公开(公告)号：US20110291120A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13109263

申请日：2011-05-17

申请人： Young-jo Tak ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Young-jo Tak ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments of the present invention relate to a light emitting device having a connection structure and a method of manufacturing the light emitting device. The method of manufacturing may include forming a light emitting region and electrode layers on a substrate in which a plurality of cell regions and a bridge for partially connecting the cell regions are disposed, thereby providing a light emitting device that controls stress with relative ease and integrates electrical connections between the cell regions.

摘要翻译： 本发明的示例性实施例涉及具有连接结构的发光器件和制造发光器件的方法。 制造方法可以包括在其上设置多个单元区域和用于部分连接单元区域的桥的基板上形成发光区域和电极层，从而提供相对容易地控制应力的发光装置 电池区之间的电连接。

公开(公告)号：US20110272712A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12926854

申请日：2010-12-14

申请人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

发明人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

摘要： Example embodiments are directed to a light-emitting device including a patterned emitting unit and a method of manufacturing the light-emitting device. The light-emitting device includes a first electrode on a top of a semiconductor layer, and a second electrode on a bottom of the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer is a pattern array formed of a plurality of stacks. A space between the plurality of stacks is filled with an insulating layer, and the first electrode is on the insulating layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括图案化发光单元的发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括在半导体层的顶部上的第一电极和在半导体层的底部上的第二电极，其中半导体层是由多个堆叠形成的图案阵列。 多个堆叠之间的空间填充有绝缘层，并且第一电极在绝缘层上。

公开(公告)号：US08592839B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12926854

申请日：2010-12-14

申请人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

发明人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L33/00 ,  H01L29/207

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

摘要： Example embodiments are directed to a light-emitting device including a patterned emitting unit and a method of manufacturing the light-emitting device. The light-emitting device includes a first electrode on a top of a semiconductor layer, and a second electrode on a bottom of the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer is a pattern array formed of a plurality of stacks. A space between the plurality of stacks is filled with an insulating layer, and the first electrode is on the insulating layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括图案化发光单元的发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括在半导体层的顶部上的第一电极和在半导体层的底部上的第二电极，其中半导体层是由多个堆叠形成的图案阵列。 多个堆叠之间的空间填充有绝缘层，并且第一电极在绝缘层上。

公开(公告)号：US08564009B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13188791

申请日：2011-07-22

申请人： Bok-ki Min ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Bok-ki Min ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L33/42

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0091

摘要： According to an example embodiment, a vertical light emitting device (LED) includes a semiconductor layer including an active layer configured to emitting light, a first electrode on a first side of the semiconductor layer, and a second electrode on a second side of the semiconductor layer opposite to the first electrode. At least one of the first and second electrodes includes a metal electrode pattern and a transparent electrode pattern. The transparent electrode pattern is in a region between segment electrodes of the metal electrode pattern. The transparent electrode pattern is electrically connected to the metal electrode pattern.

摘要翻译： 根据示例性实施例，垂直发光器件（LED）包括半导体层，其包括被配置为发光的有源层，半导体层的第一侧上的第一电极和半导体的第二侧上的第二电极 层与第一电极相对。 第一和第二电极中的至少一个包括金属电极图案和透明电极图案。 透明电极图案位于金属电极图案的段电极之间的区域中。 透明电极图形电连接到金属电极图案。

公开(公告)号：US20120175662A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13188791

申请日：2011-07-22

申请人： Bok-ki Min ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Bok-ki Min ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L33/42

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0091

摘要： According to an example embodiment, a vertical light emitting device (LED) includes a semiconductor layer including an active layer configured to emitting light, a first electrode on a first side of the semiconductor layer, and a second electrode on a second side of the semiconductor layer opposite to the first electrode. At least one of the first and second electrodes includes a metal electrode pattern and a transparent electrode pattern. The transparent electrode pattern is in a region between segment electrodes of the metal electrode pattern. The transparent electrode pattern is electrically connected to the metal electrode pattern.

摘要翻译： 根据示例性实施例，垂直发光器件（LED）包括半导体层，其包括被配置为发光的有源层，半导体层的第一侧上的第一电极和半导体的第二侧上的第二电极 层与第一电极相对。 第一和第二电极中的至少一个包括金属电极图案和透明电极图案。 透明电极图案位于金属电极图案的段电极之间的区域中。 透明电极图形电连接到金属电极图案。

公开(公告)号：US08928017B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US12929149

申请日：2011-01-04

申请人： Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong

发明人： Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments are directed to light-emitting devices (LEDs) and methods of manufacturing the same. The LED includes a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an active layer formed between the first and second semiconductor layers; and an emission pattern layer including a plurality of layers on the first semiconductor layer, the emission pattern including an emission pattern for externally emitting light generated from the active layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及发光器件（LED）及其制造方法。 LED包括第一半导体层; 第二半导体层; 形成在所述第一和第二半导体层之间的有源层; 以及在所述第一半导体层上包括多层的发光图案层，所述发光图案包括用于从所述有源层产生的外部发射光的发射图案。

公开(公告)号：US20120018734A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US12929149

申请日：2011-01-04

申请人： Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong

发明人： Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong

IPC分类号： H01L33/40

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments are directed to light-emitting devices (LEDs) and methods of manufacturing the same. The LED includes a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an active layer formed between the first and second semiconductor layers; and an emission pattern layer including a plurality of layers on the first semiconductor layer, the emission pattern including an emission pattern for externally emitting light generated from the active layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及发光器件（LED）及其制造方法。 LED包括第一半导体层; 第二半导体层; 形成在所述第一和第二半导体层之间的有源层; 以及在所述第一半导体层上包括多层的发光图案层，所述发光图案包括用于从所述有源层产生的外部发射光的发射图案。

公开(公告)号：US08541771B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US13157681

申请日：2011-06-10

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.

摘要翻译： 示例实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括预接种层和成核层。 预播种层可以包括用于预播种的第一材料和用于掩蔽的第二材料，以便降低拉伸应力。

公开(公告)号：US20120153261A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13157681

申请日：2011-06-10

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.

摘要翻译： 示例实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括预接种层和成核层。 预播种层可以包括用于预播种的第一材料和用于掩蔽的第二材料，以便降低拉伸应力。

公开(公告)号：US20120007143A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12983414

申请日：2011-01-03

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341

摘要： A substrate structure and method of manufacturing the same are disclosed. The substrate structure may includes a substrate on which a plurality of protrusions are formed on one surface thereof and a plurality of buffer layers formed according to a predetermined pattern and formed spaced apart from each other on the plurality of protrusions.

摘要翻译： 公开了一种基板结构及其制造方法。 基板结构可以包括在其一个表面上形成有多个突起的基板和根据预定图案形成并且在多个突起上彼此间隔开地形成的多个缓冲层。