公开(公告)号：US08445913B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US11980213

申请日：2007-10-30

申请人： Steven Avanzino ,  Tzu-Ning Fang ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Wai Lo ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

发明人： Steven Avanzino ,  Tzu-Ning Fang ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Wai Lo ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01G4/10 ,  H01G13/00 ,  H01L27/101 ,  H01L28/57 ,  Y10T29/435

摘要： In a method of fabricating a metal-insulator-metal (MIM) device, initially, a first electrode is provided. An oxide layer is provided on the first electrode, and a protective layer is provided on the oxide layer. An opening through the protective layer is provided to expose a portion of the oxide layer, and a portion of the first electrode underlying the exposed portion of the oxide layer is oxidized. A second electrode is provided in contact with the exposed portion of the oxide layer. In alternative embodiments, the initially provided oxide layer may be eliminated, and spacers of insulating material may be provided in the opening.

公开(公告)号：US20090109598A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US11980213

申请日：2007-10-30

申请人： Steven Avanzino ,  Tzu-Ning Fang ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Wai Lo ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

发明人： Steven Avanzino ,  Tzu-Ning Fang ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Wai Lo ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

IPC分类号： H01G4/002 ,  H01G7/00

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01G4/10 ,  H01G13/00 ,  H01L27/101 ,  H01L28/57 ,  Y10T29/435

摘要： In a method of fabricating a metal-insulator-metal (MIM) device, initially, a first electrode is provided. An oxide layer is provided on the first electrode, and a protective layer is provided on the oxide layer. An opening through the protective layer is provided to expose a portion of the oxide layer, and a portion of the first electrode underlying the exposed portion of the oxide layer is oxidized. A second electrode is provided in contact with the exposed portion of the oxide layer. In alternative embodiments, the initially provided oxide layer may be eliminated, and spacers of insulating material may be provided in the opening.

摘要翻译： 在制造金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）器件的方法中，首先提供第一电极。 在第一电极上设置氧化物层，在氧化物层上设置保护层。 提供通过保护层的开口以暴露氧化物层的一部分，氧化层的暴露部分下方的第一电极的一部分被氧化。 提供与氧化物层的暴露部分接触的第二电极。 在替代实施例中，可以消除初始提供的氧化物层，并且可以在开口中提供绝缘材料的间隔物。

公开(公告)号：US07706168B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11980116

申请日：2007-10-30

申请人： Tzu-Ning Fang ,  Steven Avanzino ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

发明人： Tzu-Ning Fang ,  Steven Avanzino ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

摘要： The present method provides annealing of a resistive memory device so as to provide that the device in its erased state has a greatly increased resistance as compared to a prior art approach. The annealing also provides that the device may be erased by application of any of a plurality of electrical potentials within an increased range of electrical potentials as compared to the prior art.

摘要翻译： 本方法提供了电阻式存储器件的退火，从而使得与现有技术方法相比，处于其擦除状态的器件具有大大增加的电阻。 退火还规定，与现有技术相比，可以在增加的电位范围内通过施加多个电位中的任何一个来擦除器件。

公开(公告)号：US20090109727A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US11980116

申请日：2007-10-30

申请人： Tzu-Ning Fang ,  Steven Avanzino ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

发明人： Tzu-Ning Fang ,  Steven Avanzino ,  Swaroop Kaza ,  Dongxiang Liao ,  Christie Marrian ,  Sameer Haddad

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

摘要： The present method provides annealing of a resistive memory device so as to provide that the device in its erased state has a greatly increased resistance as compared to a prior art approach. The annealing also provides that the device may be erased by application of any of a plurality of electrical potentials within an increased range of electrical potentials as compared to the prior art.

摘要翻译： 本方法提供了电阻式存储器件的退火，从而使得与现有技术方法相比，处于其擦除状态的器件具有大大增加的电阻。 退火还规定，与现有技术相比，可以在增加的电位范围内通过施加多个电位中的任何一个来擦除器件。

公开(公告)号：US07916529B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US12370932

申请日：2009-02-13

申请人： Wai Lo ,  Christie Marrian ,  Tzu-Ning Fang ,  Sameer Haddad

发明人： Wai Lo ,  Christie Marrian ,  Tzu-Ning Fang ,  Sameer Haddad

IPC分类号： G11C11/36

CPC分类号： H01L27/1021 ,  G11C5/04 ,  G11C11/36 ,  H01L27/24 ,  H01L29/868

摘要： A memory architecture that employs one or more semiconductor PIN diodes is provided. The memory employs a substrate that includes a buried bit/word line and a PIN diode. The PIN diode includes a non-intrinsic semiconductor region, a portion of the bit/word line, and an intrinsic semiconductor region positioned between the non-intrinsic region and the portion of the bit/word line.

摘要翻译： 提供采用一个或多个半导体PIN二极管的存储架构。 存储器采用包括掩埋位/字线和PIN二极管的衬底。 PIN二极管包括非本征半导体区域，位/字线的一部分和位于非固有区域和位/字线部分之间的本征半导体区域。

公开(公告)号：US20100208517A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12370932

申请日：2009-02-13

申请人： Wai Lo ,  Christie Marrian ,  Tzu-Ning Fang ,  Sameer Haddad

发明人： Wai Lo ,  Christie Marrian ,  Tzu-Ning Fang ,  Sameer Haddad

IPC分类号： G11C11/36 ,  H01L29/868 ,  H01L21/425 ,  G11C7/00

CPC分类号： H01L27/1021 ,  G11C5/04 ,  G11C11/36 ,  H01L27/24 ,  H01L29/868

摘要： A memory architecture that employs one or more semiconductor PIN diodes is provided. The memory employs a substrate that includes a buried bit/word line and a PIN diode. The PIN diode includes a non-intrinsic semiconductor region, a portion of the bit/word line, and an intrinsic semiconductor region positioned between the non-intrinsic region and the portion of the bit/word line.

摘要翻译： 提供采用一个或多个半导体PIN二极管的存储架构。 存储器采用包括掩埋位/字线和PIN二极管的衬底。 PIN二极管包括非本征半导体区域，位/字线的一部分和位于非固有区域和位/字线部分之间的本征半导体区域。

公开(公告)号：US20080123401A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11521204

申请日：2006-09-14

申请人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

发明人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

IPC分类号： G11C11/34 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： A present method of fabricating a memory device includes the steps of providing a dielectric layer;, providing an opening in the dielectric layer, providing a first conductive body in the opening, providing a switching body in the opening, the first conductive body and switching body filling the opening, and providing a second conductive body over the switching body. In an alternate embodiment, a second dielectric layer is provided over the first-mentioned dielectric layer, and the switching body is provided in an opening in the second dielectric layer.

摘要翻译： 本发明的制造存储器件的方法包括以下步骤：提供电介质层;在电介质层中提供开口，在开口中提供第一导电体，在开口中提供开关体，第一导电体和开关体 填充开口，并且在开关体上提供第二导电体。 在替代实施例中，在第一介电层上提供第二电介质层，并且开关体设置在第二电介质层的开口中。

公开(公告)号：US08232175B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US11521204

申请日：2006-09-14

申请人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

发明人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： A present method of fabricating a memory device includes the steps of providing a dielectric layer, providing an opening in the dielectric layer, providing a first conductive body in the opening, providing a switching body in the opening, the first conductive body and switching body filling the opening, and providing a second conductive body over the switching body. In an alternate embodiment, a second dielectric layer is provided over the first-mentioned dielectric layer, and the switching body is provided in an opening in the second dielectric layer.

摘要翻译： 制造存储器件的现有方法包括以下步骤：提供电介质层，在介电层中提供开口，在开口中提供第一导电体，在开口中提供开关体，第一导电体和开关体填充物 并且在开关体上设置第二导电体。 在替代实施例中，在第一介电层上提供第二电介质层，并且开关体设置在第二电介质层的开口中。

公开(公告)号：US20080132068A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11633929

申请日：2006-12-05

申请人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

发明人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1666

摘要： The present method of fabricating a memory device includes the steps of providing a dielectric layer, providing an opening in the dielectric layer, providing a first conductive body in the opening in the dielectric layer, providing a switching body in the opening, and providing a second conductive body in the opening.

摘要翻译： 制造存储器件的本方法包括以下步骤：提供电介质层，在电介质层中提供开口，在电介质层的开口中提供第一导电体，在开口中提供开关体，并提供第二 导电体在开口处。

公开(公告)号：US08089113B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US11633929

申请日：2006-12-05

申请人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

发明人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1666

摘要： The present method of fabricating a memory device includes the steps of providing a dielectric layer, providing an opening in the dielectric layer, providing a first conductive body in the opening in the dielectric layer, providing a switching body in the opening, and providing a second conductive body in the opening.

摘要翻译： 制造存储器件的本方法包括以下步骤：提供电介质层，在电介质层中提供开口，在电介质层的开口中提供第一导电体，在开口中提供开关体，并提供第二 导电体在开口处。