公开(公告)号：WO2014192164A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/JP2013/065922

申请日：2013-06-10

Applicant: 株式会社富士セラミックス

Inventor： 田上　究 ,  久保　佳信 ,  福島　利博 ,  加藤　和昭

IPC: C04B35/462 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3262 ,  H01L41/43

Abstract: 　本発明は、特に圧力に対する発生電荷量の低ヒステリシス、大きな等価圧電定数を有する圧電磁器組成物及びその製造方法に関する。　加圧力と減圧力に対し電荷の発生傾向が異なる２種のＡ成分、Ｂ成分からなる磁器組成物、（１－ｙ）｛（Ｎａ ０．５　 ，Ｂｉ ０．５ ） ０．９５ Ｃａ ０．０５ Ｂｉ ４ Ｔｉ ４ Ｏ １５ ＋０．２Ｗｔ％Ｍｎ｝をＡ成分、（ｙ）ＳｒＢｉ ４ Ｔｉ ４ Ｏ １５ をＢ成分とする。ここで、ｙの範囲が、０．０５≦ｙ≦０．４とした、特定範囲内の等価圧電定数を有するヒステリシスを±０．１％以内とする圧電磁器組成物。

Abstract translation: 本发明特别涉及在相对于压力产生的电荷量中具有低磁滞的压电陶瓷组合物，以及相当大的压电常数以及其制造方法。 提供一种包含两种类型的组分的压电陶瓷组合物：响应于压缩力和减压力，具有不同电荷产生倾向的A组分和B组分，（1-y）{（Na 0.5，Bi 0.5） 0.95Ca0.05Bi4Ti4O15 +0.2Wt％Mn}为A成分，（y）SrBi4Ti4O15为B成分，其中y的范围为0.05≤y≤0.4，所述压电陶瓷组合物的等效压电常数在 特定范围和滞后为±0.1％以下。

公开(公告)号：WO2010036363A3

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：PCT/US2009005331

申请日：2009-09-25

Applicant: PENN STATE RES FOUND ,  ZHANG SHUJUN ,  LEE YEONG JAE ,  SHROUT THOMAS R

Inventor： ZHANG SHUJUN ,  LEE YEONG JAE ,  SHROUT THOMAS R

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/24

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  H01L41/107 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/43

Abstract: Piezoelectric compounds of the formula xNamBinTiO3- yKmBinTiO3- zLimBinTiO3-pBaTiO3 where (0

Abstract translation: 其中（0≤x= 1），（O = y = 1），（0 = z = 1），（0.3 = m = 0.7），（0.3 = n = 0.7），（0

公开(公告)号：WO2008088086A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：PCT/JP2008/051020

申请日：2008-01-18

Applicant: FUJIFILM CORPORATION ,  SAKASHITA, Yukio ,  SASAKI, Tsutomu

Inventor： SAKASHITA, Yukio ,  SASAKI, Tsutomu

IPC: C01G29/00 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  C23C14/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24

CPC classification number: B41J2/14233 ,  C01G29/006 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G55/00 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/26 ,  C04B35/2683 ,  C04B35/44 ,  C04B35/457 ,  C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/316

Abstract: A process for producing a perovskite oxide having a composition expressed by the compositional formulas A(B, C)O 3 , and determined so as to satisfy the conditions (1), (2), and (3), 0.98 3 ) > 1.0, and (2) TF(ACO 3 ) 3 , and TF(ABO 3 ) and TF(ACO 3 ) are respectively the tolerance factors of the oxides expressed by the compositional formulas ABO 3 and ACO 3 .

Abstract translation: 具有由组成式A（B，C）O 3 3表示的组成的钙钛矿氧化物的制造方法，并且满足条件（1），（2）和（3） ），0.98 1.0，和（2）TF（ACO 3 < ）其中A，B和C各自表示一种或多种金属元素，一个或多个A位元素的主要成分为铋，由B表示的一个或多个B位元素的组成不同于 由C，TF（PX）表示的一个或多个B位元素是由组成式A（B，C）O 3表示的氧化物的耐受因子，TF（ABO） 3）和TF（ACO 3 3）分别是由组成式ABO 3和ACO 3 。

公开(公告)号：WO2006043407A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：PCT/JP2005/018201

申请日：2005-09-30

Applicant: 株式会社 村田製作所 ,  独立行政法人物質・材料研究機構 ,  木村 雅彦 ,  安藤 陽 ,  白露 幸祐 ,  鈴木 達 ,  目 義雄

Inventor： 木村 雅彦 ,  安藤 陽 ,  白露 幸祐 ,  鈴木 達 ,  目 義雄

IPC: B28B1/26 ,  C04B35/622 ,  C30B30/04

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/462 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62625 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/787

Abstract: 　スラリー作製工程１では、ビスマス層状化合物等の磁化率に異方性を有する非強磁性材料を主成分としたスラリーを作製し、第１の配向性付与工程２では、泥漿鋳込み装置内のスラリーに対し第１の方向に磁場を印加し、磁化率が実質的に最大であるａ軸又はｂ軸に配向性を付与する。第２の配向性付与工程３では、ａ軸又はｂ軸の配向性を維持した状態で前記泥漿鋳込み装置を水平方向に９０°回転させ、第１の方向に対し垂直な第２の方向に磁場を印加し、第１の配向性付与工程２で配向性付与に関与しなかった結晶軸、すなわちｃ軸に配向性を付与する。配向性固定工程４では、前記第１及び第２の配向性付与工程１、２で付与された各結晶軸の配向性を乾燥処理等で固定し、成形体を得る。そして、これにより磁化率の最も大きな結晶軸のみならず、その他の結晶軸にも配向性を付与することができるようにする。

Abstract translation: 在浆料生产步骤1中，制备主要含有诸如铋层化合物之类的磁化率各向异性的非铁磁材料的浆料; 并且在第一取向赋予步骤2中，在浆料浇铸装置中的浆料中沿第一方向施加磁场，以赋予具有基本上最大磁化率的a轴或b轴的取向。 在第二取向赋予步骤3中，浆液浇铸装置在水平方向上旋转90度，同时a轴或b轴的取向保持在垂直于第一方向的第二方向施加磁场，并赋予 在第一取向赋予步骤2中不涉及取向的晶轴，即c轴。 在取向固定步骤4中，通过干燥等固定在第一和第二取向赋予步骤1,2中赋予的每个晶轴的取向以获得模塑产品。 因此，不仅可以赋予磁化率最大的晶轴，而且赋予其它晶轴。

公开(公告)号：WO2005102958A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：PCT/JP2005/007906

申请日：2005-04-26

Applicant: TDK株式会社 ,  坂下 幸雄

Inventor： 坂下 幸雄

IPC: C04B35/495

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  Y10T29/435

Abstract: 　ｃ軸が基板面に対して実質的に垂直に配向しているビスマス層状化合物を有する薄膜容量素子用組成物であり、前記ビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ ２　 Ｏ ２　 ） ２＋ （Ａ ｍ－１　 Ｂ ｍ　 Ｏ ３ｍ＋１ ） ２－ 、またはＢｉ ２　 Ａ ｍ－１　 Ｂ ｍ　 Ｏ ３ｍ＋３ で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉおよび／またはＡの少なくとも一部が、希土類元素で置換されており、ＢｉおよびＡの合計モル数（ｍ＋１）に対して、前記希土類元素の置換モル数が、１．０より大きく、２．８以下である。

Abstract translation: 一种薄膜电容器件用组合物，其包含c轴取向为基本面垂直的铋层状化合物，其中，所述铋层状化合物由以下组成式表示：（Bi 2 O 2）2+（Am-1BmO 3m + 1 ）<2->或Bi2Am-1BmO3m + 3，其中字符m为奇数，并且其中铋层状化合物的Bi和/或A的至少一部分被稀土元素代替，摩尔数 的稀土元素相对于Bi和A的总摩尔量（m + 1）大于1.0但<= 2.8所使用的稀土元素。

公开(公告)号：WO2004087611A1

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：PCT/JP2004/003769

申请日：2004-03-19

Applicant: TDK株式会社 ,  塚田 岳夫 ,  東 智久 ,  廣瀬 正和

Inventor： 塚田 岳夫 ,  東 智久 ,  廣瀬 正和

IPC: C04B35/46

CPC classification number: C04B35/63 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  H01L41/187

Abstract: 本発明は、鉛を含有せず、キュリー点が高く、かつ、優れた圧電特性、特に大きなQmaxを有する圧電セラミックスを提供することを目的とするものであり、圧電セラミックスを、(M 11 1-x Ln x )Bi 4 Ti 4 O 15 型結晶(M 1 1 はSr、BaおよびCaから選択される元素、Lnはランタノイドから選択される元素、xは0

Abstract translation: 不含铅的压电陶瓷，具有高居里点，是优异的压电性能，特别是较大的Qmax。 具体地说，以（M 11l-xLnx）Bi 4 Ti 4 O 15晶体（其中M 11为选自Sr，Ba和Ca的元素; Ln为选自元素的主要成分为主成分的压电陶瓷） 并且x满足0

公开(公告)号：WO2004077565A1

公开(公告)日：2004-09-10

申请号：PCT/JP2004/001979

申请日：2004-02-20

Applicant: TDK株式会社 ,  坂下 幸雄

Inventor： 坂下 幸雄

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01G4/1218 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/04 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/33 ,  H01L28/55

Abstract: 本発明にかかる薄膜容量素子は、化学量論的組成式:(Bi 2 O 2 ) 2+ (A m-1 B m O 3m+1 ) 2- で表わされる組成(mは正の整数であり、Aは、ナトリウム、カリウム、鉛、バリウム、ストロンチウム、カルシウムおよびビスマスからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素であり、Bは、鉄、コバルト、クロム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、アンチモン、マンガン、バナジウム、モリブデンおよびタングステンからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素である。)を有するピスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えている。このように構成された薄膜容量素子は、薄層化が可能で、かつ、温度補償特性に優れている。

Abstract translation: 一种薄膜电容元件，包括第一电极层和第二电极层，并且介于由包含由化学计量组成式表示的组成式表示的铋层化合物的电介质材料构成的电介质层：（Bi 2 O 2）2+ >（Am-1BmO3m + 1）<2->（其中m为正整数; A为选自钠，钾，铅，钡，锶，钙和铋中的至少一种元素; B为 选自铁，钴，铬，镓，钛，铌，钽，锑，锰，钒，钼和钨中的至少一种元素）。 上述结构的薄膜电容元件能够降低层厚度，并具有优异的温度补偿特性。

公开(公告)号：WO2004077564A1

公开(公告)日：2004-09-10

申请号：PCT/JP2004/001977

申请日：2004-02-20

Applicant: TDK株式会社 ,  坂下 幸雄

Inventor： 坂下 幸雄

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01G4/1218 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/04 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/33 ,  H01L28/55

Abstract: 本発明にかかる薄膜容量素子は、化学量論的組成式:(Bi 2 O 2 ) 2+ (A m-1 B m O 3m+1 ) 2- で表わされる組成を有し(mは正の整数であり、Aは、ナトリウム、カリウム、鉛、バリウム、ストロンチウム、カルシウムおよびビスマスからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素であり、Bは、鉄、コバルト、クロム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、アンチモン、マンガン、バナジウム、モリブデンおよびタングステンからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素である。)、ビスマス(Bi)が、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス換算で、0

Abstract translation: 一种薄膜电容元件，包括第一电极层和第二电极层，并且介于由包含由化学计量组成式表示的组成式表示的铋层化合物的电介质材料构成的电介质层：（Bi 2 O 2）2+ >（Am-1BmO3m + 1）<2->（其中m为正整数; A为选自钠，钾，铅，钡，锶，钙和铋中的至少一种元素; B为 选自铁，钴，铬，镓，钛，铌，钽，锑，锰，钒，钼和钨中的至少一种元素），其中铋（Bi）的含量超过化学计量比， 在满足不等式0

公开(公告)号：WO2004065668A1

公开(公告)日：2004-08-05

申请号：PCT/JP2004/000265

申请日：2004-01-16

Applicant: TDK株式会社 ,  坂下 幸雄

Inventor： 坂下 幸雄

IPC: C30B29/22

CPC classification number: H01G4/1218 ,  B82Y30/00 ,  C01G29/00 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

Abstract: 　ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ ２ 　Ｏ ２ 　） ２＋ （Ａ ｍ−１ 　Ｂ ｍ 　Ｏ ３ｍ＋１ ） ２− 、またはＢｉ ２ 　Ａ ｍ−１ 　Ｂ ｍ 　Ｏ ３ｍ＋３ で表され、前記組成式中の記号ｍが偶数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ ２ 　Ｏ ２ 　） ２＋ （Ａ ｍ−１ 　Ｂ ｍ 　Ｏ ３ｍ＋１ ） ２− 、またはＢｉ ２ 　Ａ ｍ−１ 　Ｂ ｍ 　Ｏ ３ｍ＋３ に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲である。

Abstract translation: 用于薄膜电容元件的组合物，其中其c轴垂直于衬底表面的铋层化合物由经验式表示：（Bi 2 O 2）2+（Am-1BmO 3m + 1）<2- >或Bi2Am-1BmO3m + 3，其中m为偶数，A表示选自Na，K，Pb，Ba，Sr，Ca和Bi中的至少一种元素，B表示选自Fe，Co中的至少一种元素 ，Cr，Ga，Ti，Nb，Ta，Sb，V，Mo和W，其特征在于上述铋层化合物含有超过上述经验式的Bi：（Bi 2 O 2）2+（Am-1BmO 3m +1）<2->或Bi2Am-1BmO3m + 3，Bi的过量量以Bi计为0

公开(公告)号：WO2002102709A1

公开(公告)日：2002-12-27

申请号：PCT/JP2002/005903

申请日：2002-06-13

Applicant: セイコーエプソン株式会社

Inventor： 名取 栄治 ,  木島 健 ,  古山 晃一 ,  田崎 雄三

IPC: C01B13/14

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: A method of producing a ceramics film comprising the step of forming a ceramics film by crystallizing a ceramics source solution containing a first source solution and a second source solution. The first source solution is different in category from the second source solution, the former being used to produce ferroelectrics and the latter being used to produce oxides such as ABO system, a solvent contained in the former is different in polarity from that contained in the latter, and the first source solution and the second source solution are formed into films with phases separated to thereby form first crystals consisting of the first source solution intermittently in the plane direction of the ceramics film and form second crystals consisting of the second source solution so as to intervene between the first crystals.

Abstract translation: 一种制造陶瓷膜的方法，包括通过使包含第一源溶液和第二源溶液的陶瓷源溶液结晶而形成陶瓷膜的步骤。 第一源解决方案与第二源解决方案不同，前者用于生产铁电体，后者用于生产诸如ABO体系的氧化物，前者中所含的溶剂的极性与后者中的含量不同 并且将第一源溶液和第二源溶液形成为具有相分离的膜，从而在陶瓷膜的平面方向上间断地形成由第一源溶液组成的第一晶体，并形成由第二源溶液组成的第二晶体，以便 介入第一个晶体之间。