公开(公告)号：US20080212373A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US12027744

申请日：2008-02-07

申请人： Takehiro HASEGAWA ,  Akira Umezawa ,  Koji Sakui ,  Fumitaka Arai ,  Ryo Mitani

发明人： Takehiro HASEGAWA ,  Akira Umezawa ,  Koji Sakui ,  Fumitaka Arai ,  Ryo Mitani

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11524 ,  G11C11/005 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/20 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： A semiconductor integrated circuit device includes first and second nonvolatile semiconductor memories. The first memory has first and second select transistors and first memory cell transistors. The first memory cell transistor has a first floating gate on a first gate insulating film and a first control gate on a first inter-gate insulating film. The second memory has a third select transistor and a second memory cell transistor. The second memory cell transistor has a second floating gate on a second gate insulating film and a second control gate on a second inter-gate insulating film. The first and second gate insulating films have the same film thickness. The first and second floating gates have the same film thickness. The first and second inter-gate insulating films have the same film thickness. The first and second control gates have the same film thickness.

摘要翻译： 半导体集成电路器件包括第一和第二非易失性半导体存储器。 第一存储器具有第一和第二选择晶体管和第一存储单元晶体管。 第一存储单元晶体管在第一栅极绝缘膜上具有第一浮置栅极，在第一栅极间绝缘膜上具有第一控制栅极。 第二存储器具有第三选择晶体管和第二存储单元晶体管。 第二存储单元晶体管在第二栅极绝缘膜上具有第二浮置栅极，在第二栅极绝缘膜上具有第二控制栅极。 第一和第二栅极绝缘膜具有相同的膜厚度。 第一和第二浮栅具有相同的膜厚度。 第一和第二栅极间绝缘膜具有相同的膜厚度。 第一和第二控制栅具有相同的膜厚度。

公开(公告)号：US07672164B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US12027744

申请日：2008-02-07

申请人： Takehiro Hasegawa ,  Akira Umezawa ,  Koji Sakui ,  Fumitaka Arai ,  Ryo Mitani

发明人： Takehiro Hasegawa ,  Akira Umezawa ,  Koji Sakui ,  Fumitaka Arai ,  Ryo Mitani

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： H01L27/11524 ,  G11C11/005 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/20 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： A semiconductor integrated circuit device includes first and second nonvolatile semiconductor memories. The first memory has first and second select transistors and first memory cell transistors. The first memory cell transistor has a first floating gate on a first gate insulating film and a first control gate on a first inter-gate insulating film. The second memory has a third select transistor and a second memory cell transistor. The second memory cell transistor has a second floating gate on a second gate insulating film and a second control gate on a second inter-gate insulating film. The first and second gate insulating films have the same film thickness. The first and second floating gates have the same film thickness. The first and second inter-gate insulating films have the same film thickness. The first and second control gates have the same film thickness.

摘要翻译： 半导体集成电路器件包括第一和第二非易失性半导体存储器。 第一存储器具有第一和第二选择晶体管和第一存储单元晶体管。 第一存储单元晶体管在第一栅极绝缘膜上具有第一浮置栅极，在第一栅极间绝缘膜上具有第一控制栅极。 第二存储器具有第三选择晶体管和第二存储单元晶体管。 第二存储单元晶体管在第二栅极绝缘膜上具有第二浮置栅极，在第二栅极绝缘膜上具有第二控制栅极。 第一和第二栅极绝缘膜具有相同的膜厚度。 第一和第二浮栅具有相同的膜厚度。 第一和第二栅极间绝缘膜具有相同的膜厚度。 第一和第二控制栅具有相同的膜厚度。

公开(公告)号：US07332766B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US11083156

申请日：2005-03-18

申请人： Takehiro Hasegawa ,  Akira Umezawa ,  Koji Sakui ,  Fumitaka Arai ,  Ryo Mitani

发明人： Takehiro Hasegawa ,  Akira Umezawa ,  Koji Sakui ,  Fumitaka Arai ,  Ryo Mitani

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11524 ,  G11C11/005 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/20 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： A semiconductor integrated circuit device includes first and second nonvolatile semiconductor memories. The first memory has first and second select transistors and first memory cell transistors. The first memory cell transistor has a first floating gate on a first gate insulating film and a first control gate on a first inter-gate insulating film. The second memory has a third select transistor and a second memory cell transistor. The second memory cell transistor has a second floating gate on a second gate insulating film and a second control gate on a second inter-gate insulating film. The first and second gate insulating films have the same film thickness. The first and second floating gates have the same film thickness. The first and second inter-gate insulating films have the same film thickness. The first and second control gates have the same film thickness.

摘要翻译： 半导体集成电路器件包括第一和第二非易失性半导体存储器。 第一存储器具有第一和第二选择晶体管和第一存储单元晶体管。 第一存储单元晶体管在第一栅极绝缘膜上具有第一浮置栅极，在第一栅极间绝缘膜上具有第一控制栅极。 第二存储器具有第三选择晶体管和第二存储单元晶体管。 第二存储单元晶体管在第二栅极绝缘膜上具有第二浮置栅极，在第二栅极绝缘膜上具有第二控制栅极。 第一和第二栅极绝缘膜具有相同的膜厚度。 第一和第二浮栅具有相同的膜厚度。 第一和第二栅极间绝缘膜具有相同的膜厚度。 第一和第二控制栅具有相同的膜厚度。

公开(公告)号：US20050218460A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US11083156

申请日：2005-03-18

申请人： Takehiro Hasegawa ,  Akira Umezawa ,  Koji Sakui ,  Fumitaka Arai ,  Ryo Mitani

发明人： Takehiro Hasegawa ,  Akira Umezawa ,  Koji Sakui ,  Fumitaka Arai ,  Ryo Mitani

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11524 ,  G11C11/005 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/20 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

摘要： A semiconductor integrated circuit device includes first and second nonvolatile semiconductor memories. The first memory has first and second select transistors and first memory cell transistors. The first memory cell transistor has a first floating gate on a first gate insulating film and a first control gate on a first inter-gate insulating film. The second memory has a third select transistor and a second memory cell transistor. The second memory cell transistor has a second floating gate on a second gate insulating film and a second control gate on a second inter-gate insulating film. The first and second gate insulating films have the same film thickness. The first and second floating gates have the same film thickness. The first and second inter-gate insulating films have the same film thickness. The first and second control gates have the same film thickness.

摘要翻译： 半导体集成电路器件包括第一和第二非易失性半导体存储器。 第一存储器具有第一和第二选择晶体管和第一存储单元晶体管。 第一存储单元晶体管在第一栅极绝缘膜上具有第一浮置栅极，在第一栅极间绝缘膜上具有第一控制栅极。 第二存储器具有第三选择晶体管和第二存储单元晶体管。 第二存储单元晶体管在第二栅极绝缘膜上具有第二浮置栅极，在第二栅极绝缘膜上具有第二控制栅极。 第一和第二栅极绝缘膜具有相同的膜厚度。 第一和第二浮栅具有相同的膜厚度。 第一和第二栅极间绝缘膜具有相同的膜厚度。 第一和第二控制栅具有相同的膜厚度。

公开(公告)号：US4441031A

公开(公告)日：1984-04-03

申请号：US329058

申请日：1981-12-09

申请人： Yoshiaki Moriya ,  Ryo Mitani ,  Atsushi Kobayashi

发明人： Yoshiaki Moriya ,  Ryo Mitani ,  Atsushi Kobayashi

IPC分类号： G01R19/165 ,  H02J9/06 ,  H02J9/00

CPC分类号： H02J9/06 ,  Y10T307/516 ,  Y10T307/625

摘要： A power source voltage change discrimination circuit includes a voltage selection circuit for selectively supplying the greater one of main and auxiliary power source voltages, and a series circuit of a resistor and a capacitor coupled between the output terminal of the voltage selection circuit and ground. There is further provided a Schmitt circuit having hysteresis characteristics whose input terminal is coupled to a junction of the resistor and capacitor.

摘要翻译： 电源电压变化判别电路包括用于选择性地提供主电源电压和辅助电源电压中的较大一个的电压选择电路，以及耦合在电压选择电路的输出端子和地之间的电阻器和电容器的串联电路。 还提供了具有滞后特性的施密特电路，其输入端耦合到电阻器和电容器的结。

公开(公告)号：US4538145A

公开(公告)日：1985-08-27

申请号：US433711

申请日：1982-10-12

申请人： Ryo Mitani ,  Yoshiaki Moriya ,  Atsushi Kobayashi

发明人： Ryo Mitani ,  Yoshiaki Moriya ,  Atsushi Kobayashi

IPC分类号： G02F1/133 ,  G06F3/147 ,  G09G3/18 ,  G09G1/00 ,  G09G3/00

CPC分类号： G09G3/18

摘要： A data transfer control device is provided having a plurality of shift registers connected through said multiplexers in a closed loop, a selector connected to the inputs of said multiplexer and for selecting a transfer destination of display data according to a common electrode select signal of a display unit, and a gate for selecting the polarity of the display data to be loaded into said shift registers according to the polarity of common output signals for scanning common electrodes of said display unit.

摘要翻译： 提供一种数据传输控制装置，具有通过所述多路复用器在闭环中连接的多个移位寄存器，选择器连接到所述多路复用器的输入端，并根据显示器的公共电极选择信号选择显示数据的传送目的地 单元和用于根据用于扫描所述显示单元的公共电极的公共输出信号的极性来选择要加载到所述移位寄存器中的显示数据的极性的门。

公开(公告)号：US4529890A

公开(公告)日：1985-07-16

申请号：US421069

申请日：1982-09-22

申请人： Atsushi Kobayashi ,  Yoshiaki Moriya ,  Ryo Mitani

发明人： Atsushi Kobayashi ,  Yoshiaki Moriya ,  Ryo Mitani

IPC分类号： G02F1/133 ,  G09G3/18 ,  G09G3/36 ,  H03K3/01 ,  G09F9/00 ,  H03K17/687

CPC分类号： G09G3/18

摘要： A liquid crystal driver circuit has first to fourth resistors serially connected between a positive power source terminal and a reference power source terminal, first and second MOS transistors respectively connected in parallel with the first and fourth resistors, a common electrode driver circuit for generating common electrode bias signals in accordance with common electrode selection signals, and a segment electrode driver circuit for generating segment electrode bias signals in accordance with segment data. A third switching MOS transistor is coupled between the reference power source terminal and the series circuit of the first to fourth resistors.

摘要翻译： 液晶驱动器电路具有串联连接在正电源端子和参考电源端子之间的第一至第四电阻器，分别与第一和第四电阻器并联连接的第一和第二MOS晶体管，用于产生公共电极的公共电极驱动电路 根据公共电极选择信号的偏置信号，以及用于根据段数据产生段电极偏置信号的段电极驱动电路。 第三开关MOS晶体管连接在参考电源端子和第一至第四电阻器的串联电路之间。