公开(公告)号：US20070135293A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：US11677171

申请日：2007-02-21

申请人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Naohito YAMADA ,  Toru HAYASE

发明人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Naohito YAMADA ,  Toru HAYASE

IPC分类号： C04B35/581

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B35/65 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9692 ,  Y10T428/2975 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/5029 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/455 ,  C04B41/53

摘要： An aluminum nitride ceramic including aluminum nitride grains and grain boundary phases comprises a grain boundary phase-rich layer including more amount of the grain boundary phases in a surface layer of the aluminum nitride ceramic than in an inside of the aluminum nitride ceramic. The grain boundary phases in the grain boundary phase-rich layer include at least one of rare earth element and alkali earth element.

摘要翻译： 包括氮化铝颗粒和晶界相的氮化铝陶瓷包括在氮化铝陶瓷的表面层中包含比在氮化铝陶瓷的内部包含更多量的晶界相的晶界相富集层。 晶界相富层中的晶界相包括稀土元素和碱土元素中的至少一种。

公开(公告)号：US20100104892A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12581307

申请日：2009-10-19

申请人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Akira Goto ,  Yuji Katsuda ,  Naohito Yamada

发明人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Akira Goto ,  Yuji Katsuda ,  Naohito Yamada

IPC分类号： B32B18/00 ,  C04B35/582 ,  C04B35/04

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/62815 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9692 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

摘要： The aluminum-nitride-based composite material according to the present invention is an aluminum-nitride-based composite material that is highly pure with the content ratios of transition metals, alkali metals, and boron, respectively as low as 1000 ppm or lower, has AlN and MgO constitutional phases, and additionally contains at least one selected from the group consisting of a rare earth metal oxide, a rare earth metal-aluminum complex oxide, an alkali earth metal-aluminum complex oxide, a rare earth metal oxyfluoride, calcium oxide, and calcium fluoride, wherein the heat conductivity is in the range of 40 to 150 W/mK, the thermal expansion coefficient is in the range of 7.3 to 8.4 ppm/° C., and the volume resistivity is 1×1014 Ω·cm or higher.

摘要翻译： 根据本发明的氮化铝基复合材料是高纯度的氮化铝基复合材料，其过渡金属，碱金属和硼的含量比分别低至1000ppm或更低，具有 AlN和MgO构成相，并且还含有选自稀土金属氧化物，稀土金属 - 铝复合氧化物，碱土金属 - 铝复合氧化物，稀土金属氟氧化物，氧化钙 和氟化钙，其中导热率在40〜150W / mK的范围内，热膨胀系数在7.3〜8.4ppm /℃的范围内，体积电阻率为1×10 14＆OHgr· 厘米或更高。

公开(公告)号：US20090233087A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12400194

申请日：2009-03-09

申请人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Yuji Katsuda

发明人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Yuji Katsuda

IPC分类号： B32B5/16 ,  C09K3/00

CPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  Y10T428/256

摘要： An electrostatic chuck that is a member for a semiconductor-manufacturing apparatus contains an yttrium oxide material containing first inorganic particles and second inorganic particles. The first inorganic particles form solid solutions in yttrium oxide, can be precipitated from yttrium oxide, and are present in grains of yttrium oxide. The second inorganic particles can form solid solutions in the first inorganic particles, are unlikely to form any solid solution in yttrium oxide, and are present at boundaries between the yttrium oxide grains. The first inorganic particles contain at least one of ZrO2 and HfO2. The second inorganic particles contain at least one selected from the group consisting of MgO, CaO, SrO, and BaO. The yttrium oxide material is produced in such a manner that solid solution particles are prepared by mixing and firing the first and second inorganic particles and are mixed with yttrium oxide and the mixture is fired.

摘要翻译： 作为半导体制造装置的构件的静电卡盘包含含有第一无机颗粒和第二无机颗粒的氧化钇材料。 第一种无机颗粒在氧化钇中形成固溶体，可以从氧化钇中沉淀出来，并存在于氧化钇颗粒中。 第二无机颗粒可以在第一无机颗粒中形成固溶体，不可能在氧化钇中形成任何固溶体，并且存在于氧化钇颗粒之间的边界处。 第一无机颗粒含有ZrO 2和HfO 2中的至少一种。 第二无机颗粒含有选自MgO，CaO，SrO和BaO中的至少一种。 以这样的方式制造氧化钇材料，即通过混合和烧制第一和第二无机颗粒并与氧化钇混合制备固溶体颗粒，并将混合物烧制。

公开(公告)号：US20090200523A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12369106

申请日：2009-02-11

申请人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Yuji Katsuda

发明人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Yuji Katsuda

IPC分类号： H01B1/04

CPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/6831

摘要： A substrate of an electrostatic chuck, which is a member for use in a semiconductor manufacturing apparatus, is formed of an yttrium oxide material that contains yttrium oxide (Y2O3), silicon carbide (SiC), and a compound that contains a rare-earth element (RE), Si, O, and N. The yttrium oxide material contains RE8Si4N4O14 as a compound that contains a rare-earth element (RE), Si, O, and N, wherein RE may be La or Y. Y8Si4N4O14 is produced during a sintering step of a raw material that contains the main component Y2O3 and an accessory component Si3N4. Y8Si4N4O14 and SiC in the yttrium oxide material improve mechanical strength and volume resistivity.

摘要翻译： 作为用于半导体制造装置的部件的静电卡盘的基板由含有氧化钇（Y 2 O 3），碳化硅（SiC）的氧化钇材料和含有稀土元素的化合物形成 （RE），Si，O和N.氧化钇材料含有RE8Si4N4O14作为含有稀土元素（RE），Si，O和N的化合物，其中RE可以是La或Y。Y8Si4N4O14在 包含主要成分Y 2 O 3和附属成分Si 3 N 4的原料的烧结工序。 Y8Si4N4O14和SiC在氧化钇材料中提高了机械强度和体积电阻率。

公开(公告)号：US20080226894A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12043988

申请日：2008-03-07

申请人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Yuji Katsuda ,  Hiroaki Sakai ,  Koichi Niihara ,  Tadachika Nakayama

发明人： Yoshimasa KOBAYASHI ,  Yuji Katsuda ,  Hiroaki Sakai ,  Koichi Niihara ,  Tadachika Nakayama

IPC分类号： B32B18/00 ,  B32B5/16 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/6261 ,  C04B35/505 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/68714 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/259

摘要： There is provided an yttrium oxide-containing material with excellent mechanical characteristics. The yttrium oxide-containing material becomes strong by adding silicon carbide (SiC) and yttrium fluoride (YF3) to yttrium oxide (Y2O3), and yield, handling, reliability can be improved accordingly when this strengthened yttrium oxide-containing material is applied to components of semiconductor manufacturing equipment.

摘要翻译： 提供了具有优异机械特性的含氧化钇材料。 通过向氧化钇（Y 2 N 3 O 3）中加入碳化硅（SiC）和氟化钇（YF 3 N 3），使含氧化钇的材料变强。 >），并且当将这种强化的含氧化钇的材料应用于半导体制造设备的部件时，可以相应地提高产量，处理，可靠性。