公开(公告)号：US07074624B2

公开(公告)日：2006-07-11

申请号：US10808417

申请日：2004-03-25

申请人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Junichi Karasawa ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori

发明人： Koji Ohashi ,  Takeshi Kijima ,  Junichi Karasawa ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： A method of manufacturing a ferroelectric film includes crystallizing a raw material having a complex oxide, the method including: performing a heat treatment in a first condition in which a predetermined pressure and a predetermined temperature are applied; and maintaining a second condition, in which a pressure and a temperature lower than the pressure and the temperature in the first condition are applied, after the heat treatment in the first condition, and the raw material is crystallized by repeating the heat treatment in the first condition and the maintaining the second condition.

摘要翻译： 制造铁电体膜的方法包括使具有复合氧化物的原料结晶，该方法包括：在施加预定压力和预定温度的第一条件下进行热处理; 并且在第一状态下的热处理之后，保持其中施加压力和低于第一状态的温度的温度的第二条件，并且通过在第一状态下重复进行热处理使原料结晶 条件和维持第二个条件。

公开(公告)号：US07187025B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US10807357

申请日：2004-03-24

申请人： Yasuaki Hamada ,  Takeshi Kijima ,  Junichi Karasawa ,  Koji Ohashi ,  Eiji Natori

发明人： Yasuaki Hamada ,  Takeshi Kijima ,  Junichi Karasawa ,  Koji Ohashi ,  Eiji Natori

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/02197 ,  G11C11/22 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric material for forming a ferroelectric that is described by a general formula ABO3, includes an A-site compensation component which compensates for a vacancy of an A site, and a B-site compensation component which compensates for a vacancy of a B site.

摘要翻译： 用于形成由通式ABO 3 3描述的铁电体的铁电材料包括补偿A位置的空位的A位点补偿部件和补偿A位置的B位点补偿部件 一个B网站的空缺。

公开(公告)号：US07371473B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11286286

申请日：2005-11-25

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1-xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05 ≦x

摘要翻译： 铁氧体膜由通式AB 1-x N x O 3 O 3所描述的氧化物形成。 A元素至少包含Pb，B元素包括Zr，Ti，V，W，Hf和Ta中的至少一种。 铁电体膜包括在0.05 <= x <1的范围内的Nb。 铁电薄膜可用于1T1C，2T2C和简单矩阵类型的铁电存储器。

公开(公告)号：US20060083933A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11286286

申请日：2005-11-25

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L41/18 ,  B32B17/06 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  B32B19/00

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1-xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05≦x

摘要翻译： 铁氧体膜由通式AB 1-x N x O 3 O 3所描述的氧化物形成。 A元素至少包含Pb，B元素包括Zr，Ti，V，W，Hf和Ta中的至少一种。 铁电体膜包括在0.05 <= x <1的范围内的Nb。 铁电薄膜可用于1T1C，2T2C和简单矩阵类型的铁电存储器。

公开(公告)号：US07255941B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10690021

申请日：2003-10-22

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1−xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05≦x

摘要翻译： 铁氧体膜由通式AB 1-x N x O 3 O 3所描述的氧化物形成。 A元素至少包含Pb，B元素包括Zr，Ti，V，W，Hf和Ta中的至少一种。 铁电体膜包括在0.05 <= x <1的范围内的Nb。 铁电薄膜可用于1T1C，2T2C和简单矩阵类型的铁电存储器。

公开(公告)号：US20060088731A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：US11286284

申请日：2005-11-25

申请人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

发明人： Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada ,  Eiji Natori ,  Koji Ohashi

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A ferroelectric film is formed by an oxide that is described by a general formula AB1-xNbxO3. An A element includes at least Pb, and a B element includes at least one of Zr, Ti, V, W, Hf and Ta. The ferroelectric film includes Nb within the range of: 0.05≦x

公开(公告)号：US07037731B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10807278

申请日：2004-03-24

申请人： Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi ,  Eiji Natori

发明人： Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi ,  Eiji Natori

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/11502 ,  C01G33/006 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： A method of manufacturing a ferroelectric capacitor. In this method, a lower electrode is formed on a base at first. A ferroelectric film which includes a PZTN complex oxide including lead, zirconium, titanium, and niobium on the lower electrode is formed, and then an upper electrode is formed on the ferroelectric film. A protective film is then formed to cover the lower electrode, the ferroelectric film, and the upper electrode, and heat treatment for crystallizing the PZTN complex oxide is performed at least after forming the protective film.

摘要翻译： 一种制造铁电电容器的方法。 在该方法中，首先在基底上形成下电极。 在下电极上形成包括铅，锆，钛和铌的PZTN复合氧化物的铁电体膜，然后在强电介质膜上形成上电极。 然后形成保护膜以覆盖下电极，铁电体膜和上电极，并且至少在形成保护膜之后进行用于结晶PZTN复合氧化物的热处理。

公开(公告)号：US07163828B2

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：US10805238

申请日：2004-03-22

申请人： Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi ,  Eiji Natori

发明人： Takeshi Kijima ,  Koji Ohashi ,  Eiji Natori

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L28/55

摘要： The present invention relates to a method of manufacturing an electrode which includes forming an electrode over a substrate. Initial crystal nuclei of an electrode material are formed over the substrate in an island pattern, and then grown layers of the electrode material are formed by causing the initial crystal nuclei to be grown. A substrate temperature when forming the initial crystal nuclei is higher than a substrate temperature when forming the grown layers.

摘要翻译： 本发明涉及电极的制造方法，其包括在基板上形成电极。 电极材料的初始晶核以岛状图案形成在衬底上，然后通过使初始晶核生长而形成电极材料的生长层。 当形成初始晶核时的衬底温度比形成生长层时的衬底温度高。

公开(公告)号：US07710004B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US12400859

申请日：2009-03-10

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： H01L41/04 ,  H01L41/047

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物，以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种的绝缘靶材料。

公开(公告)号：US07524451B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11504255

申请日：2006-08-15

申请人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

发明人： Koji Ohashi ,  Setsuya Iwashita ,  Takeshi Kijima ,  Yasuaki Hamada

IPC分类号： B28B1/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An insulating target material for obtaining a conductive complex oxide film represented by a general formula ABO3, the insulating target material including an oxide of an element A, an oxide of an element B, and at least one of an Si compound and a Ge compound.

摘要翻译： 一种用于获得由通式ABO3表示的导电复合氧化物膜的绝缘靶材料，包括元素A的氧化物，元素B的氧化物，以及Si化合物和Ge化合物中的至少一种的绝缘靶材料。