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    Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process
    2.
    发明授权
    Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process 有权
    抗反射成像层，用于多个图案化工艺

    公开(公告)号：US07914974B2

    公开(公告)日：2011-03-29

    申请号：US11839317

    申请日：2007-08-15

    申请人： Douglas J. Guerrero ,  Ramil-Marcelo L. Mercado

    发明人： Douglas J. Guerrero ,  Ramil-Marcelo L. Mercado

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/168

    摘要： Novel methods of double patterning a photosensitive resin composition are provided. The methods involve applying the photosensitive composition to a substrate and thermally crosslinking the composition. The crosslinked layer can be used to provide reflection control. Upon exposure to light, the crosslinked polymer (or oligomer or monomer) in the compositions will decrosslink, rendering the light-exposed portions soluble in typical photoresist developing solutions (e.g., alkaline developers). Advantageously, the crosslinked portions of the composition remain insoluble in the solvent used to form the photosensitive composition. As a result, the coating, lithographic, and or developing steps can be repeated multiple times in varying order, depending upon the particular process, without destroying earlier-formed patterns.

    摘要翻译： 提供了双重图案化感光性树脂组合物的新方法。 所述方法包括将光敏组合物施加到基底上并使组合物热交联。 交联层可用于提供反射控制。 在曝光时，组合物中的交联聚合物（或低聚物或单体）将脱链，使光曝光部分可溶于典型的光致抗蚀剂显影溶液（例如碱性显影剂）。 有利地，组合物的交联部分保持不溶于用于形成光敏组合物的溶剂中。 结果，涂层，光刻和/或显影步骤可以根据特定的工艺以不同的顺序重复多次，而不会破坏早期形成的图案。

    PHOTOIMAGEABLE BRANCHED POLYMER
    3.
    发明申请
    PHOTOIMAGEABLE BRANCHED POLYMER 有权
    可分光聚合物

    公开(公告)号：US20090111057A1

    公开(公告)日：2009-04-30

    申请号：US12261971

    申请日：2008-10-30

    申请人： Hao Xu ,  Ramil-Marcelo L. Mercado ,  Douglas J. Guerrero ,  Jim D. Meador

    发明人： Hao Xu ,  Ramil-Marcelo L. Mercado ,  Douglas J. Guerrero ,  Jim D. Meador

    IPC分类号： G03F7/20 ,  C08F212/32

    CPC分类号： G03F7/091 ,  C08L25/18 ,  Y10S430/151

    摘要： Novel, developer-soluble anti-reflective coating compositions and methods of using those compositions are provided. The compositions comprise a multi-functional acid reacted with a multi-functional vinyl ether to form a branched polymer or oligomer. In use, the compositions are applied to a substrate and thermally crosslinked. Upon exposure to light and post-exposure baking, the cured polymers/oligomers will decrosslink and depolymerize, rendering the layer soluble in typical photoresist developing solutions (e.g., alkaline developers).

    摘要翻译： 提供了新颖的显影剂可溶性抗反射涂层组合物和使用这些组合物的方法。 组合物包含与多官能乙烯基醚反应形成支链聚合物或低聚物的多官能酸。 在使用中，将组合物施加到基底上并进行热交联。 在曝光和曝光后烘烤时，固化的聚合物/低聚物将脱链和解聚，使得该层可溶于典型的光致抗蚀剂显影溶液（例如碱性显影剂）。

    SPIN-ON SPACER MATERIALS FOR DOUBLE- AND TRIPLE-PATTERNING LITHOGRAPHY
    8.
    发明申请
    SPIN-ON SPACER MATERIALS FOR DOUBLE- AND TRIPLE-PATTERNING LITHOGRAPHY 有权
    用于双重和三维图案的旋转间隔材料

    公开(公告)号：US20100170868A1

    公开(公告)日：2010-07-08

    申请号：US12652464

    申请日：2010-01-05

    申请人： Qin Lin ,  Rama Puligadda ,  James Claypool ,  Douglas J. Guerrero ,  Brian Smith

    发明人： Qin Lin ,  Rama Puligadda ,  James Claypool ,  Douglas J. Guerrero ,  Brian Smith

    IPC分类号： H05K3/00

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  C08G77/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3121

    摘要： Novel double- and triple-patterning methods are provided. The methods involve applying a shrinkable composition to a patterned template structure (e.g., a structure having lines) and heating the composition. The shrinkable composition is selected to possess properties that will cause it to shrink during heating, thus forming a conformal layer over the patterned template structure. The layer is then etched to leave behind pre-spacer structures, which comprise the features from the pattern with remnants of the shrinkable composition adjacent the feature sidewalls. The features are removed, leaving behind a doubled pattern. In an alternative embodiment, an extra etch step can be carried out prior to formation of the features on the template structure, thus allowing the pattern to be tripled rather than doubled.

    摘要翻译： 提供了新的双重和三重图案化方法。 所述方法包括将可收缩的组合物应用于图案化的模板结构（例如，具有线的结构）并加热组合物。 可收缩组合物被选择为具有使其在加热期间收缩的性质，从而在图案化模板结构上形成共形层。 然后蚀刻该层以留下预间隔结构，其包含来自图案的特征，其中可收缩组合物的残余物邻近特征侧壁。 功能被删除，留下了一倍的模式。 在替代实施例中，可以在模板结构上形成特征之前执行额外蚀刻步骤，从而允许图案增加三倍而不是加倍。

    DUAL-LAYER LIGHT-SENSITIVE DEVELOPER-SOLUBLE BOTTOM ANTI-REFLECTIVE COATINGS FOR 193-NM LITHOGRAPHY
    9.
    发明申请
    DUAL-LAYER LIGHT-SENSITIVE DEVELOPER-SOLUBLE BOTTOM ANTI-REFLECTIVE COATINGS FOR 193-NM LITHOGRAPHY 有权
    用于193-NM光刻的双层感光开发者可溶底部抗反射涂层

    公开(公告)号：US20090226672A1

    公开(公告)日：2009-09-10

    申请号：US12389135

    申请日：2009-02-19

    申请人： Jim D. Meador ,  Douglas J. Guerrero ,  Ramil-Marcelo L. Mercado

    发明人： Jim D. Meador ,  Douglas J. Guerrero ,  Ramil-Marcelo L. Mercado

    IPC分类号： H01L21/027 ,  B05D5/06 ,  B05D3/06 ,  B32B3/00

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/039 ,  G03F7/095 ,  G03F7/2041 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31504

    摘要： The present invention provides methods of fabricating microelectronics structures and the resulting structures formed thereby using a dual-layer, light-sensitive, wet-developable bottom anti-reflective coating stack to reduce reflectance from the substrate during exposure. The invention provides dye-filled and dye-attached compositions for use in the anti-reflective coatings. The anti-reflective coatings are thermally crosslinkable and photochemically decrosslinkable. The bottom anti-reflective coating stack has gradient optical properties and develops at the same time as the photoresist. The method and structure are particularly suited to high-NA lithography processes.

    摘要翻译： 本发明提供了制造微电子结构的方法，并且由此形成的所得到的结构使用双层，光敏，可湿式显影的底部抗反射涂层叠层，以在曝光期间降低基板的反射率。 本发明提供了用于抗反射涂层的染料填充和染料附着组合物。 抗反射涂层是可热交联的和光化学上可交联的。 底部抗反射涂层堆叠具有梯度光学性质，并与光致抗蚀剂同时发展。 该方法和结构特别适用于高NA光刻工艺。

    Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition
    10.
    发明授权
    Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition 失效
    通过化学气相沉积沉积的有机高分子抗反射涂层

    公开(公告)号：US06900000B2

    公开(公告)日：2005-05-31

    申请号：US10185622

    申请日：2002-06-28

    申请人： Ram W. Sabnis ,  Douglas J. Guerrero ,  Terry Brewer ,  Mary J. Spencer

    发明人： Ram W. Sabnis ,  Douglas J. Guerrero ,  Terry Brewer ,  Mary J. Spencer

    IPC分类号： G03F7/11 ,  C23C16/46 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G03F7/091 ,  Y10S430/136 ,  Y10S430/151

    摘要： An improved method for applying organic antireflective coatings to substrate surfaces and the resulting precursor structures are provided. Broadly, the methods comprise chemical vapor depositing (CVD) an antireflective compound on the substrate surface. In one embodiment, the compound is highly strained (e.g., having a strain energy of at least about 10 kcal/mol) and comprises two cyclic moieties joined to one another via a linkage group. The most preferred monomers are [2.2](1,4)-naphthalenophane and [2.2](9,10)-anthracenophane. The CVD processes comprise heating the antireflective compound so as to vaporize it, and then pyrolizing the vaporized compound to form stable diradicals which are subsequently polymerized on a substrate surface in a deposition chamber. The inventive methods are useful for providing highly conformal antireflective coatings on large substrate surfaces having super submicron (0.25 μm or smaller) features.

    摘要翻译： 提供了一种用于将有机抗反射涂层施加到基底表面和所得前体结构的改进方法。 广泛地，这些方法包括在基片表面上化学气相沉积（CVD）抗反射化合物。 在一个实施方案中，化合物是高度应变的（例如具有至少约10kcal / mol的应变能），并且包含通过连接基彼此连接的两个环状部分。 最优选的单体是[2.2]（1,4） - 萘环戊烷和[2.2]（9,10） - 蒽环庚烷。 CVD工艺包括加热抗反射化合物以使其蒸发，然后热解汽化的化合物以形成稳定的双基质，随后在沉积室中的基底表面上聚合。 本发明的方法可用于在具有超亚微米（0.25μm或更小）特征的大衬底表面上提供高保形抗反射涂层。