公开(公告)号：US08362506B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12678259

申请日：2008-08-27

申请人： Patrick Rode ,  Karl Engl ,  Martin Strassburg ,  Lutz Hoeppel ,  Matthias Sabathil

发明人： Patrick Rode ,  Karl Engl ,  Martin Strassburg ,  Lutz Hoeppel ,  Matthias Sabathil

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/30

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/007 ,  H01L33/40 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0091

摘要： An optoelectronic semiconductor body includes a substrate with a front side for emitting electromagnetic radiation. The optoelectronic semiconductor body has a semiconductor layer sequence that is arranged on a rear side of the substrate and has an active layer suitable for generating the electromagnetic radiation. The optoelectronic semiconductor body also includes first and second electrical connection layers that are arranged on a first surface of the semiconductor body that faces away from the substrate.

摘要翻译： 光电子半导体本体包括具有用于发射电磁辐射的前侧的衬底。 光电半导体本体具有布置在衬底的后侧上的半导体层序列，并且具有适于产生电磁辐射的有源层。 光电子半导体本体还包括布置在半导体本体的远离衬底的第一表面上的第一和第二电连接层。

公开(公告)号：US20120287958A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13515226

申请日：2010-11-11

申请人： Alfred Lell ,  Martin Strassburg

发明人： Alfred Lell ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01S5/4043 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087

摘要： A laser diode assembly comprising a semiconductor substrate; (2; 101; 201; 301; 72), at least two laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99), each having one active zone; (6, 12; 105, 109, 113; 207, 213; 307, 311; 76, 82, 88), and at least one translucent ohmic contact (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85), wherein the laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) and the translucent ohmic contact (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) are monolithically deposited on the semiconductor substrate (2; 101; 201; 301; 72), wherein the laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) are electrically connected by the translucent ohmic contact (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85), and wherein laser diodes (26a, 26b, 27a, 27b; 36a, 36b, 37a, 37b; 46a, 46b, 47a, 47b; 66a, 66b, 67a, 67b; 94a, 94b, 95a, 95b, 96a, 96b) that are formed from the laser stacks (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) form a two-dimensional structure.

摘要翻译： 一种激光二极管组件，包括半导体衬底; （2; 101; 201; 301; 72），至少两个激光堆叠（17,18; 117,118,119; 217,218; 317,318; 97,98,99），每个具有一个活动区域; （6; 12; 105,109,113; 207,213; 307,311; 76,82,88）和至少一个半透明欧姆接触件（9; 107,111; 204,210; 304,309; 85），其中所述激光器叠层（17,18; 117,118,119; 217,218; 317,318; 97,98,99）和所述半透明欧姆接触件（9; 107,111; 204,210; 304， 在所述半导体衬底（2; 101; 201; 301; 72）上整体沉积所述激光器叠层（17,18; 117,118,119; 217,218; 317,318; （9; 107,111; 204,210; 304,309; 79,85）电连接激光二极管（26a，26b，27a，27b; 36a，36b，37a） ，由激光堆（17,18; 117,118,119; 217）形成的，37b; 46a，46b，47a，47b; 66a，66b，67a，67b; 94a，94b，95a，95b，96a，96b） ，218; 317,318; 97,98,99）形成二维结构。

公开(公告)号：US08907359B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13124707

申请日：2009-09-16

申请人： Martin Strassburg ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Ulrich Zehnder ,  Tetsuya Taki ,  Andreas Leber ,  Rainer Butendeich ,  Thomas Bauer

发明人： Martin Strassburg ,  Lutz Höppel ,  Matthias Peter ,  Ulrich Zehnder ,  Tetsuya Taki ,  Andreas Leber ,  Rainer Butendeich ,  Thomas Bauer

IPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor component comprising a semiconductor layer sequence (3) based on a nitride compound semiconductor and containing an n-doped region (4), a p-doped region (8) and an active zone (5) arranged between the n-doped region (4) and the p-doped region (8) is specified. The p-doped region (8) comprises a p-type contact layer (7) composed of InxAlyGa1-x-yN where 0≦x≦1, 0≦y≦1 and x+y≦1. The p-type contact layer (7) adjoins a connection layer (9) composed of a metal, a metal alloy or a transparent conductive oxide, wherein the p-type contact layer (7) has first domains (1) having a Ga-face orientation and second domains (2) having an N-face orientation at an interface with the connection layer (9).

摘要翻译： 一种光电子半导体部件，包括基于氮化物化合物半导体的半导体层序列（3），并且包含n掺杂区域（4），p掺杂区域（8）和有源区域（5） 区域（4）和p掺杂区域（8）。 p掺杂区域（8）包括由In x Al y Ga 1-x-y N组成的p型接触层（7），其中0和nlE; x和nlE; 1,0和nlE; y和nlE; 1和x + y和nlE; 1。 p型接触层（7）与由金属，金属合金或透明导电氧化物构成的连接层（9）相邻，其中p型接触层（7）具有第一畴（1） 面取向和在与连接层（9）的界面处具有N面取向的第二域（2）。

公开(公告)号：US08643034B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12920317

申请日：2009-02-25

申请人： Karl Engl ,  Frank Singer ,  Patrick Rode ,  Lutz Hoeppel ,  Martin Strassburg

发明人： Karl Engl ,  Frank Singer ,  Patrick Rode ,  Lutz Hoeppel ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L29/207

CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor body comprises a semiconductor layer sequence which is subdivided into at least two electrically isolated subsegments. The semiconductor layer sequence has an active layer in each subarea. Furthermore, at least three electrical contact pads are provided. A first line level makes contact with a first of the at least two subsegments and with the first contact pad. A second line level makes contact with the second of the at least two subsegments and with a second contact pad. A third line level connects the two subsegments to one another and makes contact with the third contact pad. Furthermore, the line levels are each arranged opposite a first main face, wherein the first main face is intended to emit electromagnetic radiation that is produced.

摘要翻译： 光电半导体主体包括半导体层序列，其被细分为至少两个电隔离的子区段。 半导体层序列在每个子区域中具有活性层。 此外，提供至少三个电接触垫。 第一线路级别与至少两个子片段中的第一个以及与第一接触焊盘接触。 第二线路级别与至少两个子段中的第二线路接触并且与第二接触焊盘接触。 第三线路电平将两个子段彼此连接并与第三接触焊盘接触。 此外，线路电平各自布置成与第一主面对置，其中第一主面面用于发射产生的电磁辐射。

公开(公告)号：US08314415B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US12668386

申请日：2008-06-20

申请人： Martin Strassburg ,  Lutz Hoeppel ,  Matthias Sabathil ,  Matthias Peter ,  Uwe Strauss

发明人： Martin Strassburg ,  Lutz Hoeppel ,  Matthias Sabathil ,  Matthias Peter ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

摘要： A radiation-emitting semiconductor body includes a contact layer and an active zone. The semiconductor body has a tunnel junction arranged between the contact layer and the active zone. The active zone has a multi-quantum well structure containing at least two active layers that emit electromagnetic radiation when an operating current is impressed into the semiconductor body.

摘要翻译： 辐射发射半导体本体包括接触层和有源区。 半导体本体具有布置在接触层和有源区之间的隧道结。 有源区具有包含至少两个有源层的多量子阱结构，当工作电流被施加到半导体本体中时，其发射电磁辐射。

公开(公告)号：US20120086026A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US12920313

申请日：2009-02-25

申请人： Karl Engl ,  Patrick Rode ,  Lutz Hoeppel ,  Martin Strassburg

发明人： Karl Engl ,  Patrick Rode ,  Lutz Hoeppel ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： An optoelectronic semiconductor body comprises a substantially planar semiconductor layer sequence having a first and a second main side, which has an active layer suitable for generating electromagnetic radiation. Furthermore, the semiconductor body comprises at least one trench that severs the active layer of the semiconductor layer sequence and serves for subdividing the active of the semiconductor layer sequence into at least two electrically insulated active partial layers. A first and second connection layer arranged on a second main side serve for making contact with the active partial layers. In this case, the first and second connection layers for making contact with the at least two active partial layers are electrically conductively connected to one another in such a way that the active partial layers form a series circuit.

摘要翻译： 光电子半导体本体包括具有第一和第二主侧的基本上平面的半导体层序列，其具有适于产生电磁辐射的有源层。 此外，半导体本体包括至少一个沟槽，其切断半导体层序列的有源层并且用于将半导体层序列的有源分为至少两个电绝缘的有源部分层。 布置在第二主侧上的第一和第二连接层用于与活性部分层接触。 在这种情况下，用于与至少两个有源部分层接触的第一和第二连接层彼此导电连接，使得有源部分层形成串联电路。

公开(公告)号：US20110215295A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13123410

申请日：2009-10-19

申请人： Hans-Jurgen Lugauer ,  Klaus Streubel ,  Martin Strassburg ,  Reiner Windisch ,  Karl Engl

发明人： Hans-Jurgen Lugauer ,  Klaus Streubel ,  Martin Strassburg ,  Reiner Windisch ,  Karl Engl

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/30

CPC分类号： H01L33/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

摘要： A method of producing a radiation-emitting thin film component includes providing a substrate, growing nanorods on the substrate, growing a semiconductor layer sequence with at least one active layer epitaxially on the nanorods, applying a carrier to the semiconductor layer sequence, and detaching the semiconductor layer sequence and the carrier from the substrate by at least partial destruction of the nanorods.

摘要翻译： 一种制造辐射发射薄膜部件的方法包括提供衬底，在衬底上生长纳米棒，在纳米棒上外延生长具有至少一个活性层的半导体层序列，向半导体层序列施加载体，并将 半导体层序列和载体通过纳米棒的至少部分破坏从衬底。

公开(公告)号：US20080073655A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11901666

申请日：2007-09-17

申请人： Tony Albrecht ,  Georg Bruderl ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Martin Strassburg

发明人： Tony Albrecht ,  Georg Bruderl ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/02363 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/1231 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip comprises a growth substrate with a structured growth area (2) having a multiplicity of elevations (4) and depressions (3), and an active layer sequence (5) applied to the growth area (2).

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括具有多个高度（4）和凹陷（3）的结构化生长区域（2）的生长衬底和应用于生长区域（2）的活性层序列（5）。

公开(公告)号：US09059353B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US14240433

申请日：2012-08-30

申请人： Simeon Katz ,  Bastian Galler ,  Martin Strassburg ,  Matthias Sabathil ,  Philipp Drechsel ,  Werner Bergbauer ,  Martin Mandl

发明人： Simeon Katz ,  Bastian Galler ,  Martin Strassburg ,  Matthias Sabathil ,  Philipp Drechsel ,  Werner Bergbauer ,  Martin Mandl

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/42 ,  H01L33/24 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01S5/34333

摘要： An optoelectronic device having an active layer that includes a multiplicity of structural elements spaced apart from one another laterally, wherein the structural elements each have a quantum well structure including at least one barrier layer composed of Inx1Aly1Ga1-x1-y1N, wherein 0≦x1≦1, 0≦y1≦1 and x1+y1≦1, and at least one quantum well layer composed of Inx2Aly2Ga1-x2-y2N, wherein 0≦x2≦1, 0≦y2≦1 and x2+y2≦1.

摘要翻译： 一种具有活性层的光电子器件，该有源层包括多个相互间隔开的结构元件，其中所述结构元件各自具有包括至少一个由In x Al 1 Al 1 Ga 1-x 1-y 1 N构成的势垒层的量子阱结构，其中0＆nlE; x1＆nlE; 1，0＆nlE; y1＆nlE; 1和x1 + y1＆nlE; 1以及由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N组成的至少一个量子阱层，其中0＆nlE; x2＆nlE; 1,0＆lt; 1; y2＆nlE; 1和x2 + y2＆

公开(公告)号：US20130328066A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13883346

申请日：2011-11-02

申请人： Matthias Sabathil ,  Alexander Linkov ,  Christopher Kölper ,  Martin Strassburg ,  Norwin von Malm

发明人： Matthias Sabathil ,  Alexander Linkov ,  Christopher Kölper ,  Martin Strassburg ,  Norwin von Malm

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L33/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0083

摘要： An optoelectronic semiconductor chip includes a semiconductor layer stack having an active layer that generates radiation, and a radiation emission side, and a conversion layer disposed on the radiation emission side of the semiconductor layer stack, wherein the conversion layer converts at least a portion of the radiation, which is emitted by the active layer, into radiation of a different wavelength, the radiation emission side of the semiconductor layer stack has a first nanostructuring, and the conversion layer is disposed in this first nanostructuring.

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括具有产生辐射的有源层和辐射发射侧的半导体层堆叠和设置在半导体层堆叠的辐射发射侧的转换层，其中转换层将至少一部分 由有源层发射的辐射成为不同波长的辐射，半导体层堆叠的辐射发射侧具有第一纳米结构，并且转换层设置在该第一纳米结构中。