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    HDP-CVD SYSTEM
    8.
    发明申请
    HDP-CVD SYSTEM 审中-公开
    HDP-CVD系统

    公开(公告)号：US20120000423A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：US13229347

    申请日：2011-09-09

    申请人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen ,  Shing-Ann Luo

    发明人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen ,  Shing-Ann Luo

    IPC分类号： C23C16/50

    CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76224

    摘要： An HDP-CVD system is described, including an HDP-CVD chamber for depositing a material on a wafer, and a pre-heating chamber disposed outside of the HDP-CVD chamber to pre-heat the wafer, before the wafer is loaded in the HDP-CVD chamber, to a temperature higher than room temperature and required in the deposition step to be conducted in the HDP-CVD chamber. The pre-heating chamber is equipped with a heating lamp for the pre-heating. The wafer has been formed with a trench before being pre-heated.

    摘要翻译： 描述了一种HDP-CVD系统，其包括用于在晶片上沉积材料的HDP-CVD室和设置在HDP-CVD室外部的预热室，以在晶片装载到晶片之前预热晶片 HDP-CVD室至高于室温的温度，并且在沉积步骤中需要在HDP-CVD室中进行。 预热室配备有用于预热的加热灯。 在预加热之前，晶片已经形成有沟槽。

    Contact barrier layer deposition process
    10.
    发明授权
    Contact barrier layer deposition process 有权
    接触阻挡层沉积工艺

    公开(公告)号：US07846835B2

    公开(公告)日：2010-12-07

    申请号：US11950319

    申请日：2007-12-04

    申请人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

    发明人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556

    摘要： A method for depositing a barrier layer onto a substrate is disclosed. A layer of titanium (Ti) is deposited onto the substrate using an ionized metal plasma (IMP) physical vapor deposition process. The IMP process includes: generating gaseous ions, accelerating the gaseous ions towards a titanium target, sputtering the titanium atoms from the titanium target with the gaseous ions, ionizing the titanium atoms using a plasma, and depositing the ionized titanium atoms onto the substrate to form the layer of Ti. A first layer of titanium nitride (TiN) is deposited onto the layer of Ti using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process. A second layer of TiN is deposited onto the first layer of TiN using a thermal chemical vapor deposition process. The newly completed barrier layer is annealed in the presence of nitrogen at a temperature of between about 500° C. to about 750° C.

    摘要翻译： 公开了一种在衬底上沉积阻挡层的方法。 使用电离金属等离子体（IMP）物理气相沉积工艺将一层钛（Ti）沉积到衬底上。 IMP过程包括：产生气体离子，将气态离子加速到钛靶，用钛离子溅射钛原子与气态离子，使用等离子体离子化钛原子，并将离子化的钛原子沉积到基底上形成 Ti层。 使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺将第一层氮化钛（TiN）沉积到Ti层上。 使用热化学气相沉积工艺将第二层TiN沉积到第一TiN层上。 将新完成的阻挡层在氮气存在下在约500℃至约750℃的温度下进行退火。