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    Method for making thin film transistor
    4.
    发明申请
    Method for making thin film transistor 有权
    制造薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：US20090291534A1

    公开(公告)日：2009-11-26

    申请号：US12384241

    申请日：2009-04-02

    申请人： Qun-Qing Li ,  Xue-Shen Wang ,  Kai-Li Jiang ,  Shou-Shan Fan

    发明人： Qun-Qing Li ,  Xue-Shen Wang ,  Kai-Li Jiang ,  Shou-Shan Fan

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/6675 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541

    摘要： A method for making a thin film transistor, the method comprising the steps of: providing an insulating substrate; forming a carbon nanotube layer on the insulating substrate, the carbon nanotube layer includes a plurality of carbon nanotubes; applying a source electrode and a drain electrode spaced from each other and electrically connected to two opposite ends of at least one of carbon nanotubes; covering the carbon nanotube layer with an insulating layer; and placing a gate electrode on the insulating layer, the gate electrode being opposite to and electrically insulated from the carbon nanotube layer by the insulating layer.

    摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：提供绝缘基板; 在所述绝缘基板上形成碳纳米管层，所述碳纳米管层包含多个碳纳米管; 施加彼此间隔开的电极和漏电极，并与至少一个碳纳米管的两个相对端电连接; 用绝缘层覆盖碳纳米管层; 并且在所述绝缘层上放置栅电极，所述栅电极与所述绝缘层相对并与所述碳纳米管层电绝缘。

    Method for forming recess defect on carbon nanotube
    5.
    发明授权
    Method for forming recess defect on carbon nanotube 有权
    在碳纳米管上形成凹陷缺陷的方法

    公开(公告)号：US08603347B2

    公开(公告)日：2013-12-10

    申请号：US13335925

    申请日：2011-12-22

    申请人： Xue-Shen Wang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

    发明人： Xue-Shen Wang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

    IPC分类号： B44C1/22

    CPC分类号： B82Y30/00 ,  B81C1/00063 ,  B82Y40/00

    摘要： A method for forming a recess defect on a carbon nanotube is introduced. The method includes the following steps. A substrate with a surface is provided. A first carbon nanotube is deposed on the surface of the substrate. A second carbon nanotube is crossed with the first carbon nanotube. The second carbon nanotube crosses the first carbon nanotube and is in contact with the first carbon nanotube. A mask is deposited on substrate, the first carbon nanotube, and the second carbon nanotube. The substrate is etched to remove the second carbon nanotube and form a recess defect on the first carbon nanotube at a crossing position.

    摘要翻译： 引入了在碳纳米管上形成凹陷缺陷的方法。 该方法包括以下步骤。 提供具有表面的基板。 第一碳纳米管被放置在衬底的表面上。 第二碳纳米管与第一碳纳米管交叉。 第二碳纳米管与第一碳纳米管交叉并与第一碳纳米管接触。 掩模沉积在基底，第一碳纳米管和第二碳纳米管上。 蚀刻基板以除去第二碳纳米管，并在交叉位置在第一碳纳米管上形成凹陷缺陷。

    Method for making semiconducting carbon nanotubes
    6.
    发明授权
    Method for making semiconducting carbon nanotubes 有权
    制造半导体碳纳米管的方法

    公开(公告)号：US08211398B2

    公开(公告)日：2012-07-03

    申请号：US12952536

    申请日：2010-11-23

    申请人： Xue-Shen Wang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

    发明人： Xue-Shen Wang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

    IPC分类号： B82Y40/00 ,  D01F9/12

    CPC分类号： B82Y40/00 ,  B01J23/745 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/08 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/22 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842

    摘要： A method for making semiconducting carbon nanotubes is provided. A catalyst precursor is disposed on a substrate. The catalyst precursor includes blood. Organic substances contained in the blood are removed and iron ions contained in the blood are oxidized to yield discrete ferric oxide nano-particles on the substrate. The ferric oxide nano-particles are reduced to yield isolated iron nano-particles on the substrate. Carbon nanotubes then grow on the iron nano-particles.

    摘要翻译： 提供制造半导体碳纳米管的方法。 催化剂前体设置在基板上。 催化剂前体包括血液。 血液中含有的有机物被除去，血液中含有的铁离子被氧化，在基底上产生离散的三氧化二铁纳米粒子。 还原氧化亚铁纳米颗粒以在基底上产生分离的铁纳米颗粒。 然后碳纳米管在铁纳米颗粒上生长。

    Micro heater
    7.
    发明授权
    Micro heater 有权
    微加热器

    公开(公告)号：US08492682B2

    公开(公告)日：2013-07-23

    申请号：US12981575

    申请日：2010-12-30

    申请人： Xue-Shen Wang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

    发明人： Xue-Shen Wang ,  Qun-Qing Li ,  Shou-Shan Fan

    IPC分类号： H05B3/10 ,  H01C3/14

    CPC分类号： H05B3/145 ,  H05B2214/04

    摘要： A micro heater includes a first electrode, a second electrode, a first carbon nanotube, and a second carbon nanotube. The first carbon nanotube extends from the first electrode. The second carbon nanotube branches from the second electrode. The first carbon nanotube and the second carbon nanotube intersect with each other to define a node therebetween.

    摘要翻译： 微加热器包括第一电极，第二电极，第一碳纳米管和第二碳纳米管。 第一碳纳米管从第一电极延伸。 第二碳纳米管从第二电极分支。 第一碳纳米管和第二碳纳米管彼此交叉以在其间限定一个节点。

    Phase change memory cell
    9.
    发明授权
    Phase change memory cell 有权
    相变存储单元

    公开(公告)号：US09099644B2

    公开(公告)日：2015-08-04

    申请号：US13332480

    申请日：2011-12-21

    申请人： Peng Liu ,  Qun-Qing Li ,  Kai-Li Jiang ,  Shou-Shan Fan

    发明人： Peng Liu ,  Qun-Qing Li ,  Kai-Li Jiang ,  Shou-Shan Fan

    IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/1226 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/144

    摘要： A phase change memory cell includes a first circuit and a second circuit. The first circuit comprises a first electrode, a carbon nanotube layer and a second electrode electrically connected in series. The first circuit is adapted to write data into the phase change memory cell or reset the phase change memory cell. The second circuit comprises a third electrode, a phase change layer and a fourth electrode electrically connected in series, at least part of the phase change layer is overlapped with the carbon nanotube layer. The second circuit is adapted to read data from the phase change memory cell or reset the phase change memory cell.

    摘要翻译： 相变存储单元包括第一电路和第二电路。 第一电路包括第一电极，碳纳​​米管层和串联电连接的第二电极。 第一电路适于将数据写入相变存储单元或复位相变存储单元。 第二电路包括第三电极，相变层和串联电连接的第四电极，至少部分相变层与碳纳米管层重叠。 第二电路适于从相变存储单元读取数据或者复位相变存储单元。