公开(公告)号：US08871650B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13646113

申请日：2012-10-05

申请人： Srinivas D. Nemani ,  Nicolas J. Bright ,  Thorsten B. Lill ,  Yifeng Zhou ,  Jamie Saephan ,  Ellie Yieh

发明人： Srinivas D. Nemani ,  Nicolas J. Bright ,  Thorsten B. Lill ,  Yifeng Zhou ,  Jamie Saephan ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1063

摘要： Post etch treatments (PETs) of low-k dielectric films are described. For example, a method of patterning a low-k dielectric film includes etching a low-k dielectric layer disposed above a substrate with a first plasma process. The etching involves forming a fluorocarbon polymer on the low-k dielectric layer. The low-k dielectric layer is surface-conditioned with a second plasma process. The surface-conditioning removes the fluorocarbon polymer and forms an Si—O-containing protecting layer on the low-k dielectric layer. The Si—O-containing protecting layer is removed with a third plasma process.

摘要翻译： 描述了低k电介质膜的后蚀刻处理（PET）。 例如，图案化低k电介质膜的方法包括用第一等离子体工艺蚀刻设置在衬底上方的低k电介质层。 蚀刻涉及在低k电介质层上形成碳氟聚合物。 低k电介质层用第二等离子体工艺进行表面调节。 表面处理除去碳氟聚合物，并在低k电介质层上形成含有Si-O的保护层。 用第三等离子体工艺除去含Si-O的保护层。

公开(公告)号：US20130109187A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13646113

申请日：2012-10-05

申请人： Srinivas D. Nemani ,  Nicolas J. Bright ,  Thorsten B. Lill ,  Yifeng Zhou ,  Jamie Saephan ,  Ellie Yieh

发明人： Srinivas D. Nemani ,  Nicolas J. Bright ,  Thorsten B. Lill ,  Yifeng Zhou ,  Jamie Saephan ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1063

摘要： Post etch treatments (PETs) of low-k dielectric films are described. For example, a method of patterning a low-k dielectric film includes etching a low-k dielectric layer disposed above a substrate with a first plasma process. The etching involves forming a fluorocarbon polymer on the low-k dielectric layer. The low-k dielectric layer is surface-conditioned with a second plasma process. The surface-conditioning removes the fluorocarbon polymer and forms an Si—O-containing protecting layer on the low-k dielectric layer. The Si—O-containing protecting layer is removed with a third plasma process.

摘要翻译： 描述了低k电介质膜的后蚀刻处理（PET）。 例如，图案化低k电介质膜的方法包括用第一等离子体工艺蚀刻设置在衬底上方的低k电介质层。 蚀刻涉及在低k电介质层上形成碳氟聚合物。 低k电介质层用第二等离子体工艺进行表面调节。 表面处理除去碳氟聚合物，并在低k电介质层上形成含有Si-O的保护层。 用第三等离子体工艺除去含Si-O的保护层。

公开(公告)号：US20130023122A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13187304

申请日：2011-07-20

申请人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

发明人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76826

摘要： Methods of multiple patterning of low-k dielectric films are described. For example, a method includes forming and patterning a first mask layer above a low-k dielectric layer, the low-k dielectric layer disposed above a substrate. A second mask layer is formed and patterned above the first mask layer. A pattern of the second mask layer is transferred at least partially into the low-k dielectric layer by modifying first exposed portions of the low-k dielectric layer with a first plasma process and removing the modified portions of the low-k dielectric layer. Subsequently, a pattern of the first mask layer is transferred at least partially into the low-k dielectric layer by modifying second exposed portions of the low-k dielectric layer with a second plasma process and removing the modified portions of the low-k dielectric layer.

摘要翻译： 描述了低k电介质膜的多次图案化方法。 例如，一种方法包括在低k电介质层上形成和图案化第一掩模层，低k电介质层设置在衬底之上。 第二掩模层在第一掩模层之上形成并图案化。 通过用第一等离子体处理修改低k电介质层的第一暴露部分并去除低k电介质层的修改部分，将第二掩模层的图案至少部分地转移到低k电介质层中。 随后，通过用第二等离子体处理修改低k电介质层的第二暴露部分，将第一掩模层的图案至少部分地转移到低k电介质层中，并且去除低k电介质层的修饰部分 。

公开(公告)号：US08741775B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13187224

申请日：2011-07-20

申请人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

发明人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： Methods of patterning low-k dielectric films are described. For example, a method includes forming and patterning a mask layer above a low-k dielectric layer, the low-k dielectric layer disposed above a substrate. Exposed portions of the low-k dielectric layer are modified with a plasma process. The modified portions of the low-k dielectric layer are removed selective to the mask layer and unmodified portions of the low-k dielectric layer.

摘要翻译： 描述了低k介电膜图案的方法。 例如，一种方法包括在低k电介质层之上形成和图案化掩模层，低k电介质层设置在衬底之上。 低等离子体介质层的露出部分用等离子体工艺进行改性。 低k电介质层的修改部分被选择性地去除低k电介质层的掩模层和未修饰部分。

公开(公告)号：US08940642B2

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：US13187304

申请日：2011-07-20

申请人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

发明人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76826

摘要： Methods of multiple patterning of low-k dielectric films are described. For example, a method includes forming and patterning a first mask layer above a low-k dielectric layer, the low-k dielectric layer disposed above a substrate. A second mask layer is formed and patterned above the first mask layer. A pattern of the second mask layer is transferred at least partially into the low-k dielectric layer by modifying first exposed portions of the low-k dielectric layer with a first plasma process and removing the modified portions of the low-k dielectric layer. Subsequently, a pattern of the first mask layer is transferred at least partially into the low-k dielectric layer by modifying second exposed portions of the low-k dielectric layer with a second plasma process and removing the modified portions of the low-k dielectric layer.

摘要翻译： 描述了低k电介质膜的多次图案化方法。 例如，一种方法包括在低k电介质层上形成和图案化第一掩模层，低k电介质层设置在衬底之上。 第二掩模层在第一掩模层之上形成并图案化。 通过用第一等离子体处理修改低k电介质层的第一暴露部分并去除低k电介质层的修改部分，将第二掩模层的图案至少部分地转移到低k电介质层中。 随后，通过用第二等离子体处理修改低k电介质层的第二暴露部分，将第一掩模层的图案至少部分地转移到低k电介质层中，并且去除低k电介质层的修饰部分 。

公开(公告)号：US20130023124A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13187224

申请日：2011-07-20

申请人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

发明人： Srinivas D. Nemani ,  Yifeng Zhou ,  Dmitry Lubomirsky ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： Methods of patterning low-k dielectric films are described. For example, a method includes forming and patterning a mask layer above a low-k dielectric layer, the low-k dielectric layer disposed above a substrate. Exposed portions of the low-k dielectric layer are modified with a plasma process. The modified portions of the low-k dielectric layer are removed selective to the mask layer and unmodified portions of the low-k dielectric layer.

摘要翻译： 描述了低k介电膜图案的方法。 例如，一种方法包括在低k电介质层之上形成和图案化掩模层，低k电介质层设置在衬底之上。 低等离子体介质层的露出部分用等离子体工艺进行改性。 低k电介质层的修改部分被选择性地去除低k电介质层的掩模层和未修饰部分。

公开(公告)号：US20110151590A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12846664

申请日：2010-07-29

申请人： James D. Carducci ,  Srinivas D. Nemani ,  Hairong Tang ,  Hui Sun ,  Igor Markovsky ,  Ezra R. Gold ,  Iwalani S. Kaya ,  Ellie Y. Yieh ,  Chunlei Zhang ,  Kenneth S. Collins ,  Michael D. Armacost ,  Ajit Balakrishna ,  Thorsten B. Lill

发明人： James D. Carducci ,  Srinivas D. Nemani ,  Hairong Tang ,  Hui Sun ,  Igor Markovsky ,  Ezra R. Gold ,  Iwalani S. Kaya ,  Ellie Y. Yieh ,  Chunlei Zhang ,  Kenneth S. Collins ,  Michael D. Armacost ,  Ajit Balakrishna ,  Thorsten B. Lill

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23C16/50 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831

摘要： A method, a system and a computer readable medium for integrated in-vacuo repair of low-k dielectric thin films damaged by etch and/or strip processing. A repair chamber is integrated onto a same platform as a plasma etch and/or strip chamber to repair a low-k dielectric thin film without breaking vacuum between the damage event and the repair event. UV radiation may be provided on the integrated etch/repair platform in any combination of before, after, or during the low-k repair treatment to increase efficacy of the repair treatment and/or stability of repair.

摘要翻译： 一种用于通过蚀刻和/或条带处理损坏的低k电介质薄膜的真正真正修复的方法，系统和计算机可读介质。 修复室与等离子体蚀刻和/或剥离室集成在相同的平台上，以修复低k电介质薄膜，而不破坏损坏事件和修复事件之间的真空。 紫外线辐射可以在低k修复处理之前，之后或期间以任何组合提供在集成蚀刻/修复平台上，以增加修复处理的效力和/或修复的稳定性。

公开(公告)号：US20130122712A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13656578

申请日：2012-10-19

申请人： Jong Mun KIM ,  Kenny Linh Doan ,  Li Ling ,  Jairaj Payyapilly ,  Daisuke Shimuzu ,  Srinivas D. Nemani ,  Thorsten B. Lill

发明人： Jong Mun KIM ,  Kenny Linh Doan ,  Li Ling ,  Jairaj Payyapilly ,  Daisuke Shimuzu ,  Srinivas D. Nemani ,  Thorsten B. Lill

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： Methods of etching HAR features in a dielectric layer are described. In one embodiment, a substrate is provided into an etch chamber. The substrate has a patterned mask disposed on a dielectric layer formed thereon where the patterned mask has openings. A gas mixture is provided into the etch chamber, the gas mixture includes CO, O2, a fluorocarbon gas, and an optional inert gas. A plasma is formed from the gas mixture. Features are etched in the dielectric layer through the openings in the presence of the plasma

摘要翻译： 描述了蚀刻介电层中的HAR特征的方法。 在一个实施例中，将衬底提供到蚀刻室中。 衬底具有设置在其上形成的电介质层上的图案化掩模，其中图案化掩模具有开口。 气体混合物被提供到蚀刻室中，气体混合物包括CO，O 2，碳氟化合物气体和任选的惰性气体。 从气体混合物形成等离子体。 在存在等离子体的情况下，通过开口在电介质层中蚀刻特征

公开(公告)号：US08232176B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US11765944

申请日：2007-06-20

申请人： Dmitry Lubomirsky ,  Srinivas D. Nemani ,  Ellie Yieh

发明人： Dmitry Lubomirsky ,  Srinivas D. Nemani ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76229

摘要： Methods to reduce film cracking in a dielectric layer are described. The methods may include the steps of depositing a first dielectric film on a substrate and removing a top portion of the first dielectric film by performing an etch on the film. The methods may also include depositing a second dielectric film over the etched first film, and removing a top portion of the second dielectric film. In addition, the methods may include annealing the first and second dielectric films to form the dielectric layer, where the removal of the top portions from the first and the second dielectric films reduces a stress level in the dielectric layer.

摘要翻译： 描述了减少电介质层中的膜破裂的方法。 所述方法可以包括以下步骤：在衬底上沉积第一电介质膜并通过对膜进行蚀刻来去除第一电介质膜的顶部。 所述方法还可以包括在蚀刻的第一膜上沉积第二电介质膜，以及去除第二电介质膜的顶部。 此外，所述方法可以包括退火第一和第二介电膜以形成电介质层，其中从第一和第二电介质膜去除顶部部分降低了介电层中的应力水平。

公开(公告)号：US07867923B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11876538

申请日：2007-10-22

申请人： Abhijit Basu Mallick ,  Srinivas D. Nemani ,  Ellie Yieh

发明人： Abhijit Basu Mallick ,  Srinivas D. Nemani ,  Ellie Yieh

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56

摘要： A method of depositing a silicon and nitrogen containing film on a substrate. The method includes introducing silicon-containing precursor to a deposition chamber that contains the substrate, wherein the silicon-containing precursor comprises at least two silicon atoms. The method further includes generating at least one radical nitrogen precursor with a remote plasma system located outside the deposition chamber. Moreover, the method includes introducing the radical nitrogen precursor to the deposition chamber, wherein the radical nitrogen and silicon-containing precursors react and deposit the silicon and nitrogen containing film on the substrate. Furthermore, the method includes annealing the silicon and nitrogen containing film in a steam environment to form a silicon oxide film, wherein the steam environment includes water and acidic vapor.

摘要翻译： 一种在衬底上沉积含硅和氮的膜的方法。 该方法包括将含硅前体引入到包含基底的沉积室中，其中含硅前体包含至少两个硅原子。 该方法还包括用位于沉积室外部的远程等离子体系统产生至少一种自由基氮前体。 此外，该方法包括将自由基氮前体引入沉积室，其中自由基含氮和含硅前体将含硅和氮的膜反应并沉积在基底上。 此外，该方法包括在蒸汽环境中退火含硅和氮的膜以形成氧化硅膜，其中蒸汽环境包括水和酸性蒸汽。