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    Method of Producing Artificial Stones with Aluminum residues
    8.
    发明申请
    Method of Producing Artificial Stones with Aluminum residues 审中-公开
    生产人造石与铝残留物的方法

    公开(公告)号：US20130049248A1

    公开(公告)日：2013-02-28

    申请号：US13222061

    申请日：2011-08-31

    申请人： Sheng-Fu Yang ,  Yen-Hua Chang ,  Chun-Yen Yeh ,  To-Mei Wang ,  Wen-Cheng Lee ,  Kin-Seng Sun ,  Chin-Ching Tzeng

    发明人： Sheng-Fu Yang ,  Yen-Hua Chang ,  Chun-Yen Yeh ,  To-Mei Wang ,  Wen-Cheng Lee ,  Kin-Seng Sun ,  Chin-Ching Tzeng

    IPC分类号： B29C39/42 ,  B29C39/10

    CPC分类号： B29C39/003 ,  B29C39/42 ,  B29K2105/26 ,  B29K2505/02 ,  B29L2007/002 ,  B29L2031/104

    摘要： The present disclosure uses aluminum residues to fabricate artificial stones. The aluminum residues are obtained from a recycle process of aluminum scrap. The aluminum residues is made into dross and baghouse dust as raw materials for the artificial stones. The artificial stones thus made are improved in characteristics of mechanical strength, hardness, abrasion resistance, flame resistance and anti-oxidation. Hence, the present disclosure reduces impacts to the nature; obtains derived products from recycled aluminum residues; increases commercial income; decreases cost for handling aluminum residues; and saves the use of aluminum oxide, aluminium hydroxide or silicon oxide on making artificial stones. The artificial stones thus made are fit to be used in fields of green material, green construction and green industry.

    摘要翻译： 本公开使用铝残留物来制造人造石。 铝残留物是从铝废料的再循环过程获得的。 铝残留物作为人造石的原料制成浮渣和袋装粉尘。 这样制造的人造石的机械强度，硬度，耐磨性，阻燃性和抗氧化特性得到改善。 因此，本公开减少了对本质的影响; 从回收的铝残留物中获得衍生产品; 增加商业收入; 降低处理铝渣的成本; 并节省使用氧化铝，氢氧化铝或氧化硅制造人造石。 这样制造的人造石适合用于绿色材料，绿色建筑和绿色工业领域。

    Anti-pop circuit
    9.
    发明申请
    Anti-pop circuit 有权
    防爆电路

    公开(公告)号：US20060245602A1

    公开(公告)日：2006-11-02

    申请号：US11400317

    申请日：2006-04-10

    申请人： Cheng-Jan Chi ,  Hung-Yuan Li ,  Sheng-Neng Yu ,  Sheng-Fu Yang

    发明人： Cheng-Jan Chi ,  Hung-Yuan Li ,  Sheng-Neng Yu ,  Sheng-Fu Yang

    IPC分类号： H04B15/00

    CPC分类号： H04R3/007

    摘要： The present invention provides an anti-pop circuit including a diode. A control signal is used to change the bias of the diode so as to shunt the “pop” sound usually happening when the power is turned on or off.

    摘要翻译： 本发明提供了一种包括二极管的防爆电路。 控制信号用于改变二极管的偏置，以便分流电源打开或关闭时通常发生的“弹出”声音。

    Dynamic random access memory cell and array having vertical channel transistor
    10.
    发明授权
    Dynamic random access memory cell and array having vertical channel transistor 有权
    具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储单元和阵列

    公开(公告)号：US08324682B2

    公开(公告)日：2012-12-04

    申请号：US13030116

    申请日：2011-02-17

    申请人： Hui-Huang Chen ,  Chih-Yuan Chen ,  Sheng-Fu Yang ,  Chun-Cheng Chen

    发明人： Hui-Huang Chen ,  Chih-Yuan Chen ,  Sheng-Fu Yang ,  Chun-Cheng Chen

    IPC分类号： H01L29/772

    CPC分类号： H01L27/10826 ,  H01L27/10879

    摘要： A dynamic random access memory cell having vertical channel transistor includes a semiconductor pillar, a drain layer, an assisted gate, a control gate, a source layer, and a capacitor. The vertical channel transistor has an active region formed by the semiconductor pillar. The drain layer is formed at the bottom of the semiconductor pillar. The assisted gate is formed beside the drain layer, and separated from the drain layer by a first gate dielectric layer. The control gate is formed beside the semiconductor pillar, and separated from the active region by a second gate dielectric layer. The source layer is formed at the top of the semiconductor pillar. The capacitor is formed to electrical connect to the source layer.

    摘要翻译： 具有垂直沟道晶体管的动态随机存取存储器单元包括半导体柱，漏极层，辅助栅极，控制栅极，源极层和电容器。 垂直沟道晶体管具有由半导体柱形成的有源区。 漏极层形成在半导体柱的底部。 辅助栅极形成在漏极层旁边，并且通过第一栅极介电层与漏极层分离。 控制栅极形成在半导体柱旁边，并通过第二栅极介电层与有源区分离。 源极层形成在半导体柱的顶部。 电容器形成为电连接到源层。