公开(公告)号：US06197388B1

公开(公告)日：2001-03-06

申请号：US09283831

申请日：1999-03-31

申请人： Thomas S. Choi ,  John P. Holland ,  Nancy Tran

发明人： Thomas S. Choi ,  John P. Holland ,  Nancy Tran

IPC分类号： H05H124

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/32136

摘要： A method for processing a substrate having an aluminum neodymium-containing layer is disclosed. The aluminum neodymium-containing layer has residual chlorine proximate to its etch surface. The method includes providing a first gas chemistry including HBr and SF6 which supplies a first plurality of fluorine ions, forming a first plasma from said first gas chemistry, passivating the etch surface of the aluminum neodymium-containing layer with the first plasma to cause a second plurality of fluorine ions to replace a first portion of the residual chlorine. This second plurality of fluorine ions is a subset of the first plurality of fluorine ions. The method further includes providing a second gas chemistry having hydrofluorocarbon and oxygen which provides a third plurality of fluorine ions and oxygen, forming a second plasma with the second gas chemistry, bombarding the etch surface of the aluminum neodymium-containing layer with the second plasma, causing a fourth plurality of fluorine ions to replace a second portion of the residual chlorine. This fourth plurality of fluorine ions is a subset of the third plurality of fluorine ions. The method additionally includes depositing a polymer material using a third plasma having hydrofluorocarbon to coat the etch surface of the aluminum neodymium-containing layer.

摘要翻译： 公开了一种用于处理具有含铝钕层的基板的方法。 含铝钕层具有接近其蚀刻表面的残留氯。 该方法包括提供包括HBr和SF6的第一气体化学物质，其供应第一多个氟离子，从所述第一气体化学物质形成第一等离子体，用第一等离子体钝化含铝钕层的蚀刻表面， 多个氟离子代替残留氯的第一部分。 该第二多个氟离子是第一多个氟离子的子集。 该方法还包括提供具有氢氟烃和氧气的第二气体化学物质，其提供第三多个氟离子和氧气，与第二气体化学物质形成第二等离子体，用第二等离子体轰击含铝钕层的蚀刻表面， 导致第四组氟离子代替残留氯的第二部分。 该第四多个氟离子是第三多个氟离子的子集。 该方法另外包括使用具有氢氟烃的第三等离子体沉积聚合物材料以涂覆含铝钕层的蚀刻表面。

公开(公告)号：US07294580B2

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US10860833

申请日：2004-06-03

申请人： Seokmin Yun ,  Ji Zhu ,  Peter Cirigliano ,  Sangheon Lee ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt ,  Mark H. Wilcoxson ,  Reza Sadjadi ,  Eric A. Hudson ,  James V. Tietz

发明人： Seokmin Yun ,  Ji Zhu ,  Peter Cirigliano ,  Sangheon Lee ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt ,  Mark H. Wilcoxson ,  Reza Sadjadi ,  Eric A. Hudson ,  James V. Tietz

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829

摘要： A method for etching a feature in a low-k dielectric layer through a photoresist etch mask over a substrate. A gas-modulated cyclic stripping process is performed for more than three cycles for stripping a single photoresist mask. Each cycle of the gas-modulated cyclic stripping process comprises performing a protective layer formation phase and a stripping phase. The protective layer forming phase using first gas chemistry with a deposition gas chemistry, wherein the protective layer forming phase is performed in about 0.005 to 10 seconds for each cycle. The performing the stripping phase for stripping the photoresist mask using a second gas chemistry using a stripping gas chemistry, where the first gas chemistry is different than the second gas chemistry, wherein the etching phase is performed in about 0.005 to 10 seconds for each cycle.

摘要翻译： 一种通过光刻胶蚀刻掩模在衬底上蚀刻低k电介质层中的特征的方法。 执行气体调制的循环剥离工艺超过三个循环以剥离单个光致抗蚀剂掩模。 气体调节循环汽提过程的每个循环包括进行保护层形成阶段和汽提阶段。 使用具有沉积气化学性质的第一气体化学物质的保护层形成阶段，其中保护层形成阶段在每个循环中以约0.005至10秒钟进行。 使用第二种气体化学法，使用剥离气体化学法，其中第一种气体化学物质与第二种气体化学物质不同，进行汽提阶段以剥离光致抗蚀剂掩模，其中每个循环在约0.005至10秒内进行蚀刻阶段。

公开(公告)号：US07385287B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11744035

申请日：2007-05-03

申请人： Siyi Li ,  Helen H. Zhu ,  Howard Dang ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt

发明人： Siyi Li ,  Helen H. Zhu ,  Howard Dang ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138

摘要： A method of forming a feature in a low-k dielectric layer is provided. A low-k dielectric layer is placed over a substrate. A patterned photoresist mask is placed over the low-k dielectric layer. At least one feature is etched into the low-k dielectric layer. A CO conditioning is preformed on the at least one feature after the at least one feature is etched. The patterned photoresist mask is stripped after the CO conditioning.

摘要翻译： 提供了在低k电介质层中形成特征的方法。 将低k电介质层放置在衬底上。 将图案化的光致抗蚀剂掩模放置在低k电介质层上。 至少一个特征被蚀刻到低k电介质层中。 在蚀刻至少一个特征之后，在至少一个特征上进行CO调节。 在CO调节之后剥离图案化的光刻胶掩模。

公开(公告)号：US08815745B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US12360765

申请日：2009-01-27

申请人： Sean S. Kang ,  Sang Jun Cho ,  Thomas S. Choi

发明人： Sean S. Kang ,  Sang Jun Cho ,  Thomas S. Choi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： G03F7/427 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808

摘要： A method of forming features in a porous low-k dielectric layer disposed below a patterned organic mask is provided. Features are etched into the porous low-k dielectric layer through the patterned organic mask, and then the patterned organic mask is stripped. The stripping of the patterned organic mask includes providing a stripping gas comprising COS, forming a plasma from the stripping gas, and stopping the stripping gas. A cap layer may be provided between the porous low-k dielectric layer and the patterned organic mask. The stripping of the patterned organic mask leaves the cap layer on the porous low-k dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种在图案化有机掩模下方形成多孔低k电介质层中的特征的方法。 通过图案化的有机掩模将特征蚀刻到多孔低k电介质层中，然后剥去图案化的有机掩模。 图案化有机掩模的剥离包括提供包含COS的汽提气体，从汽提气体形成等离子体，并停止汽提气体。 可以在多孔低k电介质层和图案化有机掩模之间设置覆盖层。 图案化有机掩模的剥离在多孔低k电介质层上留下盖层。

公开(公告)号：US07534363B2

公开(公告)日：2009-05-19

申请号：US10877222

申请日：2004-06-25

申请人： Rao V. Annapragada ,  Odette Turmel ,  Kenji Takeshita ,  Lily Zheng ,  Thomas S. Choi ,  David R. Pirkle

发明人： Rao V. Annapragada ,  Odette Turmel ,  Kenji Takeshita ,  Lily Zheng ,  Thomas S. Choi ,  David R. Pirkle

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： H01J37/3244 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

摘要： A method for removing organic material over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to an outer zone of the plasma processing chamber, wherein the outer zone surrounds the inner zone and the second gas has a carbon containing component, wherein a concentration of the carbon containing component of the second gas is greater than a concentration of the carbon containing component in the first gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. Some or all of the organic material is removed using the generated plasmas.

摘要翻译： 提供了一种在衬底上除去有机材料的方法。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室的外部区域，其中外部区域围绕内部区域，第二气体具有含碳成分，其中第二气体的含碳成分的浓度大于浓度 的第一气体中的含碳组分。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 使用所产生的等离子体去除部分或全部有机材料。

公开(公告)号：US07226852B1

公开(公告)日：2007-06-05

申请号：US10866382

申请日：2004-06-10

申请人： Siyi Li ,  Helen H. Zhu ,  Howard Dang ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt

发明人： Siyi Li ,  Helen H. Zhu ,  Howard Dang ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138

摘要： A method of forming a feature in a low-k dielectric layer is provided. A low-k dielectric layer is placed over a substrate. A patterned photoresist mask is placed over the low-k dielectric layer. At least one feature is etched into the low-k dielectric layer. A CO conditioning is preformed on the at least one feature after the at least one feature is etched. The patterned photoresist mask is stripped after the CO conditioning.

摘要翻译： 提供了在低k电介质层中形成特征的方法。 将低k电介质层放置在衬底上。 将图案化的光致抗蚀剂掩模放置在低k电介质层上。 至少一个特征被蚀刻到低k电介质层中。 在蚀刻至少一个特征之后，在至少一个特征上进行CO调节。 在CO调节之后剥离图案化的光刻胶掩模。