VERFAHREN ZUR STABILISIERUNG UND FUNKTIONALISIERUNG VON PORÖSEN METALLISCHEN SCHICHTEN

    公开(公告)号:WO2008046785A3

    公开(公告)日:2008-04-24

    申请号:PCT/EP2007/060865

    申请日:2007-10-12

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung und Funktionalisierung einer porösen metallischen Schicht (1), wobei die poröse, metallische Schicht (1) eine metallische Matrix (3) mit darin enthaltenen Poren (5) enthält. In einem ersten Schritt wird keramisches Material (7) oder Vorstufen die keramisches Material (7) in die Poren (5) der metallischen Matix (3) eingebracht, in einem zweiten Schritt werden die Vorstufen des keramischen Materials gegebenenfalls in das keramische Material (7) umgewandelt und anschliessend erfolgt gegebenenfalls eine thermische oder chemische Nachbehandlung der porösen metallischen Schicht. Die Erfindung betrifft weiterhin eine poröse metallische Struktur, insbesondere für Gateelektroden von Halbleitertransistoren, die Poren (5) in einer metallischen Matrix (3) umfasst. In den Poren (5) der metallischen Matrix (3) ist keramisches Material enthalten.

    半導体基板並びに電極の形成方法及び太陽電池の製造方法
    93.
    发明申请
    半導体基板並びに電極の形成方法及び太陽電池の製造方法 审中-公开
    形成半导体基板和电极的方法以及制造太阳能电池的方法

    公开(公告)号:WO2008026415A1

    公开(公告)日:2008-03-06

    申请号:PCT/JP2007/065127

    申请日:2007-08-02

    Abstract:  本発明は、電極が形成された半導体基板であって、前記電極は、少なくとも銀とガラスフリットとを含有するものであり、前記半導体基板に直接接合する第一電極層と、該第一電極層上に配置され、少なくとも一層からなる上部電極層とからなる多層構造を有するものであり、前記上部電極層は、銀の総含有割合が75wt%以上95wt%以下である導電性ペーストを焼成したものであり、前記上部電極層の銀の総含有量に対する平均粒径4μm以上8μm以下の銀粒子の含有割合が、前記第一電極層中の含有割合より高いものである半導体基板である。これにより、半導体基板上に、高アスペクト比を有するとともに、断線等の不具合が起こりにくい電極を、簡便な方法によって形成することができる。

    Abstract translation: 本发明提供一种其上形成有电极的半导体衬底。 电极至少含有银和玻璃料,并且具有包括直接连接到半导体衬底的第一电极层和具有单层或多层结构并设置在第一电极层上的上电极层的多层结构。 上电极层是总银含量不小于75重量%且不大于95重量%的导电浆料的烧制品。 上部电极层中平均粒径为4μm以上且8μm以下的银粒子的含量相对于上部电极层中的银的总量的比例高于 在第一电极层中平均粒径不小于4μm且不大于8μm的银颗粒相对于第一电极层中的银的总含量。 根据上述结构,可以简单地在半导体衬底上形成具有高纵横比并且不太可能引起诸如断开的故障的电极。

    ELECTROLESS NIP ADHESION AND/OR CAPPING LAYER FOR COPPER INTERCONNEXION LAYER
    96.
    发明申请
    ELECTROLESS NIP ADHESION AND/OR CAPPING LAYER FOR COPPER INTERCONNEXION LAYER 审中-公开
    铜箔互连层的电镀NIP粘合和/或覆盖层

    公开(公告)号:WO2007144026A1

    公开(公告)日:2007-12-21

    申请号:PCT/EP2006/063286

    申请日:2006-06-16

    Abstract: A method of depositing a copper interconnection layer on a substrate such on a glass substrate for use e.g. in TFT-LCD flat panel interconnection system. The method according to the invention comprising the steps of: a) optionally cleaning the substrate, b) optionally micro-etching the substrate, c) depositing a catalyzation layer on the substrate to obtain a catalyzed substrate, d) conditioning the catalyzed substrate with a conditioning solution to obtain a conditioned catalyzed substrate, e) plating the catalyzed substrate with a NiP layer by contacting said substrate or at least a portion thereof with a wet bath mixture comprising precursors of Ni and P, f) depositing a copper catalyst layer onto the plated NiP layer, depositing a Cu layer on said copper catalyst layer.

    Abstract translation: 一种在诸如玻璃基板上的衬底上沉积铜互连层的方法, 在TFT-LCD平板互连系统中。 根据本发明的方法包括以下步骤:a)任选地清洁衬底,b)任选地微蚀刻衬底,c)在衬底上沉积催化层以获得催化底物,d)用催化底物 以获得经调节的催化底物,e)通过使所述底物或其至少一部分与包含Ni和P的前体的湿浴混合物接触NiP层来镀覆催化底物,f)将铜催化剂层沉积在 镀NiP层,在所述铜催化剂层上沉积Cu层。

    アルミニウムペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
    98.
    发明申请
    アルミニウムペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 审中-公开
    铝粉组合物和太阳能电池元件使用它们

    公开(公告)号:WO2007032151A1

    公开(公告)日:2007-03-22

    申请号:PCT/JP2006/314724

    申请日:2006-07-26

    CPC classification number: H01L31/022425 Y02E10/50

    Abstract:  焼成時においてブリスターやアルミニウムの玉が裏面電極層に発生するのを抑制することが可能なアルミニウムペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を提供する。アルミニウムペースト組成物は、シリコン半導体基板(1)の上に電極(8)を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、ガラスフリットとを含み、ガラスフリットがアルカリ土類金属酸化物を含む。太陽電池素子は、上述の特徴を有するペースト組成物をシリコン半導体基板(1)の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極(8)を備える。

    Abstract translation: 一种铝糊组合物,其能够在烧制时抑制背面电极层上的起泡和铝珠的发生; 以及装配有使用该组合物形成的电极的太阳能电池元件。 提供了一种用于在硅半导体衬底(1)上形成电极(8)的铝浆料组合物,其包括粉末状铝,有机载体和玻璃料,其中玻璃料含有碱土金属氧化物。 此外,提供了一种装有电极(8)的太阳能电池元件,该电极通过将上述表征的糊剂组合物涂覆在硅半导体衬底(1)上并将其烧制而形成。

    METHOD AND ASSOCIATED APPARATUS FOR TILTING A SUBSTRATE UPON ENTRY FOR METAL DEPOSITION
    100.
    发明申请
    METHOD AND ASSOCIATED APPARATUS FOR TILTING A SUBSTRATE UPON ENTRY FOR METAL DEPOSITION 审中-公开
    用于倾斜金属沉积物入口的方法和相关设备

    公开(公告)号:WO0229137A9

    公开(公告)日:2007-03-08

    申请号:PCT/US0130058

    申请日:2001-09-26

    CPC classification number: C25D7/123 C25D21/00 C25D21/04 H01L21/2885 H05K3/241

    Abstract: An electro-chemical plating system is described. A method is performed by the electro-chemical plating system in which a seed layer formed on a substrate is immersed into an electrolyte solution. In one aspect, a substrate is immersed in the electrochemical plating system by tilting the substrate as it enters the electrolyte solution to limit the trapping or formation of air bubbles in the electrolyte solution between the substrate and the substrate holder. In another aspect, an apparatus is provided for electroplating that comprises a cell, a substrate holder, and an actuator. The actuator can displace the substrate holder assembly in the x and z directions and also tilt the substrate. In another aspect, a method is provided of driving a meniscus formed by electrolyte solution across a surface of a substrate. The method comprises enhancing the interaction between the electrolyte solution meniscus and the surface as the substrate is immersed into the electrolyte solution.

    Abstract translation: 描述了电化学电镀系统。 通过将形成在基板上的籽晶层浸渍在电解液中的电化学电镀系统进行。 一方面,当基板进入电解质溶液时,通过使基板倾斜以限制基板和基板支架之间的电解液中的气泡的捕获或形成,将基板浸入电化学电镀系统中。 在另一方面,提供一种用于电镀的设备,其包括电池,衬底保持器和致动器。 致动器可以在x和z方向上移动基板保持器组件,并且还使基板倾斜。 在另一方面,提供一种驱动由电解质溶液形成的弯液面跨越衬底的表面的方法。 该方法包括当基底浸入电解质溶液时增强电解液溶液弯液面与表面之间的相互作用。

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