公开(公告)号：US20140286369A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：US14240433

申请日：2012-08-30

申请人： Simeon Katz ,  Bastian Galler ,  Martin Strassburg ,  Matthias Sabathil ,  Philipp Drechsel ,  Werner Bergbauer ,  Martin Mandl

发明人： Simeon Katz ,  Bastian Galler ,  Martin Strassburg ,  Matthias Sabathil ,  Philipp Drechsel ,  Werner Bergbauer ,  Martin Mandl

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01S5/34333

摘要： An optoelectronic device having an active layer that includes a multiplicity of structural elements spaced apart from one another laterally, wherein the structural elements each have a quantum well structure including at least one barrier layer composed of Inx1Aly1Ga1-x1-y1N, wherein 0≦x1≦1, 0≦y1≦1 and x1+y1≦1, and at least one quantum well layer composed of Inx2Aly2Ga1-x2-y2N, wherein 0≦x2≦1, 0≦y2≦1 and x2+y2≦1.

摘要翻译： 一种具有活性层的光电子器件，该有源层包括多个相互间隔开的结构元件，其中所述结构元件各自具有包括至少一个由In x Al 1 Al 1 Ga 1-x 1-y 1 N构成的势垒层的量子阱结构，其中0＆nlE; x1＆nlE; 1，0＆nlE; y1＆nlE; 1和x1 + y1＆nlE; 1以及由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N组成的至少一个量子阱层，其中0＆nlE; x2＆nlE; 1,0＆lt; 1; y2＆nlE; 1和x2 + y2＆

公开(公告)号：US09059353B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US14240433

申请日：2012-08-30

申请人： Simeon Katz ,  Bastian Galler ,  Martin Strassburg ,  Matthias Sabathil ,  Philipp Drechsel ,  Werner Bergbauer ,  Martin Mandl

发明人： Simeon Katz ,  Bastian Galler ,  Martin Strassburg ,  Matthias Sabathil ,  Philipp Drechsel ,  Werner Bergbauer ,  Martin Mandl

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/42 ,  H01L33/24 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01S5/34333

摘要： An optoelectronic device having an active layer that includes a multiplicity of structural elements spaced apart from one another laterally, wherein the structural elements each have a quantum well structure including at least one barrier layer composed of Inx1Aly1Ga1-x1-y1N, wherein 0≦x1≦1, 0≦y1≦1 and x1+y1≦1, and at least one quantum well layer composed of Inx2Aly2Ga1-x2-y2N, wherein 0≦x2≦1, 0≦y2≦1 and x2+y2≦1.

摘要翻译： 一种具有活性层的光电子器件，该有源层包括多个相互间隔开的结构元件，其中所述结构元件各自具有包括至少一个由In x Al 1 Al 1 Ga 1-x 1-y 1 N构成的势垒层的量子阱结构，其中0＆nlE; x1＆nlE; 1，0＆nlE; y1＆nlE; 1和x1 + y1＆nlE; 1以及由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N组成的至少一个量子阱层，其中0＆nlE; x2＆nlE; 1,0＆lt; 1; y2＆nlE; 1和x2 + y2＆

公开(公告)号：US20130193450A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13696602

申请日：2011-04-29

申请人： Werner Bergbauer ,  Lutz Höppel ,  Philipp Drechsel ,  Christopher Kölper ,  Martin Strassburg ,  Patrick Rode

发明人： Werner Bergbauer ,  Lutz Höppel ,  Philipp Drechsel ,  Christopher Kölper ,  Martin Strassburg ,  Patrick Rode

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L31/02 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/50

摘要： An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor layer stack and a radiation exit face or radiation entrance face, wherein the semiconductor layer stack includes an active layer that generates or receives electromagnetic radiation, and a plurality of nanostructures arranged in the semiconductor layer stack and/or on the radiation exit or entrance face, at least some of the nanostructures including at least one substructure.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括半导体层堆叠和辐射出射面或辐射入射面，其中半导体层堆叠包括产生或接收电磁辐射的有源层，和布置在半导体层堆叠中和/或之上的多个纳米结构 辐射出口或入射面，至少一些纳米结构包括至少一个子结构。

公开(公告)号：US08884311B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13696602

申请日：2011-04-29

申请人： Werner Bergbauer ,  Lutz Höppel ,  Philipp Drechsel ,  Christopher Kölper ,  Martin Straβburg ,  Patrick Rode

发明人： Werner Bergbauer ,  Lutz Höppel ,  Philipp Drechsel ,  Christopher Kölper ,  Martin Straβburg ,  Patrick Rode

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/24

CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L31/02 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/50

摘要： An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor layer stack and a radiation exit face or radiation entrance face, wherein the semiconductor layer stack includes an active layer that generates or receives electromagnetic radiation, and a plurality of nanostructures arranged in the semiconductor layer stack and/or on the radiation exit or entrance face, at least some of the nanostructures including at least one substructure.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括半导体层堆叠和辐射出射面或辐射入射面，其中半导体层堆叠包括产生或接收电磁辐射的有源层，和布置在半导体层堆叠中和/或之上的多个纳米结构 辐射出口或入射面，至少一些纳米结构包括至少一个子结构。

公开(公告)号：US20130221369A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13825842

申请日：2011-09-26

申请人： Werner Bergbauer ,  Patrick Rode ,  Martin Strassburg

发明人： Werner Bergbauer ,  Patrick Rode ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/12 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463

摘要： An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor layer stack consisting of a nitride compound semiconductor material on a carrier substrate, wherein the carrier substrate includes a surface containing silicon. The semiconductor layer stack includes a recess extending from a back of the semiconductor layer stack through an active layer to a layer of a first conductivity type. The layer of the first conductivity type connects electrically to a first electrical connection layer which covers at least a portion of the back through the recess. The layer of a second conductivity type connects electrically to a second electrical connection layer arranged at the back.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括由载体衬底上的氮化物化合物半导体材料组成的半导体层堆叠，其中载体衬底包括含硅的表面。 半导体层堆叠包括从半导体层堆叠的背面通过有源层延伸到第一导电类型的层的凹部。 第一导电类型的层电连接到通过凹部覆盖背部的至少一部分的第一电连接层。 第二导电类型的层电连接到布置在后面的第二电连接层。

公开(公告)号：US08823034B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13825842

申请日：2011-09-26

申请人： Werner Bergbauer ,  Patrick Rode ,  Martin Straβburg

发明人： Werner Bergbauer ,  Patrick Rode ,  Martin Straβburg

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463

摘要： An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor layer stack consisting of a nitride compound semiconductor material on a carrier substrate, wherein the carrier substrate includes a surface containing silicon. The semiconductor layer stack includes a recess extending from a back of the semiconductor layer stack through an active layer to a layer of a first conductivity type. The layer of the first conductivity type connects electrically to a first electrical connection layer which covers at least a portion of the back through the recess. The layer of a second conductivity type connects electrically to a second electrical connection layer arranged at the back.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括由载体衬底上的氮化物化合物半导体材料组成的半导体层堆叠，其中载体衬底包括含硅的表面。 半导体层堆叠包括从半导体层堆叠的背面通过有源层延伸到第一导电类型的层的凹部。 第一导电类型的层电连接到通过凹部覆盖背部的至少一部分的第一电连接层。 第二导电类型的层电连接到布置在后面的第二电连接层。