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    Methods and apparatus for trellis-based modulation encoding
    1.
    发明授权
    Methods and apparatus for trellis-based modulation encoding 有权
    用于网格调制编码的方法和装置

    公开(公告)号：US08599959B2

    公开(公告)日：2013-12-03

    申请号：US12982129

    申请日：2010-12-30

    申请人： Victor Krachkovsky ,  Shaohua Yang ,  Erich F. Haratsch ,  Johnson Yen

    发明人： Victor Krachkovsky ,  Shaohua Yang ,  Erich F. Haratsch ,  Johnson Yen

    IPC分类号： H04L27/00

    CPC分类号： H04L1/0059 ,  H03M5/145 ,  H03M13/256 ,  H03M13/31 ,  H03M13/3994 ,  H03M13/4161 ,  H03M13/6343 ,  H04L1/0042

    摘要： Methods and apparatus are provided for trellis-based modulation encoding. A signal is modulation encoded by encoding one or more blocks of the signal using one or more corresponding edges in a trellis, wherein each edge in the trellis has a corresponding bit pattern; selecting a winning path through the trellis based on at least one transition-based run-length constraint; and generating an encoded sequence using edges associated with the winning path. Exemplary trellis pruning techniques are also provided. The winning path through the trellis is selected by minimizing one or more modulation metrics.

    摘要翻译： 为基于网格的调制编码提供了方法和装置。 通过使用网格中的一个或多个相应边缘编码信号的一个或多个块来对信号进行调制，其中网格中的每个边缘具有对应的位模式; 基于至少一个基于过渡的游程长度约束来选择通过网格的获胜路径; 以及使用与获胜路径相关联的边缘生成编码序列。 还提供了示例性网格修剪技术。 通过最小化一个或多个调制度量来选择通过网格的获胜路径。

    METHODS AND APPARATUS FOR TRELLIS-BASED MODULATION ENCODING
    2.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR TRELLIS-BASED MODULATION ENCODING 有权
    基于TRLLIS的调制编码的方法和装置

    公开(公告)号：US20120170678A1

    公开(公告)日：2012-07-05

    申请号：US12982129

    申请日：2010-12-30

    申请人： Victor Krachkovsky ,  Shaohua Yang ,  Erich F. Haratsch ,  Johnson Yen

    发明人： Victor Krachkovsky ,  Shaohua Yang ,  Erich F. Haratsch ,  Johnson Yen

    IPC分类号： H04L27/04

    CPC分类号： H04L1/0059 ,  H03M5/145 ,  H03M13/256 ,  H03M13/31 ,  H03M13/3994 ,  H03M13/4161 ,  H03M13/6343 ,  H04L1/0042

    摘要： Methods and apparatus are provided for trellis-based modulation encoding. A signal is modulation encoded by encoding one or more blocks of the signal using one or more corresponding edges in a trellis, wherein each edge in the trellis has a corresponding bit pattern; selecting a winning path through the trellis based on at least one transition-based run-length constraint; and generating an encoded sequence using edges associated with the winning path. Exemplary trellis pruning techniques are also provided. The winning path through the trellis is selected by minimizing one or more modulation metrics.

    摘要翻译： 为基于网格的调制编码提供了方法和装置。 通过使用网格中的一个或多个相应边缘编码信号的一个或多个块来对信号进行调制，其中网格中的每个边缘具有对应的位模式; 基于至少一个基于过渡的游程长度约束来选择通过网格的获胜路径; 以及使用与获胜路径相关联的边缘生成编码序列。 还提供了示例性网格修剪技术。 通过最小化一个或多个调制度量来选择通过网格的获胜路径。

    Methods and apparatus for programming multiple program values per signal level in flash memories
    3.
    发明授权
    Methods and apparatus for programming multiple program values per signal level in flash memories 有权
    闪存中每个信号电平编程多个程序值的方法和装置

    公开(公告)号：US08634250B2

    公开(公告)日：2014-01-21

    申请号：US13001295

    申请日：2009-07-21

    申请人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    发明人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5621

    摘要： Methods and apparatus are provided for programming multiple program values per signal level in flash memories. A flash memory device having a plurality of program values is programmed by programming the flash memory device for a given signal level, wherein the programming step comprises a programming phase and a plurality of verify phases. In another variation, a flash memory device having a plurality of program values is programmed, and the programming step comprises a programming phase and a plurality of verify phases, wherein at least one signal level comprises a plurality of the program values. The signal levels or the program values (or both) can be represented using one or more of a voltage, a current and a resistance.

    摘要翻译： 提供了用于在闪速存储器中编程每个信号电平的多个程序值的方法和装置。 具有多个编程值的闪速存储器件通过针对给定的信号电平对闪速存储器件进行编程来编程，其中编程步骤包括编程阶段和多个验证阶段。 在另一个实施例中，编程具有多个编程值的闪速存储器件，并且编程步骤包括编程阶段和多个验证阶段，其中至少一个信号电平包括多个程序值。 可以使用电压，电流和电阻中的一个或多个来表示信号电平或程序值（或两者）。

    Methods and apparatus for write-side intercell interference mitigation in flash memories
    4.
    发明授权
    Methods and apparatus for write-side intercell interference mitigation in flash memories 失效
    Flash存储器中写入侧小区间干扰减轻的方法和装置

    公开(公告)号：US08526230B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13001286

    申请日：2009-06-30

    申请人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    发明人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/3427 ,  G06F11/1072 ,  G11C5/00 ,  G11C7/02 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418

    摘要： Methods and apparatus are provided for write-side intercell interference mitigation in flash memories. A flash memory device is written by obtaining program data to be written to at least one target cell in the flash memory; obtaining one or more bits of program data for at least one aggressor cell to be programmed later than the target cell: and precompensating for intercell interference for the target cell by generating precompensated program values. The aggressor cells comprise one or more cells adjacent to the target cell, such as adjacent cells in a same wordline as the target cell and/or cells in an upper or lower adjacent wordline to the target cell. The precompensated program values for the target cell are optionally provided to the flash memory.

    摘要翻译： 提供了用于闪存中的写侧小区间干扰减轻的方法和装置。 通过获得写入到闪速存储器中的至少一个目标单元的程序数据来写入闪速存储器件; 为至少一个侵略者单元获得待编程的比目标小区晚的一个或多个程序数据位;并且通过产生预补偿的程序值来预补偿目标小区的小区间干扰。 侵略者细胞包括与靶细胞相邻的一个或多个细胞，例如与靶细胞相同的字线中的相邻细胞和/或与靶细胞的上或下相邻字线中的细胞。 目标单元的预补偿程序值可选地提供给闪存。

    Methods And Apparatus For Intercell Interference Mitigation Using Modulation Coding
    6.
    发明申请
    Methods And Apparatus For Intercell Interference Mitigation Using Modulation Coding 有权
    使用调制编码的小区间干扰减轻的方法和装置

    公开(公告)号：US20110216586A1

    公开(公告)日：2011-09-08

    申请号：US13001310

    申请日：2009-06-30

    申请人： Nils Graef ,  Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    发明人： Nils Graef ,  Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    IPC分类号： G11C16/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/26

    CPC分类号： G11C16/3427 ,  G06F11/1072 ,  G11C5/00 ,  G11C7/02 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418

    摘要： Methods and apparatus are provided for intercell interference mitigation using modulation coding. During programming of a flash memory, a modulation encoding is performed that selects one or more levels for programming the flash memory such that a reduced number of cells in the flash memory are programmed with a value that violates one or more predefined criteria. During a reading of a flash memory, a modulation decoding is performed that assigns one or more levels to cells in the flash memory such that a reduced number of cells in the flash memory are read with a value that violates one or more predefined criteria. The predefined criteria can be based, for example, on one or more of an amount of disturbance caused by the programmed cell; a voltage shift of a programmed cell: a voltage stored by a programmed cell; an amount of change in current through a programmed cell; and an amount of current through a programmed cell.

    摘要翻译： 提供了使用调制编码的小区间干扰减轻的方法和装置。 在闪速存储器的编程期间，执行调制编码，其选择用于编程闪速存储器的一个或多个级别，使得闪存中的减少数量的单元被编程为具有违反一个或多个预定标准的值。 在读取闪速存储器期间，执行调制解码，其向闪存中的单元分配一个或多个电平，使得闪存中的单元数目减少，其值违反一个或多个预定准则。 预定义的标准可以例如基于由编程的小区引起的干扰量的一个或多个; 编程单元的电压偏移：由编程单元存储的电压; 通过编程单元的电流变化量; 以及通过编程单元的电流量。

    Methods and apparatus for soft data generation for memory devices
    7.
    发明授权
    Methods and apparatus for soft data generation for memory devices 有权
    用于存储器件的软数据生成的方法和装置

    公开(公告)号：US08830748B2

    公开(公告)日：2014-09-09

    申请号：US13063888

    申请日：2009-09-30

    申请人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Clifton Williamson ,  Johnson Yen

    发明人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Clifton Williamson ,  Johnson Yen

    IPC分类号： G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G06F11/1012 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/2022 ,  G11C7/02 ,  G11C7/04 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5634

    摘要： Methods and apparatus are provided for soft data generation for memory devices. At least one soft data value is generated for a memory device, by obtaining at least one hard read value; and generating the soft data value associated with the at least one hard read value based on statistics for reading the hard read value. The hard read value may be one or more of data bits, voltage levels, current levels and resistance levels. The generated soft data value may be one or more of (i) a soft read value that is used to generate one or more log likelihood ratios, and (ii) one or more log likelihood ratios. The statistics comprise one or more of bit-based statistics and cell-based statistics. The statistics may also optionally comprise pattern-dependent disturbance of at least one aggressor cell on the target cell, as well as location-specific statistics. At least one soft data value can be generated for a memory device, by obtaining a soft read value; and generating the soft data value associated with the soft read value based on statistics for reading the soft read value, wherein the statistics comprise one or more of location-specific statistics and pattern-dependent statistics.

    摘要翻译： 提供了用于存储器件的软数据生成的方法和装置。 通过获得至少一个硬读取值，为存储器件生成至少一个软数据值; 以及基于用于读取硬读取值的统计量来生成与所述至少一个硬读取值相关联的软数据值。 硬读取值可以是数据位，电压电平，电流电平和电阻电平中的一个或多个。 所产生的软数据值可以是（i）用于产生一个或多个对数似然比的软读取值的一个或多个，以及（ii）一个或多个对数似然比。 统计信息包括基于位的统计信息和基于单元的统计信息中的一个或多个。 统计还可以任选地包括目标小区上的至少一个攻击者小区的模式相关干扰，以及位置特定统计。 可以通过获得软读取值来为存储器件生成至少一个软数据值; 以及基于用于读取所述软读取值的统计信息来生成与所述软读取值相关联的软数据值，其中所述统计信息包括位置特定统计信息和模式相关统计信息中的一个或多个。

    Methods and Apparatus for Write-Side Intercell Interference Mitigation in Flash Memories
    9.
    发明申请
    Methods and Apparatus for Write-Side Intercell Interference Mitigation in Flash Memories 失效
    闪存中写入端间干扰减轻的方法和装置

    公开(公告)号：US20110149657A1

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：US13001286

    申请日：2009-06-30

    申请人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    发明人： Erich F. Haratsch ,  Milos Ivkovic ,  Victor Krachkovsky ,  Nenad Miladinovic ,  Andrei Vityaev ,  Johnson Yen

    IPC分类号： G11C16/10

    CPC分类号： G11C16/3427 ,  G06F11/1072 ,  G11C5/00 ,  G11C7/02 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418

    摘要： Methods and apparatus are provided for write-side intercell interference mitigation in flash memories. A flash memory device is written by obtaining program data to be written to at least one target cell in the flash memory; obtaining one or more bits of program data for at least one aggressor cell to be programmed later than the target cell: and precompensating for intercell interference for the target cell by generating precompensated program values. The aggressor cells comprise one or more cells adjacent to the target cell, such as adjacent cells in a same wordline as the target cell and/or cells in an upper or lower adjacent wordline to the target cell. The precompensated program values for the target cell are optionally provided to the flash memory.

    摘要翻译： 提供了用于闪存中的写侧小区间干扰减轻的方法和装置。 通过获得写入到闪速存储器中的至少一个目标单元的程序数据来写入闪速存储器件; 为至少一个侵略者单元获得待编程的比目标小区晚的一个或多个程序数据位;并且通过产生预补偿的程序值来预补偿目标小区的小区间干扰。 侵略者细胞包括与靶细胞相邻的一个或多个细胞，例如与靶细胞相同的字线中的相邻细胞和/或与靶细胞的上或下相邻字线中的细胞。 目标单元的预补偿程序值可选地提供给闪存。