公开(公告)号：WO2013172236A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：PCT/JP2013/062959

申请日：2013-05-08

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 望月　文彦 ,  高田　真宏 ,  小野　雅司 ,  田中　淳 ,  鈴木　真之

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/363 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/50

摘要： 　ゲート電極１４と、ゲート絶縁膜１６と、酸化物半導体層１８と、ソース電極２０と、ドレイン電極２２と、を形成するボトムゲート型の電界効果型トランジスタ１０，３０の製造方法の酸化物半導体層１８の形成工程として、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｄ、及びＧｅからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む第１の領域１８Ａを成膜する第１成膜工程と、上記と同様の組成を含み第１の領域１８Ａよりも電気伝導度が小さい第２の領域１８Ｂを、第１の領域１８Ａの表面にスパッタリング法により成膜し、且つ、第２の領域１８Ｂの少なくとも成膜開始時の成膜圧力を２．０Ｐａ以上１３．０Ｐａ以下に調整する第２成膜工程と、を順に行う。

摘要翻译： 公开了一种制造栅极电极（14），栅极绝缘膜（16），氧化物半导体层（18），源电极（20）等的底栅场效应晶体管（10,30） ，和漏电极（22）。 用于形成氧化物半导体层（18）的工艺是通过依次执行：第一成膜工艺，其中通过形成膜形成第一区域（18A），所述区域包含至少一种选自以下的元素： 的In，Ga，Zn，Mg，Al，Sn，Sb，Cd和Ge; 以及第二成膜步骤，其中通过使用溅射法在所述第一区域（18A）的表面上形成膜而形成第二区域（18B），所述第二区域具有与上述组成相似的组成，以及 具有比第一区域（18A）更低的电导率和至少在开始第二区域（18B）的成膜时的成膜压力被调节到2.0-13.0Pa或更低。

公开(公告)号：WO2013160383A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/EP2013/058560

申请日：2013-04-24

申请人： FOUNDATION FOR RESEARCH AND TECHNOLOGY

发明人： GEORGAKILAS, Alexandros ,  ARETOULI, Kleopatra ,  TSAGARAKI, Katerina

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： The present invention discloses a method of heteroepitaxial growth enabling the successful growth of thin films of GaN and III-nitride semiconductor heterostructures of (0001) orientation with III metal-face polarity on diamond substrates being either polycrystalline or single crystal with various crystallographic orientations. The method uses a thin AlN nucleation layer on the diamond substrate with thickness equal or less than 5 nm, grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) using a nitrogen plasma source. The invention enables the development of very high power metal-face III-nitride devices, such as High Electron Mobility Transistors, on single crystal or polycrystalline diamond substrates. The method is also applicable for other element IV substrates with diamond crystal structure.

摘要翻译： 本发明公开了一种异质外延生长方法，其使金刚石衬底上的具有III金属表面极性的（0001）取向的GaN和III族氮化物半导体异质结构薄膜成功地生长为具有多种晶体取向的多晶或单晶。 该方法使用厚度等于或小于5nm的金刚石衬底上的薄AlN成核层，其通过使用氮等离子体源的分子束外延（MBE）生长。 本发明使得能够在单晶或多晶金刚石基底上开发非常高功率的金属表面III族氮化物器件，例如高电子迁移率晶体管。 该方法也适用于具有金刚石晶体结构的其它元素IV衬底。

公开(公告)号：WO2013122084A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/JP2013/053357

申请日：2013-02-13

申请人： シャープ株式会社

发明人： 岩田　昇 ,  和泉　真 ,  高橋　明

IPC分类号： H01L29/24 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L31/10

CPC分类号： C23C14/086 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/032 ,  H01L31/10

摘要： 高いキャリア移動度、可視光透過性、及び、高い表面平坦性を有すると共に、耐熱性の低い基板上に形成可能とする。基板（１２）上に形成された酸化物半導体膜（１１）は、金属材料として４２ａｔ％から９２ａｔ％のＣｕと共にＩｎ及びＧａ、または、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含み、キャリアタイプがｐ型である。

摘要翻译： 本发明具有高载流子迁移率，可见光透过性和高表面平面性，并且可以形成在具有低热阻的基板上。 形成在基板（12）的顶部的氧化物半导体膜（11）作为金属元素含有Cu％的92％〜92％的In，Ga，In，Ga和Zn，载体为 的p型。

公开(公告)号：WO2013117018A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/CN2012/071302

申请日：2012-02-20

申请人： 武汉理工大学 ,  赵修建 ,  倪佳苗 ,  耿硕麒 ,  刘启明

发明人： 赵修建 ,  倪佳苗 ,  耿硕麒 ,  刘启明

IPC分类号： H01L21/203 ,  C23C14/35

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631

摘要： 提供一种p型导电Sb掺杂SnO 2 薄膜、包含p型导电Sb掺杂SnO 2 薄膜的氧化锡同质pn结以及它们的制备方法。p型Sb掺杂SnO 2 薄膜的制备方法是采用Sb掺杂SnO 2 陶瓷靶材，采用磁控溅射法在单晶Si或石英玻璃上制备；二氧化锡同质pn结是在p型Sb掺杂SnO 2 薄膜上溅射沉积n型Sb掺杂SnO 2 薄膜获得的。p型导电Sb掺杂SnO 2 薄膜导电性能稳定，空穴浓度、空穴迁移率和电导率高，具有空穴浓度高达10 20 cm -3 数量级、电导率高达60S∙cm -1 同时空穴迁移率可高达2~30cm 2 ∙V -1 ∙s -1 、在可见光具有高透明性，且该制备方法的工艺简单，重复性好，易于工业化，所制备的同质氧化锡基的透明pn结，具有宽禁带半导体pn结的伏安曲线特性。

公开(公告)号：WO2013108507A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/JP2012/081759

申请日：2012-12-07

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 荻本　泰史

IPC分类号： C30B29/22 ,  C01G45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C30B29/68 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L43/10 ,  C01G45/1264 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/77 ,  C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L49/003

摘要： 　室温でモット転移により相転移しスイッチング機能を実現する薄膜または積層体を提供する。本発明のある実施形態においては、基板１の面の上に形成され、組成式ＲＭｎＯ ３ （ただし、Ｒはランタノイドから選択される少なくとも１種の３価の希土類元素）により表される組成のマンガン酸化物薄膜２であって、元素ＲとＭｎとの両者が基板面に対して平行な同一の原子層をなしているマンガン酸化物薄膜が提供される。また、本発明のある態様においては、上記態様のマンガン酸化物薄膜２に、強相関酸化物薄膜３、３１、３２を接して形成した酸化物積層体も提供される。

摘要翻译： 提供了由于在室温下的Mott过渡而发生相变的薄膜或层压体，实现了切换功能。 在本发明的一个实施方案中，形成在基材（1）的表面上并具有由组成式表示的组成的RMnO 3（其中R是至少一种类型的）的氧化锰薄膜（2） 提供了选自镧系元素的三价稀土元素），其中R元素和锰（Mn）都形成与基底表面平行的相同的原子层。 在本发明的一个具体实施方案中，还提供氧化物层压体，所述氧化物层压体具有强相关的氧化物薄膜（3,31,32），它们在氧化物薄膜（2）上彼此接触形成 上述形式。

公开(公告)号：WO2013095794A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/US2012/063612

申请日：2012-11-05

申请人： INTERMOLECULAR, INC.

发明人： LIANG, Haifan

IPC分类号： C22C9/00

CPC分类号： H01L31/1864 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A gallium-containing alloy is formed on the light-receiving surface of a CIGS absorber layer, and, in conjunction with a subsequent selenization or anneal process, is converted to a gallium-rich region at the light-receiving surface of the CIGS absorber layer. A second gallium-rich region is formed at the back contact surface of the CIGS absorber layer during selenization, so that the CIGS absorber layer has a double-graded gallium concentration that increases toward the light-receiving surface and toward the back contact surface of the CIGS absorber layer. The double-graded gallium concentration advantageously produces a double-graded bandgap profile for the CIGS absorber layer.

摘要翻译： 在CIGS吸收层的光接收表面上形成含镓合金，并且随后的硒化或退火工艺在CIGS吸收层的光接收表面处被转化为富镓区域 。 在硒化期间，在CIGS吸收体层的背面接触表面上形成第二个富含镓的区域，使得CIGS吸收层具有双重梯度的镓浓度，其朝着光接收表面和朝向 CIGS吸收层。 双分级镓浓度有利地为CIGS吸收层产生双梯度带隙分布。

公开(公告)号：WO2013093383A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/FR2012/053072

申请日：2012-12-21

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： LEGENDRE, Fabrice ,  CARO-VERRON, Anne

IPC分类号： C01B19/00 ,  H01L21/363

CPC分类号： C01B19/002 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/72 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631

摘要： Procédé de fabrication par mécanosynthèse d'une poudre du compo¬ sé Cu 2 ZnSnS z Se 4 - z dans lequel 0 2 ZnSnS z Se 4 - z . L'invention concerne également l'utilisation du procédé pour réaliser une couche mince, entrant en particulier dans la composition d'une cellule photovoltaïque.

摘要翻译： 本发明涉及一种制备其中0

公开(公告)号：WO2013089115A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/JP2012/082123

申请日：2012-12-05

申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. ,  YAMAZAKI, Shunpei ,  AKIMOTO, Kengo ,  NONAKA, Yusuke ,  KANEMURA, Hiroshi

发明人： YAMAZAKI, Shunpei ,  AKIMOTO, Kengo ,  NONAKA, Yusuke ,  KANEMURA, Hiroshi

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L29/247 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： To manufacture a highly reliable semiconductor device by giving stable electric characteristics to a transistor. An oxide semiconductor film is deposited by a sputtering method with the use of a polycrystalline sputtering target. In that case, partial pressure of water in a deposition chamber before or in the deposition is set to be lower than or equal to 10 -3 Pa, preferably lower than or equal to 10 -4 Pa, more preferably lower than or equal to 10 -5 Pa. Thus, a dense oxide semiconductor film is obtained. The density of the oxide semiconductor film is higher than 6.0 g/cm 3 and lower than 6.375 g/cm 3 .

摘要翻译： 通过给晶体管提供稳定的电特性来制造高度可靠的半导体器件。 通过使用多晶溅射靶的溅射法沉积氧化物半导体膜。 在这种情况下，在沉积之前或沉积期间沉积室中的水的分压设定为低于或等于10 -3 Pa，优选低于或等于10 -4 Pa，更优选低于或等于10 -5Pa。因此，获得了致密的氧化物半导体膜。 氧化物半导体膜的密度高于6.0g / cm 3，低于6.375g / cm 3。

公开(公告)号：WO2013035841A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/JP2012/072896

申请日：2012-09-07

申请人： 株式会社タムラ製作所 ,  独立行政法人情報通信研究機構 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人東京工業大学 ,  佐々木 公平 ,  東脇 正高 ,  藤田 静雄 ,  大友 明 ,  大島 孝仁

发明人： 佐々木　公平 ,  東脇　正高 ,  藤田　静雄 ,  大友　明 ,  大島　孝仁

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/203 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/157 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7786

摘要： 　高品質のＧａ 2 Ｏ 3 系半導体素子であるＧａ 2 Ｏ 3 系ＨＥＭＴを提供する。　ｉ型β－Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３と、ｉ型β－Ｇａ 2 Ｏ 3 単結晶膜３上に形成された、ＩＶ族元素を含むβ－（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 （０＜ｘ≦０．６）結晶からなるｎ型β－（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 単結晶膜４と、ｎ型β－（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 単結晶膜４上に形成されたソース電極２２及びドレイン電極２３と、ソース電極２２とドレイン電極２３との間のｎ型β－（Ａｌ x Ｇａ 1-x ） 2 Ｏ 3 単結晶膜４上に形成されたゲート電極２１と、を含むＧａ 2 Ｏ 3 系ＨＥＭＴ２０を提供する。

摘要翻译： 提供了Ga 2 O 3 HEMT，其是高质量的Ga 2 O 3半导体元件。 提供了Ga2O3 HEMT（20），其包括：i型β-Ga 2 O 3单晶膜（3）; 形成在i型β-Ga 2 O 3单晶膜（3）上的n型β-（Al x Ga 1-x）2 O 3单晶膜（4），由β-（Al x Ga 1-x）2 O 3 含有IV族元素的晶体（0

公开(公告)号：WO2013035472A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/JP2012/069975

申请日：2012-08-06

申请人： 株式会社タムラ製作所 ,  佐々木 公平

发明人： 佐々木　公平

IPC分类号： C30B29/16 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C30B29/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L29/24 ,  C30B13/00 ,  C30B15/34 ,  C30B23/066 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045

摘要： 　β－Ｇａ ２ Ｏ ３ 単結晶基板上に形成されるＧａ含有酸化物層の高品質化を図ることができるエピタキシャル成長用基板を提供する。　エピタキシャル成長用基板１は、β－Ｇａ ２ Ｏ ３ 系単結晶からなり、その（０１０）面、又は（０１０）面に対して３７．５°以内の角度範囲で傾斜した面を主面とする。また、結晶積層構造体２は、エピタキシャル成長用基板１と、エピタキシャル成長用基板１の主面１０に形成されたＧａ含有酸化物からなるエピタキシャル結晶２０とを有する。

摘要翻译： 提供了用于外延生长的衬底，其能够提高形成在β-Ga 2 O 3单晶衬底上的含Ga氧化物层的质量。 用于外延生长的衬底（1）包括β-Ga 2 O 3单晶，其中单晶的面（010）或相对于面（010）以等于或小于37.5°的角度倾斜的面是 主要面孔。 晶体层压结构（2）包括：用于外延生长的衬底（1） 和外延晶体（20），其形成在用于外延生长的衬底（1）的主面（10）上，并且每个包括含Ga氧化物。