公开(公告)号：WO2015098460A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/JP2014/082181

申请日：2014-12-04

申请人： 三菱マテリアル株式会社

发明人： 中川　将 ,  石川　雅之 ,  八十嶋　司

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 　有芯構造はんだバンプ及びその製造方法を提供する。はんだバンプの作製にあたり、予め、バンプの中心部分に芯用ペーストを印刷塗布し、はんだ金属のリフロー処理温度近傍またはそれ以下の温度で芯用ペーストを焼結することにより、焼結芯を形成し、次いで、この焼結芯の周囲にはんだ金属を印刷法で塗布し、このはんだ金属をリフロー処理することによって、はんだバンプの内部に、垂直な方向に延びる焼結芯が形成された有芯構造はんだバンプを得る。

摘要翻译： 提供具有芯结构的焊料凸块及其制造方法。 在制造焊料凸点时，首先将芯糊印刷在凸块的中央部，并且在接近焊锡金属回流加工温度以下的温度下，将芯浆烧结而形成烧结芯， 然后，通过印刷方法将焊料金属涂覆在该烧结芯周围，并且对该焊料金属进行回流处理，从而获得具有芯结构的焊料凸块，其中在垂直方向上形成有沿垂直方向延伸的烧结芯 焊锡凸块

公开(公告)号：WO2012131861A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/JP2011/057532

申请日：2011-03-28

申请人： 千住金属工業株式会社 ,  大西 司 ,  山中 芳恵 ,  立花 賢

发明人： 大西　司 ,  山中　芳恵 ,  立花　賢

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/14 ,  C22C13/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/16

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B32B15/018 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/2076 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00014

摘要： 　落下衝撃に良好なはんだボールの組成として、Cu電極には良好であるがNi電極には向かなかったり、Ni電極への耐落下は向上するがCu電極での落下衝撃性は損なわれて、信頼性が悪くなるなど、Cu電極及びNi電極両方を満たす耐落下衝撃用のはんだボールはなかった。　本発明は、Ag0.3～1.1質量％、Cu0.7～0.8質量％、Ni0.05～0.07質量％、残部SnのBGAやCSPの電極用鉛フリーはんだボールであり、接合されるプリント基板がCu電極でも、表面処理にAuめっきやAu/Pdめっきを用いるNi電極でも落下衝撃性が良好である鉛フリーはんだボールである。さらに、この組成にFe、Co、Ptから選択される元素を１種以上を合計で0.003～0.1質量％、又はBi、In、Sb、P、Geから選択される元素を１種以上を合計で0.003～0.1質量％添加しても良い。

摘要翻译： 没有具有满足Cu电极和Ni电极两者要求的组合物的耐跌落冲击焊球。 一些具有良好的耐滴落冲击性的焊球具有适合于Cu电极但不适用于Ni电极的组合物，而其它具有改善的对Ni电极的耐滴落冲击性，而对于Cu电极具有降低的耐冲击性，这降低了可靠性。 在本发明中，用于BGAs和CSP的电极的无铅焊球包括Ag为0.3〜1.1质量％，Cu为0.7〜0.8质量％，Ni为0.05〜0.07质量％，余量为Sn。 这样的无铅焊球对于要接合的印刷电路板赋予良好的耐冲击性，其具有经过Au镀层或Au / Pd电镀的表面处理的Cu电极或Ni电极。 可以向组合物中添加选自Fe，Co和Pt中的一种或多种元素的总计0.003至0.1质量％，或者选自Bi，In，Sb等中的一种或多种元素的总计0.003至0.1质量％ 可以添加P和Ge。

公开(公告)号：WO2012004136A2

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：PCT/EP2011/060579

申请日：2011-06-23

申请人： ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH ,  MATEJAT, Kai-Jens ,  LAMPRECHT, Sven ,  EWERT, Ingo

发明人： MATEJAT, Kai-Jens ,  LAMPRECHT, Sven ,  EWERT, Ingo

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC分类号： B23K31/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： Described is a method of forming a solder alloy deposit on a substrate comprising the following steps i) provide a substrate including a surface bearing electrical circuitry that includes at least one inner layer contact pad, ii) form a solder mask layer that is placed on the substrate surface and patterned to expose the at least one contact area, iii) contact the entire substrate area including the solder mask layer and the at least one contact area with a solution suitable to provide a metal seed layer on the substrate surface, iv) form a structured resist layer on the metal seed layer, v) electroplate a first solder material layer containing tin onto the conductive layer, vi) electroplate a second solder material layer onto the first solder material layer, vii) remove the structured resist layer and etch away an amount of the metal seed layer sufficient to remove the metal seed layer from the solder mask layer area and reflow the substrate and in doing so form a solder alloy deposit from the metal seed layer, the first solder material layer and the second solder material layer.

摘要翻译： 描述了一种在基板上形成焊料合金沉积物的方法，包括以下步骤：i）提供包括表面承载电路的基板，所述电路包括至少一个内层接触垫，ii）形成 焊接掩模层，其被放置在衬底表面上并且被图案化以暴露所述至少一个接触区域; iii）使包括焊料掩模层和所述至少一个接触区域的整个衬底区域与适合于提供金属晶种层的溶液接触 iv）在所述金属种子层上形成结构化抗蚀剂层，v）在所述导电层上电镀包含锡的第一焊料材料层，vi）在所述第一焊料材料层上电镀第二焊料材料层，vii） 去除结构化抗蚀剂层并且蚀刻掉足够量的金属种子层以从焊料掩模层区域去除金属种子层并回流基板，并且这样形成焊料 从金属种子层，第一焊料材料层和第二焊料材料层合金沉积。

公开(公告)号：WO2011125546A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/JP2011/057372

申请日：2011-03-25

申请人： 京セラ株式会社 ,  林 桂

发明人： 林　桂

IPC分类号： H01L23/15 ,  H01L23/32

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/145 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15172 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/15798 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】本発明は、電子装置の電気的信頼性を向上させる要求に応えるインターポーザーを提供するものである。 【解決手段】本発明の一形態にかかるインターポーザー４は、厚み方向に沿った貫通孔Ｐを有する基体１４と、該貫通孔Ｐに配された貫通導体１６と、を備え、基体１４は、厚み方向に沿って互いに離間した第１無機絶縁層１７ａ及び第２無機絶縁層１７ｂと、該第１無機絶縁層１７ａ及び第２無機絶縁層１７ｂの間に介在され、第１無機絶縁層１７ａ及び第２無機絶縁層１７ｂに当接された第１樹脂層１８ａと、を有し、第１樹脂層１８ａは、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が第１無機絶縁層１７ａ及び第２無機絶縁層１７ｂよりも大きい。

摘要翻译： 公开了一种满足提高电子设备的电气可靠性的需要的插入器。 插入件（4）在厚度方向上设置有具有通孔（P）的基部（14）和设置在通孔（P）中的贯通导体。 基底（14）具有：在厚度方向上彼此间隔开的第一无机绝缘层（17a）和第二无机绝缘层（17b） 以及设置在所述第一无机绝缘层（17a）和所述第二无机绝缘层（17b）之间并与所述第一无机绝缘层（17a）和所述第二无机绝缘层（17a）接触的第一树脂层（18a） 层（17b）。 第一树脂层（18a）的厚度方向和平面方向的热膨胀系数比第一无机绝缘层（17a）和第二无机绝缘层（17b）的热膨胀系数大。

公开(公告)号：WO2005031848A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：PCT/US2004/030577

申请日：2004-09-17

申请人： INTEL CORPORATION ,  BOHR, Mark ,  BALAKRISHNAN, Sridhar ,  DUBIN, Valery

发明人： BOHR, Mark ,  BALAKRISHNAN, Sridhar ,  DUBIN, Valery

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： Methods, techniques, and structures relating to die packaging. In one exemplary implementation, a die package interconnect structure includes a semiconductor substrate and a first conducting layer in contact with the semiconductor substrate. The first conducting layer may include a base layer metal (230). The base layer metal may include Cu. The exemplary implementation may also include a diffusion barrier (225) in contact with the first conducting layer and a wetting layer on top of the diffusion barrier. A bump layer (215) may reside on top of the wetting layer, in which the bump layer may include Sn, and Sn may be electroplated. The diffusion barrier may be electroless and may be adapted to prevent Cu and Sn from diffusing through the diffusion barrier. Furthermore, the diffusion barrier may be further adapted to suppress a whisker-type formation in the bump layer.

摘要翻译： 与模具包装相关的方法，技术和结构。 在一个示例性实施例中，管芯封装互连结构包括半导体衬底和与半导体衬底接触的第一导电层。 第一导电层可以包括基底层金属（230）。 基底层金属可以包括Cu。 示例性实施方式还可以包括与第一导电层接触的扩散阻挡层（225）和在扩散阻挡层顶部的润湿层。 凸起层（215）可以位于润湿层的顶部，其中凸起层可以包括Sn，并且Sn可以被电镀。 扩散阻挡层可以是无电解的并且可以适于防止Cu和Sn扩散通过扩散阻挡层。 此外，扩散阻挡层可以进一步适于抑制凸块层中的晶须型形成。

公开(公告)号：WO02052646A1

公开(公告)日：2002-07-04

申请号：PCT/IB2001/002653

申请日：2001-12-19

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013

摘要： The invention relates to an integrated circuit device comprising a circuit provided in an active circuit area (4) at a surface of a semiconductor body (1). The circuit comprises circuit devices (2, 3) and an interconnect structure (8) comprising at least one patterned metal layer (5, 6) for interconnecting circuit devices (2, 3) so as to form the circuit. The patterned metal layer (5, 6) is disposed over the circuit devices (2, 3). The circuit further comprises a layer of passivating material (9) disposed atop the interconnect structure (8) and a bump electrode (11, 12, 13) for connection of the circuit to the outside world. The bump electrode (11, 12, 13) lies substantially perpendicularly above the active circuit area (4). According to the invention, the circuit devices (2, 3) are substantially directly electrically connected to the bump electrode (11, 12, 13) by means of an electrical connection (10) extending from the interconnect structure (8) and passing through the layer of passivating material (9).

摘要翻译： 本发明涉及一种集成电路器件，其包括设置在半导体本体（1）的表面处的有源电路区域（4）中的电路。 电路包括电路器件（2,3）和互连结构（8），该互连结构（8）包括用于互连电路器件（2,3）的至少一个图案化的金属层（5,6），以形成电路。 图案化的金属层（5,6）设置在电路装置（2,3）上。 电路还包括设置在互连结构（8）顶部的钝化材料层（9）和用于将电路连接到外界的凸块电极（11,12,13）。 突起电极（11,12,13）大致垂直地位于有源电路区域（4）的上方。 根据本发明，电路器件（2,3）通过从互连结构（8）延伸的电连接（10）基本上直接电连接到突起电极（11,12,13），并通过 钝化层（9）。

公开(公告)号：WO2016043697A1

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：PCT/US2014/055612

申请日：2014-09-15

申请人： INTEL CORPORATION ,  KARHADE, Omkar, G. ,  DESHPANDE, Nitin, A. ,  CETEGEN, Edvin ,  LI, Eric, J. ,  MALLIK, Debendra ,  ZIADEH, Bassam, M.

发明人： KARHADE, Omkar, G. ,  DESHPANDE, Nitin, A. ,  CETEGEN, Edvin ,  LI, Eric, J. ,  MALLIK, Debendra ,  ZIADEH, Bassam, M.

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665

摘要： Methods of fabricating a microelectronic device comprising forming a microelectronic substrate having a plurality microelectronic device attachment bond pads and at least one interconnection bond pad formed in and/or on an active surface thereof, attaching a microelectronic device to the plurality of microelectronic device attachment bond pads, forming a mold chase having a mold body and at least one projection extending from the mold body, wherein the at least one projection includes at least one sidewall and a contact surface, contacting the mold chase projection contact surface to a respective microelectronic substrate interconnection bond pad, disposing a mold material between the microelectronic substrate and the mold chase, and removing the mold chase to form at least one interconnection via extending from a top surface of the mold material to a respective microelectronic substrate interconnection bond pad.

摘要翻译： 制造微电子器件的方法包括形成具有多个微电子器件附着接合焊盘的微电子衬底和在其有效表面上和/或其有效表面上形成的至少一个互连接合焊盘，将微电子器件连接到多个微电子器件附接接合焊盘 形成具有模具主体和至少一个从所述模具主体延伸的突起的模具追踪器，其中所述至少一个突出部包括至少一个侧壁和接触表面，所述至少一个突出部将所述模具追踪投影接触表面接触到相应的微电子衬底互连接合 在微电子基板和模具追逐之间设置模具材料，并且通过从模具材料的顶表面延伸到相应的微电子衬底互连接合垫，去除模具追逐以形成至少一个互连。

公开(公告)号：WO2015046073A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/JP2014/074899

申请日：2014-09-19

申请人： 日東電工株式会社

发明人： 花園　博行 ,  高本　尚英 ,  福井　章洋

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/48 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11515 ,  H01L2224/1155 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： 　半導体チップにシート状樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、被着体を準備する工程Ｂと、被着体に、シート状樹脂組成物付きチップを、シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付ける工程Ｃと、工程Ｃの後に、シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、工程Ｄの後に、工程Ｄにおける加熱よりも高温でシート状樹脂組成物を加熱して硬化させる工程Ｅとを含む半導体装置の製造方法。

摘要翻译： 该半导体装置的制造方法包括：制备片状树脂组合物附着芯片的工序（A），其具有与半导体芯片接合的片状树脂组合物， 步骤（B），用于制备所述芯片要被粘合的主体; 通过使片状树脂组合物作为接合面，将贴附有片状树脂组合物的芯片与主体接合的工序（C） 在步骤（C）之后通过加热组合物半固化片状树脂组合物的步骤（D）; 和步骤（E），用于在步骤（D）之后在步骤（D）中在比加热温度高的温度下加热组合物来固化片状树脂组合物。

公开(公告)号：WO2015037279A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/JP2014/063481

申请日：2014-05-21

申请人： 千住金属工業株式会社

发明人： 立花　賢 ,  永澤　佑也

IPC分类号： B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

摘要： Ａｇ:１．２～４．５質量％、Ｃｕ:０．２５～０．７５質量％、Ｂｉ:１～５．８質量％、Ｎｉ：０．０１～０．１５質量％、残部Ｓｎからなることを特徴とする鉛フリーはんだである。この添加量とすることで、耐熱疲労特性に加えて、濡れ性やせん断強度特性などの一般的なはんだ特性をさらに改善することができた。

摘要翻译： 一种无铅焊料，其特征在于，含有1.2-4.5质量％的Ag，0.25-0.75质量％的Cu，1-5.8质量％的Bi，0.01-0.15质量％的Ni和作为余量的Sn。 由于添加量，不仅可以进一步提高耐热疲劳性，还可以进一步提高润湿性，剪切强度等一般的焊接性能。

公开(公告)号：WO2014170994A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/JP2013/061531

申请日：2013-04-18

申请人： 千住金属工業株式会社

发明人： 立花　賢 ,  野村　光

IPC分类号： C22C13/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/264 ,  C22C12/00 ,  C22C13/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01109 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15701 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 　低融点で延性に優れ引張強度が高く、接合界面のＰリッチ層の生成を抑制して高いせん断強度を有することにより、基板の歪みを抑制して優れた接続信頼性を有するＳｎ－Ｂｉ－Ｃｕ－Ｎｉ系鉛フリーはんだ合金を提供する。　電極のＣｕやＮｉの拡散を抑制するとともにはんだ合金の伸びや濡れ性を確保するため、質量％で、Ｂｉ：３１～５９％、Ｃｕ：０．３～１．０％、Ｎｉ：０．０１～０．０６％、残部Ｓｎからなる合金組成を有する。

摘要翻译： 提供一种Sn-Bi-Cu-Ni无铅焊料合金，其具有低熔点，优异的延展性和高拉伸强度，同时通过抑制在接合界面处产生富磷层而具有高剪切强度， 从而抑制基板的变形，从而实现良好的连接可靠性。 为了抑制Cu和Ni从电极的扩散，并且为了确保焊料合金的伸长率和润湿性，该无铅焊料合金的合金成分以质量％计，Bi为31〜59％ -1.0％的Cu和0.01-0.06％的Ni，其余的由Sn组成。