APPARATUS FOR USE IN WELL ABANDONMENT
    81.
    发明申请
    APPARATUS FOR USE IN WELL ABANDONMENT 审中-公开
    装置用于良好的放弃

    公开(公告)号:WO2014096858A3

    公开(公告)日:2015-10-01

    申请号:PCT/GB2013053397

    申请日:2013-12-20

    Applicant: BISN TEC LTD

    Inventor: CARRAGHER PAUL

    Abstract: A plug (1) for plugging wells, and in particular oil and gas wells, is provided. The plug (1) has a plug body formed from an outer metal tube (2) of a reduced thickness. The plug also has reinforcement means(4), attached to an inner surface of the outer tube (2), that give the plug a cross-sectional structural strength that is at least equivalent to that of a thicker metal tube. The plug has a central heater receiving void located along the axis of the plug to enable a plug deployment heater to be received therein. Also provided is a plug assembly (10) with a variable cross-sectional area in a plane perpendicular to the plane in which the assembly is deployed during the plugging of underground conduits.

    Abstract translation: 提供了用于堵塞井,特别是油气井的塞子(1)。 插头(1)具有由较小厚度的外部金属管(2)形成的插头体。 插头还具有附接到外管(2)的内表面的加强装置(4),其给予插塞至少与较厚金属管的截面结构强度相当的横截面结构强度。 插头具有沿着插头的轴线定位的中央加热器接收空隙,以使插头部署加热器能够被接纳在其中。 还提供了一种插塞组件(10),其在垂直于在地下管道堵塞期间组件展开的平面的平面中具有可变的横截面面积。

    低α線ビスマス及び低α線ビスマスの製造方法
    84.
    发明申请
    低α線ビスマス及び低α線ビスマスの製造方法 审中-公开
    低排放双歧杆菌和生产低分子双歧杆菌的方法

    公开(公告)号:WO2015098191A1

    公开(公告)日:2015-07-02

    申请号:PCT/JP2014/073334

    申请日:2014-09-04

    Inventor: 細川 侑

    Abstract: α線量が0.007cph/cm 2 以下であることを特徴とするビスマス。α線量0.15cph/cm 2 以下のビスマスを原料とし、電気分解によりビスマス濃度5~50g/L、pH0.0~0.4の硝酸ビスマス溶液を作製し、この溶液に20~60%の水酸化ナトリウム水溶液を添加してポロニウムを巻き込んだ沈殿物を生じさせ、これをろ過して沈殿物1とろ液1に分離し、次にろ液1を電解採取してビスマスを回収することを特徴とする低α線ビスマスの製造方法。最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきている。特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料に対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、本発明は、要求される材料に適応できるビスマスのα線量を低減させた高純度ビスマスを得ることを課題とする。

    Abstract translation: 铋的特征在于具有0.007cph / cm 2以下的α射线发射; 以及生产低α发射铋的方法,其特征在于使用α射线发射为0.15cph / cm 2以下的铋作为起始原料,电解产生铋浓度为5-50g / l的硝酸铋溶液, L,pH为0.0-0.4,向溶液中加入20-60%的氢氧化钠水溶液,得到含a泥的沉淀物,过滤分离得到的沉淀物(1)和滤液(1); 然后对滤液(1)进行电解沉积以回收铋。 由于最近的半导体器件具有较高的密度和增加的容量,所以软件错误发生的风险由于存在于半导体芯片周围的材料的α射线的影响而增加。 特别地,强烈希望在半导体器件附近使用的焊料材料具有更高的纯度,并且还期望α射线中的材料减少。 因此,本发明解决了获得α射线发射减少的高纯度铋并可用作需要材料的问题。

    APPARATUS FOR USE IN WELL ABANDONMENT
    86.
    发明申请
    APPARATUS FOR USE IN WELL ABANDONMENT 审中-公开
    装置用于良好的放弃

    公开(公告)号:WO2014096858A2

    公开(公告)日:2014-06-26

    申请号:PCT/GB2013/053397

    申请日:2013-12-20

    Applicant: BISN TEC LTD

    Inventor: CARRAGHER, Paul

    Abstract: A plug (1) for plugging wells, and in particular oil and gas wells, is provided. The plug (1) has a plug body formed from an outer metal tube (2) of a reduced thickness. The plug also has reinforcement means(4), attached to an inner surface of the outer tube (2), that give the plug a cross-sectional structural strength that is at least equivalent to that of a thicker metal tube. The plug has a central heater receiving void located along the axis of the plug to enable a plug deployment heater to be received therein. Also provided is a plug assembly (10) with a variable cross-sectional area in a plane perpendicular to the plane in which the assembly is deployed during the plugging of underground conduits.

    Abstract translation: 提供了用于堵塞井,特别是油气井的塞子(1)。 插头(1)具有由较小厚度的外部金属管(2)形成的插头体。 插头还具有附接到外管(2)的内表面的加强装置(4),其给予插塞至少与较厚金属管的截面结构强度相当的横截面结构强度。 插头具有沿着插头的轴线定位的中央加热器接收空隙,以使插头部署加热器能够被接纳在其中。 还提供了一种插塞组件(10),其在垂直于在地下管道堵塞期间组件展开的平面的平面中具有可变的横截面面积。

    HEAT SOURCES AND ALLOYS FOR USE IN DOWN-HOLE APPLICATIONS
    87.
    发明申请
    HEAT SOURCES AND ALLOYS FOR USE IN DOWN-HOLE APPLICATIONS 审中-公开
    用于下游应用的热源和合金

    公开(公告)号:WO2014096857A2

    公开(公告)日:2014-06-26

    申请号:PCT/GB2013053396

    申请日:2013-12-20

    Applicant: BISN TEC LTD

    Inventor: CARRAGHER PAUL

    Abstract: A chemical reaction heat source for use in heaters used in down-hole applications is provided. The heat source has a fuel composition that comprises thermite and a damping agent. The use of the thermite mix enables the heaters of the present invention to generate hotter temperatures down wells. This in turn allows the use of Bismuth/Germanium alloys, which have higher melting points, to enable the production of plugs for the abandonment of deeper wells where subterranean temperatures are higher.

    Abstract translation: 提供了用于井下应用的加热器中的化学反应热源。 热源具有包含耐热铁和阻尼剂的燃料组合物。 使用热铝混合物可以使本发明的加热器在井下产生较热的温度。 这又允许使用具有较高熔点的铋/锗合金,以便能够生产用于放置地下温度更高的较深井的塞子。

    低α線ビスマスの製造方法並びに低α線ビスマス及びビスマス合金
    89.
    发明申请
    低α線ビスマスの製造方法並びに低α線ビスマス及びビスマス合金 审中-公开
    生产低浓度二氧化碳,二氧化碳和二氧化钛的方法

    公开(公告)号:WO2014069357A1

    公开(公告)日:2014-05-08

    申请号:PCT/JP2013/078949

    申请日:2013-10-25

    CPC classification number: B23K35/264 B23K35/26 C22C12/00 C22C13/02 C25C1/22

    Abstract:  α線量が0.01cph/cm 2 以下であることを特徴とするビスマス。ビスマス濃度5~50g/L、pH0.0~0.4の硝酸溶液にチタン製のカソードおよびビスマスアノードを挿入し、カソード電流密度0.1~1 A/dm 2 で電解精製を行うことを特徴とする低α線ビスマスの製造方法。最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきている。特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料に対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、本発明は、ビスマスのα線発生の現象を解明すると共に、要求される材料に適応できるビスマスのα線量を低減させた高純度ビスマス及びその合金を得ることを課題とする。

    Abstract translation: 提供一种铋,其特征在于,铋释放出0.01cph / cm 2以下的α射线。 还提供了一种生产低α发射铋的方法,其特征在于将钛阴极和铋阳极引入铋浓度为5至50g / L和pH为0.0至0.4的硝酸溶液中,以及 以0.1〜1A / dm 2的阴极电流密度进行电解纯化。 最近的半导体器件是高密度和高容量的,因此由于半导体芯片附近的材料发射的α射线的影响而使软误差的风险增加。 特别是对半导体器件附近使用的高纯度焊料材料的需求很大,因此需要低的α发射材料。 因此,本发明的问题是阐明铋产生的α射线的现象,并获得可应用于要求的材料的低α射线发射,高纯度的铋及其合金。

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