped oxide layer to form on the substrate.

    摘要翻译： 描述了在基板上形成碳掺杂氧化物层的方法。 该方法包括向化学气相沉积设备中引入碳源，硅，硼和氧源。 然后在使基底上形成含硼的碳掺杂氧化物层的条件下运行该装置。

    Method for making a carbon doped oxide dielectric material
    9.
    发明授权
    Method for making a carbon doped oxide dielectric material 有权
    制造碳掺杂氧化物电介质材料的方法

    公开(公告)号：US06436822B1

    公开(公告)日：2002-08-20

    申请号：US09717519

    申请日：2000-11-20

    申请人： Steven N. Towle

    发明人： Steven N. Towle

    IPC分类号： H01L2144

    CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  Y10S438/931

    摘要： A method of forming a carbon doped oxide dielectric material on a substrate is described. That method comprises introducing into a chemical vapor deposition apparatus an alkyl oxysilane precursor. That apparatus is then operated under conditions that cause a carbon doped oxide to form on the substrate, while maintaining the substrate temperature at less than about 200° C.

    摘要翻译： 描述了在衬底上形成碳掺杂氧化物电介质材料的方法。 该方法包括将化学气相沉积设备引入烷基氧基硅烷前体。 然后在保持基板温度低于约200℃的条件下使该装置在导致在基底上形成碳掺杂氧化物的条件下运行。