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    HDP-CVD SYSTEM
    6.
    发明申请
    HDP-CVD SYSTEM 审中-公开
    HDP-CVD系统

    公开(公告)号：US20120000423A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：US13229347

    申请日：2011-09-09

    申请人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen ,  Shing-Ann Luo

    发明人： Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen ,  Shing-Ann Luo

    IPC分类号： C23C16/50

    CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76224

    摘要： An HDP-CVD system is described, including an HDP-CVD chamber for depositing a material on a wafer, and a pre-heating chamber disposed outside of the HDP-CVD chamber to pre-heat the wafer, before the wafer is loaded in the HDP-CVD chamber, to a temperature higher than room temperature and required in the deposition step to be conducted in the HDP-CVD chamber. The pre-heating chamber is equipped with a heating lamp for the pre-heating. The wafer has been formed with a trench before being pre-heated.

    摘要翻译： 描述了一种HDP-CVD系统，其包括用于在晶片上沉积材料的HDP-CVD室和设置在HDP-CVD室外部的预热室，以在晶片装载到晶片之前预热晶片 HDP-CVD室至高于室温的温度，并且在沉积步骤中需要在HDP-CVD室中进行。 预热室配备有用于预热的加热灯。 在预加热之前，晶片已经形成有沟槽。

    Isolation structure, non-volatile memory having the same, and method of fabricating the same
    10.
    发明授权
    Isolation structure, non-volatile memory having the same, and method of fabricating the same 有权
    隔离结构，具有相同的非易失性存储器及其制造方法

    公开(公告)号：US08653592B2

    公开(公告)日：2014-02-18

    申请号：US13291374

    申请日：2011-11-08

    申请人： Ming-Da Cheng ,  Chin-Tsan Yeh ,  Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

    发明人： Ming-Da Cheng ,  Chin-Tsan Yeh ,  Tuung Luoh ,  Chin-Ta Su ,  Ta-Hung Yang ,  Kuang-Chao Chen

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/76 ,  H01L29/792

    CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/76205

    摘要： A method of forming an isolation structure, comprising: (a) providing a base having a recess; (b) forming a stop layer on the base and in the recess; (c) forming a dielectric material on the stop layer so as to allow the rest of the recess to be filled with the dielectric material; (d) removing the dielectric material over the base by performing a chemical mechanical polishing (CMP) process until a part of the stop layer is exposed so as to form a dielectric layer in the recess; and (e) removing a part of the stop layer, wherein the another part of the stop layer and the dielectric layer filled in the recess constitute the isolation structure.

    摘要翻译： 一种形成隔离结构的方法，包括：（a）提供具有凹部的基部; （b）在基座和凹槽中形成停止层; （c）在所述阻挡层上形成电介质材料，以允许所述凹部的其余部分填充所述电介质材料; （d）通过进行化学机械抛光（CMP）工艺在基底上去除电介质材料，直到一部分停止层被暴露以在凹槽中形成电介质层; 和（e）去除所述阻挡层的一部分，其中所述阻挡层的另一部分和填充在所述凹部中的所述电介质层构成所述隔离结构。