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公开(公告)号：US20120000423A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：US13229347
申请日：2011-09-09
申请人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen , Shing-Ann Luo
发明人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen , Shing-Ann Luo
IPC分类号： C23C16/50
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/0209 , C23C16/045 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76224
摘要： An HDP-CVD system is described, including an HDP-CVD chamber for depositing a material on a wafer, and a pre-heating chamber disposed outside of the HDP-CVD chamber to pre-heat the wafer, before the wafer is loaded in the HDP-CVD chamber, to a temperature higher than room temperature and required in the deposition step to be conducted in the HDP-CVD chamber. The pre-heating chamber is equipped with a heating lamp for the pre-heating. The wafer has been formed with a trench before being pre-heated.
摘要翻译： 描述了一种HDP-CVD系统，其包括用于在晶片上沉积材料的HDP-CVD室和设置在HDP-CVD室外部的预热室，以在晶片装载到晶片之前预热晶片 HDP-CVD室至高于室温的温度，并且在沉积步骤中需要在HDP-CVD室中进行。 预热室配备有用于预热的加热灯。 在预加热之前，晶片已经形成有沟槽。
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2.发明授权公开(公告)号：US08184288B2
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：US12540001
申请日：2009-08-12
申请人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： G01J3/30
CPC分类号： H01J37/32972 , G01N21/68 , H01J37/32935
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.
摘要翻译： 提供了一种用于等离子体处理机的先进过程控制（APC）系统，其包括至少一个光发射光谱（OES）系统和APC分析装置。 OES系统用于监测等离子体处理机中的测试对象。 APC分析装置用于分析从OES系统接收到的数据。
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3.发明申请HDP-CVD PROCESS, FILLING-IN PROCESS UTILIZING HDP-CVD, AND HDP-CVD SYSTEM 有权HDP-CVD工艺，使用HDP-CVD的填充工艺和HDP-CVD系统公开(公告)号：US20100041245A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：US12193442
申请日：2008-08-18
申请人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen , Shing-Ann Luo
发明人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen , Shing-Ann Luo
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/0209 , C23C16/045 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76224
摘要： An HDP-CVD process is described, including a deposition step conducted in an HDP-CVD chamber and a pre-heating step that is performed outside of the HDP-CVD chamber before the deposition step and pre-heats a wafer to a temperature higher than room temperature and required in the HDP-CVD process deposition step.
摘要翻译： 描述了HDP-CVD工艺，包括在HDP-CVD室内进行的沉积步骤和在沉积步骤之前在HDP-CVD室外进行的预热步骤，并将晶片预热至高于 室温，并且在HDP-CVD工艺沉积步骤中是必需的。
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公开(公告)号：US08085390B2
公开(公告)日：2011-12-27
申请号：US11737541
申请日：2007-04-19
申请人： Tuung Luoh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32935 , H01J37/32972
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.
摘要翻译： 提供了一种用于等离子体处理机的先进过程控制（APC）系统，其包括至少一个光发射光谱（OES）系统和APC分析装置。 OES系统用于监测等离子体处理机中的测试对象。 APC分析装置用于分析从OES系统接收到的数据。
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公开(公告)号：US20090299668A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：US12540001
申请日：2009-08-12
申请人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
CPC分类号： H01J37/32972 , G01N21/68 , H01J37/32935
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.
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6.发明申请公开(公告)号：US20080123082A1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：US11737541
申请日：2007-04-19
申请人： Tuung LUOH , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung LUOH , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： G01N21/68 , H01J37/32935 , H01J37/32972
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.
摘要翻译： 提供了一种用于等离子体处理机的先进过程控制（APC）系统，其包括至少一个光发射光谱（OES）系统和APC分析装置。 OES系统用于监测等离子体处理机中的测试对象。 APC分析装置用于分析从OES系统接收到的数据。
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7.发明授权Method of forming a deposited material by utilizing a multi-step deposition/etch/deposition (D/E/D) process 有权通过利用多步沉积/蚀刻/沉积（D / E / D）工艺形成沉积材料的方法公开(公告)号：US08520194B2
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：US12248547
申请日：2008-10-09
申请人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： G01N21/00
CPC分类号： H01J37/32972 , G01N21/68 , H01J37/32935
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.
摘要翻译： 提供了一种用于等离子体处理机的先进过程控制（APC）系统，其包括至少一个光发射光谱（OES）系统和APC分析装置。 OES系统用于监测等离子体处理机中的测试对象。 APC分析装置用于分析从OES系统接收到的数据。
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8.发明授权HDP-CVD process, filling-in process utilizing HDP-CVD, and HDP-CVD system 有权HDP-CVD工艺，使用HDP-CVD的填充工艺和HDP-CVD系统公开(公告)号：US08034691B2
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：US12193442
申请日：2008-08-18
申请人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen , Shing-Ann Luo
发明人： Tuung Luoh , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen , Shing-Ann Luo
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/0209 , C23C16/045 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76224
摘要： An HDP-CVD process is described, including a deposition step conducted in an HDP-CVD chamber and a pre-heating step that is performed outside of the HDP-CVD chamber before the deposition step and pre-heats a wafer to a temperature higher than room temperature and required in the HDP-CVD process deposition step.
摘要翻译： 描述了HDP-CVD工艺，包括在HDP-CVD室内进行的沉积步骤和在沉积步骤之前在HDP-CVD室外进行的预热步骤，并将晶片预热至高于 室温，并且在HDP-CVD工艺沉积步骤中是必需的。
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9.发明申请公开(公告)号：US20090033915A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：US12248547
申请日：2008-10-09
申请人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
发明人： Tuung Luoh , Sheng-Hui Hsieh , Shing-Ann Luo , Chin-Ta Su , Ta-Hung Yang , Kuang-Chao Chen
IPC分类号： G01N21/00 , H01L21/3065 , H01L21/30
CPC分类号： H01J37/32972 , G01N21/68 , H01J37/32935
摘要： An advance process control (APC) system for a plasma process machine is provided, which includes at least an optical emission spectroscopy (OES) system and an APC analysis apparatus. The OES system is used for monitoring a testing object in the plasma process machine. The APC analysis apparatus is used for analyzing the data received from the OES system.
摘要翻译： 提供了一种用于等离子体处理机的先进过程控制（APC）系统，其包括至少一个光发射光谱（OES）系统和APC分析装置。 OES系统用于监测等离子体处理机中的测试对象。 APC分析装置用于分析从OES系统接收到的数据。
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公开(公告)号：US20060237802A1
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：US11110862
申请日：2005-04-21
申请人： Lee-Jen Chen , Chin-Ta Su , Kuang-Wen Liu , Chien-Hung Lu , Shing-Ann Luo
发明人： Lee-Jen Chen , Chin-Ta Su , Kuang-Wen Liu , Chien-Hung Lu , Shing-Ann Luo
IPC分类号： H01L29/76
CPC分类号： H01L21/31612 , G11C16/0466 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/316 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/40114 , H01L29/40117 , H01L29/66825 , H01L29/66833
摘要： A method for forming a memory device includes providing a substrate, providing a plurality of features on the substrate, and forming a silicon-rich dielectric layer over the features. An inter-layer dielectric (ILD) or inter-metal dielectric (IMD) layer may be formed by a spin-on-glass (SOG) process on the silicon-rich dielectric layer, the silicon-rich dielectric layer preventing diffusion of a solvent used in the SOG process.
摘要翻译： 用于形成存储器件的方法包括提供衬底，在衬底上提供多个特征，以及在特征上形成富硅介电层。 层间电介质（ILD）或金属间电介质（IMD）层可以通过在富硅介电层上的旋涂玻璃（SOG）工艺形成，富硅介电层防止溶剂扩散 用于SOG过程。
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