利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

27 条记录 (耗时 0.026 秒)

    Pattern forming contrast enhanced material utilizing water soluble photosensitive diazo compound and pattern forming method
    1.
    发明授权
    Pattern forming contrast enhanced material utilizing water soluble photosensitive diazo compound and pattern forming method 失效
    图案形成对比增强材料利用水溶性光敏重氮化合物和图案形成方法

    公开(公告)号：US5272036A

    公开(公告)日：1993-12-21

    申请号：US860209

    申请日：1992-03-27

    申请人： Yoshiyuki Tani ,  Masayuki Endo ,  Kazufumi Ogawa ,  Fumiyoshi Urano ,  Masaaki Nakahata

    发明人： Yoshiyuki Tani ,  Masayuki Endo ,  Kazufumi Ogawa ,  Fumiyoshi Urano ,  Masaaki Nakahata

    IPC分类号： C07C245/14 ,  C07C245/18 ,  C07D213/50 ,  G03F7/09 ,  G03F7/023 ,  G03F7/30

    CPC分类号： G03F7/091 ,  C07C245/14 ,  C07C245/18 ,  C07D213/50 ,  Y10S430/146

    摘要： Disclosed is a pattern forming contrast enhanced material comprising (a) a water soluble photosensitive compound selected from the group consisting of a water soluble aliphatic photosensitive compound (excluding ring compounds) having one or more of the group expressed by the formula (I), an aliphatic photosensitive quaternary ammonium salt having one or more of the group expressed by the formula (I), an aromatic photosensitive quaternary ammonium salt having one or more of the group expressed by the formula (I), and a photosensitive pyridinium salt having one or more of the group expressed by the formula (I), (b) a water soluble resin and (c) water and a pattern forming method using the same. ##STR1## According to the present invention, this material is used as a contrast enhanced layer in the exposure effected by deep ultraviolet ray such as an excimer laser beam to form a good fine pattern of a submicron order.

    摘要翻译： 公开了形成对比度增强材料的图案，其包含（a）选自具有一个或多个由式（I）表示的基团的水溶性脂族光敏化合物（不包括环化合物）的水溶性感光性化合物， 具有由式（I）表示的基团中的一个或多个的芳香族光敏季铵盐，具有式（I）表示的基团中的一个或多个的芳族光敏季铵盐和具有一个或多个 由式（I）表示的基团，（b）水溶性树脂和（c）水和使用其的图案形成方法。 （I）根据本发明，在通过诸如准分子激光束的深紫外线进行的曝光中，将该材料用作对比度增强层，以形成亚微米级的良好精细图案。

    Negative working resist composition
    2.
    发明授权
    Negative working resist composition 失效
    负性抗蚀剂组成

    公开(公告)号：US5389491A

    公开(公告)日：1995-02-14

    申请号：US82399

    申请日：1993-06-28

    申请人： Yoshiyuki Tani ,  Masayuki Endo ,  Fumiyoshi Urano ,  Takanori Yasuda

    发明人： Yoshiyuki Tani ,  Masayuki Endo ,  Fumiyoshi Urano ,  Takanori Yasuda

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/012 ,  G03F7/021 ,  G03F7/023

    CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045

    摘要： A negative working resist composition comprising (a) an alkali-soluble resin, (b) an aromatic compound having at least two groups of the formula: --OCH.sub.2 OR.sup.1 wherein R.sup.1 is alkyl or aralkyl, (c) a photoacid generator, and (d) a solvent, can form fine patterns with high resolution when exposed to deep UV, KrF excimer laser light, etc. due to high light transmittance and high sensitivity.

    摘要翻译： 一种负性工作抗蚀剂组合物，其包含（a）碱溶性树脂，（b）具有至少两个下式的-OCH 2 OR 1的芳族化合物，其中R 1是烷基或芳烷基，（c）光酸产生剂，和（d） 溶剂，由于透光率高，灵敏度高，可以在暴露于深紫外线，KrF准分子激光等情况下以高分辨率形成精细图案。

    Diazodisulfones
    3.
    发明授权
    Diazodisulfones 失效
    重氮二砜

    公开(公告)号：US5216135A

    公开(公告)日：1993-06-01

    申请号：US962089

    申请日：1992-10-16

    申请人： Fumiyoshi Urano ,  Masaaki Nakahata ,  Hirotoshi Fujie ,  Keiji Oono

    发明人： Fumiyoshi Urano ,  Masaaki Nakahata ,  Hirotoshi Fujie ,  Keiji Oono

    IPC分类号： G03F7/039

    CPC分类号： G03F7/039

    摘要： A diazodisulfone of the formula: ##STR1## wherein R.sup.1 is a C.sub.3-8 branched or cyclic alkyl group, and R.sup.2 is a C.sub.1-8 straight-chain, branched or cyclic alkyl group, is effective as a photoacid generator when used in a photoresist material for light of 300 nm or less.

    摘要翻译： 下式的重氮二砜：其中R 1为C 3-8支链或环状烷基，R 2为C 1-8直链，支链或环状烷基，当用于光致抗蚀剂时作为光酸产生剂是有效的 材质为300nm以下的光。

    Bismide compound, acid generator and resist composition each containing the same, and method of forming pattern from the composition
    10.
    发明申请
    Bismide compound, acid generator and resist composition each containing the same, and method of forming pattern from the composition 失效
    每种含有相同的Bismide化合物，酸产生剂和抗蚀剂组合物以及从组合物形成图案的方法

    公开(公告)号：US20050038261A1

    公开(公告)日：2005-02-17

    申请号：US10496014

    申请日：2002-11-28

    申请人： Tsuneaki Maesawa ,  Fumiyoshi Urano ,  Masayuki Endo ,  Masaru Sasago

    发明人： Tsuneaki Maesawa ,  Fumiyoshi Urano ,  Masayuki Endo ,  Masaru Sasago

    IPC分类号： C07D209/48 ,  C07D487/04 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  C07D43/02

    CPC分类号： C07D209/48 ,  C07D487/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/121

    摘要： The present invention relates to a novel bisimide compound useful as an acid generator for a chemically amplified resist composition used in manufacturing of semiconductor element and the like or a raw material for synthesizing heat resistant polymers, an acid generator and a resist composition using said compound and a method for pattern formation using said composition, and further relates to a synthetic n intermediate for a bisimide compound and a bis(N-hydroxy)phthalimide compound useful as an intermediate for a functional compound such as a heat resistant polymer or photosensitive material, and provides a bisimide compound shown by the general formula [1]: (wherein R and A1 are as defined in claim 1.)

    摘要翻译： 本发明涉及用作半导体元件等的制造中使用的化学增幅抗蚀剂组合物的酸发生剂的新型双酰亚胺化合物或使用该化合物的酸产生剂和抗蚀剂组合物， 使用所述组合物的图案形成方法，还涉及用作双酰亚胺化合物的合成n中间体和可用作功能性化合物如耐热聚合物或感光材料的中间体的双（N-羟基）邻苯二甲酰亚胺化合物，以及 提供由通式[1]表示的双酰亚胺化合物：（其中R和A1如权利要求1所定义）