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    Phase change memory and manufacturing method thereof
    4.
    发明授权
    Phase change memory and manufacturing method thereof 有权
    相变记忆及其制造方法

    公开(公告)号：US07709822B2

    公开(公告)日：2010-05-04

    申请号：US11771601

    申请日：2007-06-29

    申请人： Ilya V. Karpov ,  Charles C. Kuo ,  Yudong Kim ,  Greg Atwood

    发明人： Ilya V. Karpov ,  Charles C. Kuo ,  Yudong Kim ,  Greg Atwood

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： Both a chalcogenide select device and a chalcogenide memory element are formed within vias within dielectrics. As a result, the chalcogenides is effectively trapped within the vias and no glue or adhesion layer is needed. Moreover, delamination problems are avoided. A lance material is formed within the same via with the memory element. In one embodiment, the lance material is made thinner by virtue of the presence of a sidewall spacer; in another embodiment no sidewall spacer is utilized. A relatively small area of contact between the chalcogenide used to form a memory element and the lance material is achieved by providing a pin hole opening in a dielectric, which separates the chalcogenide and the lance material.

    摘要翻译： 在电介质内的通孔内形成硫族化物选择装置和硫族化物存储元件。 结果，硫属化物被有效地捕获在通孔内，并且不需要胶或粘合层。 此外，避免了分层问题。 在与存储元件相同的通孔内形成喷枪材料。 在一个实施例中，由于侧壁间隔物的存在，喷枪材料被制成更薄; 在另一个实施例中，没有使用侧壁间隔物。 用于形成记忆元件的硫族化物与喷枪材料之间的相对较小的接触面积通过在电解质中设置一个销孔开口来实现，该绝缘体分离硫族化物和喷枪材料。

    Phase change memory with damascene memory element
    6.
    发明授权
    Phase change memory with damascene memory element 有权
    相变记忆与大马士革记忆元素

    公开(公告)号：US07534625B2

    公开(公告)日：2009-05-19

    申请号：US11542712

    申请日：2006-10-04

    申请人： Ilya V. Karpov ,  Charles C. Kuo ,  Yudong Kim ,  Fabio Pellizzer

    发明人： Ilya V. Karpov ,  Charles C. Kuo ,  Yudong Kim ,  Fabio Pellizzer

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/16

    摘要： A phase change material may be formed within a trench in a first layer to form a damascene memory element and in an overlying layer to form a threshold device. Below the first layer may be a wall heater. The wall heater that heats the overlying phase change material may be formed in a U-shape in some embodiments of the present invention. The phase change material for the memory element may be elongated in one direction to provide greater alignment tolerances with said heater and said threshold device.

    摘要翻译： 相变材料可以形成在第一层中的沟槽内，以形成镶嵌存储元件，并在上层中形成阈值器件。 第一层以下可以是壁式加热器。 在本发明的一些实施例中，加热上覆相变材料的壁加热器可以形成为U形。 用于存储元件的相变材料可以在一个方向上伸长，以与所述加热器和所述阈值装置提供更大的对准公差。