公开(公告)号：US07339267B2

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：US11140351

申请日：2005-05-26

申请人： Vasile Romega Thompson ,  Jason Fender ,  Terry K. Daly ,  Jin-Wook Jang

发明人： Vasile Romega Thompson ,  Jason Fender ,  Terry K. Daly ,  Jin-Wook Jang

IPC分类号： H01L23/10

CPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/481 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor packages (100) that prevent the leaching of gold from back metal layers (118) into the solder (164) and methods for fabricating the same are provided. An exemplary method comprises providing a semiconductor wafer stack (110) including metal pads (112) and a substrate (116). An adhesion/plating layer (115) is formed on the substrate (116). A layer of gold (118) is plated on the adhesion/plating layer (115). The layer of gold is etched in a street area (124) to expose edge portions (128) of the layer of gold (118) and the adhesion/plating layer (115). A layer of barrier metal (130) is deposited to form an edge seal (129) about the exposed edge portions (128). The edge seal (129) prevents the leaching of gold from back metal layers (118) into the solder (162) when the wafer stack (110) is soldered to a leadframe (162).

摘要翻译： 提供了防止金从后金属层（118）浸入焊料（164）中的半导体封装（100）及其制造方法。 一种示例性方法包括提供包括金属焊盘（112）和衬底（116）的半导体晶片堆叠（110）。 在基板（116）上形成粘合/镀层（115）。 一层金（118）被镀在粘合/镀层（115）上。 在街道区域（124）中蚀刻金层以暴露金层（118）和粘附/镀层（115）的边缘部分（128）。 沉积一层阻挡金属（130）以形成围绕暴露的边缘部分（128）的边缘密封（129）。 当晶片堆叠（110）被焊接到引线框架（162）时，边缘密封件（129）防止金从后金属层（118）浸入焊料（162）中。

公开(公告)号：US20060270194A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11140351

申请日：2005-05-26

申请人： Vasile Thompson ,  Jason Fender ,  Terry Daly ,  Jin-Wook Jang

发明人： Vasile Thompson ,  Jason Fender ,  Terry Daly ,  Jin-Wook Jang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/481 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor packages (100) that prevent the leaching of gold from back metal layers (118) into the solder (164) during the die attachment process and methods for fabricating the same are provided. A method in accordance with the invention comprises providing a semiconductor wafer stack (110) including a plurality of metal pads (112). An adhesion/plating layer (115) is formed on a surface (119) of a substrate (116). A layer of gold (118) is plated on a surface of the adhesion/plating layer (115). The layer of gold is etched in a street area (124) using standard photolithography techniques to expose edge portions (128) of the layer of gold (118) and the adhesion/plating layer (115). A layer of barrier metal (130) is deposited to form an edge seal (129) about the exposed edges (128) of the layer of gold (118) the adhesion/plating layer (115). The semiconductor wafer stack (110) is diced in the street area (124) and soldered to a leadframe (162) to form a semiconductor package (100) that provides for an edge seal (128) to prevent the leaching of gold from back metal layers (118) into the solder (162).

摘要翻译： 提供了防止在模具附接过程期间将金从后金属层（118）浸入焊料（164）中的半导体封装（100）及其制造方法。 根据本发明的方法包括提供包括多个金属焊盘（112）的半导体晶片堆叠（110）。 在基板（116）的表面（119）上形成粘合/镀层（115）。 将金层（118）镀在粘合/镀层（115）的表面上。 使用标准光刻技术在街道区域（124）中蚀刻金层，以暴露金层（118）和粘附/镀层（115）的边缘部分（128）。 沉积一层阻挡金属（130），以形成围绕粘合/镀层（115）的金层（118）的暴露边缘（128）的边缘密封（129）。 半导体晶片堆叠（110）在街道区域（124）中切割并焊接到引线框架（162）以形成提供边缘密封（128）以防止金从背面金属浸出的半导体封装（100） 层（118）进入焊料（162）。

公开(公告)号：US08753983B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US12683961

申请日：2010-01-07

申请人： Jin-Wook Jang ,  Lalgudi M. Mahalingam ,  Audel A. Sanchez ,  Lakshminarayan Viswanathan

发明人： Jin-Wook Jang ,  Lalgudi M. Mahalingam ,  Audel A. Sanchez ,  Lakshminarayan Viswanathan

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/057 ,  H01L23/3731 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0489 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method includes providing a silicon-containing die and providing a heat sink having a palladium layer over a first surface of the heat sink. A first gold layer is located over one of a first surface of the die or the palladium layer. The silicon-containing die is bonded to the heat sink, where bonding includes joining the silicon-containing die and the heat sink such that the first gold layer and the palladium layer are between the first surface of the silicon-containing die and the first surface of the heat sink, and heating the first gold layer and the palladium layer to form a die attach layer between the first surface of the silicon-containing die and the first surface of the heat sink, the die attach layer comprising a gold interface layer having a plurality of intermetallic precipitates, each of the plurality of intermetallic precipitates comprising palladium, gold, and silicon.

摘要翻译： 一种方法包括提供含硅模头并且在散热器的第一表面上提供具有钯层的散热器。 第一金层位于管芯的第一表面或钯层之一上。 所述含硅芯片与所述散热器接合，其中，所述接合包括将所述含硅芯片与所述散热器接合，使得所述第一金层和所述钯层位于所述含硅模具的所述第一表面和所述第一表面之间 并且加热所述第一金层和所述钯层以在所述含硅芯片的所述第一表面和所述散热器的所述第一表面之间形成管芯附着层，所述管芯附着层包括金界面层，所述金界面层具有 多个金属间化合物沉淀物，多个金属间析出物中的每一个包括钯，金和硅。

公开(公告)号：US20120100169A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13379212

申请日：2009-10-20

申请人： Hong-Jin Kim ,  Na Gyong Lee ,  Yang-Je Cho ,  Jin-Wook Jang ,  Hyoung Jin Kim ,  Kwang Sung Kim

发明人： Hong-Jin Kim ,  Na Gyong Lee ,  Yang-Je Cho ,  Jin-Wook Jang ,  Hyoung Jin Kim ,  Kwang Sung Kim

IPC分类号： A61K39/12 ,  A61P35/00 ,  C12N1/19 ,  A61P37/04 ,  C12P21/02 ,  C12N15/37

CPC分类号： A61K39/12 ,  A61K39/39 ,  A61K2039/5258 ,  A61K2039/55505 ,  A61K2039/55572 ,  A61K2039/70 ,  C12N2710/20023 ,  C12N2710/20034

摘要： The present invention relates to a pharmaceutical vaccine composition for a human cervical cancer, comprising: (a) (i) a L1 virus-like particle (VLP) of human papillomavirus (HPV) type 16, a L1 VLP of HPV type 18, or a combination thereof; and (ii) a deacylated non-toxic lipooligosaccharide (LOS); and (b) a pharmaceutically acceptable carrier; and a method for preparing a human papillomavirus (HPV) L1 virus-like particle (VLP). The pharmaceutical vaccine composition of the present invention is in both Th1-type immune response (cellular immunity) and Th2-type immune response (humoral immunity) against HPV more excellent than Cervrix™ and Gardasil™, exhibiting a superior efficacy as a vaccine for a human cervical cancer.

摘要翻译： 本发明涉及用于人宫颈癌的药物疫苗组合物，其包括：（i）（i）16型人乳头状瘤病毒（HPV）的L1病毒样颗粒（VLP），HPV 18型的L1 VLP或 其组合; 和（ii）脱酰无毒低密度寡糖（LOS）; 和（b）药学上可接受的载体; 以及制备人乳头状瘤病毒（HPV）L1病毒样颗粒（VLP）的方法。 本发明的药物疫苗组合物具有比Cervrix TM和Gardasil TM更优异的Th1型免疫应答（细胞免疫）和对HPV的Th2型免疫应答（体液免疫），表现出作为疫苗的优异功效 人宫颈癌。

公开(公告)号：US20100297100A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12678898

申请日：2007-09-21

申请人： Jin-Wook Jang ,  Hyeong-Joon Lim ,  Yang-Je Cho ,  Won-Il Yoo ,  Doo-Sik Kim ,  Oh-Woong Kwon ,  Kyoung-Chul Ko ,  Kyung-Sul Kim

发明人： Jin-Wook Jang ,  Hyeong-Joon Lim ,  Yang-Je Cho ,  Won-Il Yoo ,  Doo-Sik Kim ,  Oh-Woong Kwon ,  Kyoung-Chul Ko ,  Kyung-Sul Kim

IPC分类号： A61K38/48 ,  A61P27/06

CPC分类号： A61K38/4833

摘要： Disclosed is a composition for treating retinopathy comprising thrombin derived peptide as an effective component.

摘要翻译： 公开了用于治疗视网膜病变的组合物，其包含凝血酶衍生肽作为有效成分。

公开(公告)号：US06790759B1

公开(公告)日：2004-09-14

申请号：US10631102

申请日：2003-07-31

申请人： James Jen-Ho Wang ,  Jin-Wook Jang ,  Alfredo Mendoza ,  Rajashi Runton ,  Russell Shumway

发明人： James Jen-Ho Wang ,  Jin-Wook Jang ,  Alfredo Mendoza ,  Rajashi Runton ,  Russell Shumway

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02335 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/081 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device (51) is provided. The device (51) comprises a die (53) having a contact pad (61) thereon, a redistribution conductor (59) having a base portion (64) which is in electrical communication with the contact pad (61) and a laterally extending portion (63), a bumped contact (65) which is in electrical communication with the redistribution conductor (59), and a passivation layer (57) disposed between the laterally extending portion (63) of the redistribution conductor (59) and the die (53). Preferably, the redistribution conductor (59) is convoluted and is adapted to peel or delaminate from the passivation layer (57) under sufficient stress so that it can shift relative to the passivation layer (57) and base portion (64) to relieve mechanical stress between substrate (69) and the die (53). Bump and coiled redistribution conductor (59) accommodating small CTE mis-match strain without failure allows DCA flip-chip to be reliable without underfill or additional assembly process.

摘要翻译： 提供半导体器件（51）。 所述装置（51）包括其上具有接触垫（61）的模具（53），具有与所述接触垫（61）电连通的基部（64）的再分配导体（59）和横向延伸部分 （63），与再分布导体（59）电连通的凸起触头（65）和设置在再分布导体（59）的横向延伸部分（63）和模具（...）之间的钝化层（57） 53）。 优选地，再分配导体（59）被卷积并且适于在足够的应力下从钝化层（57）剥离或分层，使得其可以相对于钝化层（57）和基部（64）移动以减轻机械应力 在基板（69）和模具（53）之间。 容纳小CTE失配应变而不会发生故障的凸起和卷绕再分配导体（59）允许DCA倒装芯片可靠，无需底部填充或额外的组装过程。

公开(公告)号：US09566323B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US13379212

申请日：2009-10-20

申请人： Hong-Jin Kim ,  Na Gyong Lee ,  Yang-Je Cho ,  Jin-Wook Jang ,  Hyoung Jin Kim ,  Kwang Sung Kim

发明人： Hong-Jin Kim ,  Na Gyong Lee ,  Yang-Je Cho ,  Jin-Wook Jang ,  Hyoung Jin Kim ,  Kwang Sung Kim

IPC分类号： A61K39/12 ,  A61K39/39 ,  A61K39/00

CPC分类号： A61K39/12 ,  A61K39/39 ,  A61K2039/5258 ,  A61K2039/55505 ,  A61K2039/55572 ,  A61K2039/70 ,  C12N2710/20023 ,  C12N2710/20034

摘要： The present invention relates to a pharmaceutical vaccine composition for a human cervical cancer, comprising: (a) (i) a L1 virus-like particle (VLP) of human papillomavirus (HPV) type 16, a L1 VLP of HPV type 18, or a combination thereof; and (ii) a deacylated non-toxic lipooligosaccharide (LOS); and (b) a pharmaceutically acceptable carrier; and a method for preparing a human papillomavirus (HPV) L1 virus-like particle (VLP). The pharmaceutical vaccine composition of the present invention is in both Th1-type immune response (cellular immunity) and Th2-type immune response (humoral immunity) against HPV more excellent than Cervrix™ and Gardasil™, exhibiting a superior efficacy as a vaccine for a human cervical cancer.

摘要翻译： 本发明涉及用于人宫颈癌的药物疫苗组合物，其包括：（i）（i）16型人乳头状瘤病毒（HPV）的L1病毒样颗粒（VLP），HPV 18型的L1 VLP或 其组合; 和（ii）脱酰无毒低密度寡糖（LOS）; 和（b）药学上可接受的载体; 以及制备人乳头状瘤病毒（HPV）L1病毒样颗粒（VLP）的方法。 本发明的药物疫苗组合物具有比Cervrix TM和Gardasil TM更优异的Th1型免疫应答（细胞免疫）和对HPV的Th2型免疫应答（体液免疫），表现出作为疫苗的优异功效 人宫颈癌。

公开(公告)号：US08092186B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12430235

申请日：2009-04-27

申请人： Jin-Wook Jang ,  Yong-Taek Hwang ,  Young-seok Choi ,  Kyoung-Yong Lee ,  Uk-Hee Jeong ,  Murase Seiji

发明人： Jin-Wook Jang ,  Yong-Taek Hwang ,  Young-seok Choi ,  Kyoung-Yong Lee ,  Uk-Hee Jeong ,  Murase Seiji

IPC分类号： F04D29/18

CPC分类号： F04D5/002 ,  F04D29/188 ,  F04D29/669

摘要： A random pitch impeller for a fuel pump has number of blades. An incremental angle of the blades is set by the expression: Δθ ⁢ ⁢ i = ( 360 N ) + ( - 1 ) i × Am × sin ⁡ ( p 1 × 360 N × i ) × cos ⁡ ( P 2 × 360 N × i ) , where ΔθI is the incremental angle between the blades, N is the total number of blades (N=2, 3, 5, 7, 11, 13, 17, . . . ), Am is the distribution magnitude of the inter-blade interval (equally divided angle) (0

摘要翻译： 用于燃料泵的随机桨距叶轮具有多个叶片。 叶片的增量角度由以下表达式设置：＆Dgr;＆thetas; ⁢i =（360 N）+（ - 1）i×Am×sin⁡（p 1×360 N×i）×cos⁡（P 2×360 N×i），其中＆Dgr;＆Theta; I是增量 叶片之间的角度，N是叶片的总数（N = 2,3,5,7,11,13,17，...），Am是叶片间间隔的分布幅度（等分角） （0

公开(公告)号：US20090220463A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12087763

申请日：2007-01-19

申请人： Doo-Sik Kim ,  Yang-Je Cho ,  Won-Il Yoo ,  Oh-Woong Kwon ,  Jin-Wook Jang ,  Hyeong-Joon Lim ,  Soo-Mee Kwon

发明人： Doo-Sik Kim ,  Yang-Je Cho ,  Won-Il Yoo ,  Oh-Woong Kwon ,  Jin-Wook Jang ,  Hyeong-Joon Lim ,  Soo-Mee Kwon

IPC分类号： A61K35/12 ,  A61K38/06

CPC分类号： A61K38/06 ,  A61K38/17 ,  A61K38/4886 ,  C12N9/6489

摘要： Disclosed is a composition for treating vascular diseases by acting on abnormal angiogenesis by means of secretion of angiopoietins.

摘要翻译： 公开了一种通过血管生成素分泌作用于血管生成异常来治疗血管疾病的组合物。

公开(公告)号：US20110163439A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US12683961

申请日：2010-01-07

申请人： Jin-Wook Jang ,  Lalgudi M. Mahalingam ,  Audel A. Sanchez ,  Lakshminarayan Viswanathan

发明人： Jin-Wook Jang ,  Lalgudi M. Mahalingam ,  Audel A. Sanchez ,  Lakshminarayan Viswanathan

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/057 ,  H01L23/3731 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0489 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method includes providing a silicon-containing die and providing a heat sink having a palladium layer over a first surface of the heat sink. A first gold layer is located over one of a first surface of the die or the palladium layer. The silicon-containing die is bonded to the heat sink, where bonding includes joining the silicon-containing die and the heat sink such that the first gold layer and the palladium layer are between the first surface of the silicon-containing die and the first surface of the heat sink, and heating the first gold layer and the palladium layer to form a die attach layer between the first surface of the silicon-containing die and the first surface of the heat sink, the die attach layer comprising a gold interface layer having a plurality of intermetallic precipitates, each of the plurality of intermetallic precipitates comprising palladium, gold, and silicon.

摘要翻译： 一种方法包括提供含硅模头并且在散热器的第一表面上提供具有钯层的散热器。 第一金层位于管芯的第一表面或钯层之一上。 所述含硅芯片与所述散热器接合，其中，所述接合包括将所述含硅芯片与所述散热器接合，使得所述第一金层和所述钯层位于所述含硅模具的所述第一表面和所述第一表面之间 并且加热所述第一金层和所述钯层以在所述含硅芯片的所述第一表面和所述散热器的所述第一表面之间形成管芯附着层，所述管芯附着层包括金界面层，所述金界面层具有 多个金属间化合物沉淀物，多个金属间析出物中的每一个包括钯，金和硅。