公开(公告)号：US5235212A

公开(公告)日：1993-08-10

申请号：US322488

申请日：1989-03-13

申请人： Yoshio Shimizu ,  Shoji Kotani ,  Masatugi Kawaguchi

发明人： Yoshio Shimizu ,  Shoji Kotani ,  Masatugi Kawaguchi

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L21/607 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/495 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/5328 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253

摘要： A metal having a Knoop hardness of 40 or more is used as an electrode, Cu or a Cu alloy is used as a thin metal wire, and a mechanical buffer layer is formed between the electrode and an insulating material layer. Silicon nitride or metal vanadium is used as the mechanical buffer layer. The thin metal wire is fixed to the electrode metal by compression bonding.

摘要翻译： 使用具有40以上的诺普硬度的金属作为电极，使用Cu或Cu合金作为薄金属线，并且在电极和绝缘材料层之间形成机械缓冲层。 氮化硅或金属钒用作机械缓冲层。 薄金属线通过压接而固定在电极金属上。