公开(公告)号：WO2017043541A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：PCT/JP2016/076333

申请日：2016-09-07

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 石川　大 ,  川名　祐貴 ,  須鎌　千絵 ,  中子　偉夫 ,  江尻　芳則 ,  蔵渕　和彦

IPC: B22F7/08 ,  B22F1/00 ,  C04B37/02 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/52

CPC classification number: B22F1/00 ,  B22F7/08 ,  C04B37/02 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01L21/52 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本発明の接合用銅ペーストは、金属粒子と、分散媒と、を含み、金属粒子が、体積平均粒径が０．１２μｍ以上０．８μｍ以下であるサブマイクロ銅粒子と、最大径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が４以上のフレーク状マイクロ銅粒子とを含み、且つ、金属粒子に含まれる、最大径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が２未満のマイクロ銅粒子の含有量が、フレーク状マイクロ銅粒子全量を基準として、５０質量％以下である。

Abstract translation: 用于接合的铜浆包括金属颗粒和分散剂。 金属颗粒包括体积平均粒径为0.12-0.8μm的亚铜微粒和包含最大直径为1-20μm，纵横比为4以上的片状铜微粒。 包含在金属颗粒中并且最大直径为1-20μm且纵横比小于2的铜微粒的量以片状铜微粒的总量表示为50质量％ 。

公开(公告)号：WO2016051449A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/JP2014/075819

申请日：2014-09-29

Applicant: 新電元工業株式会社

Inventor： 見澤　有市 ,  長瀬　健男

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2924/014

Abstract: 　半導体パッケージにおいて、ダイパッド、半導体素子、接続部材およびリードの表面は、シランカップリング剤によって表面処理され、半導体素子の表面のうち接続部材が接合される半導体素子の第一の面は、有機物が露出した第一の領域と、無機物が露出した第二の領域と、を含み、第一の領域と封止樹脂との接合強度は、第二の領域と封止樹脂との接合強度よりも弱い。

Abstract translation: 公开了一种半导体封装，其中：使用硅烷偶联剂对芯片焊盘，半导体元件，连接部件和引线的表面进行表面处理; 半导体元件第一表面，其具有接合到其上的连接构件，所述半导体元件第一表面是半导体元件的表面的一部分，包括暴露有机材料的第一区域和无机材料是第二区域 裸露; 并且第一区域和密封树脂之间的接合强度弱于第二区域和密封树脂之间的接合强度。

公开(公告)号：WO2015186305A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：PCT/JP2015/002569

申请日：2015-05-21

Applicant: 株式会社デンソー

Inventor： 森野　友生 ,  石野　寛

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/48 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 　半導体装置は、シリコンカーバイドを用いて形成され、第１面（１２ａ）及び該第１面と反対の第２面に電極を有する半導体チップ（１２）と、第１面側に配置され、接合部材を介して第１面側の電極に接続されるターミナル（１４）と、第２面側に配置され、接合部材を介して第２面側の電極に接続されるヒートシンク（２２）と、を備える。第１面（１２ａ）が（０００１）面とされ、半導体チップの厚み方向が、［０００１］方向とされている。そして、平面正方形をなす半導体チップ（１２）の端部と、平面長方形をなすターミナル（１４）の端部との間の距離のうち、［１－１００］方向における最短距離Ｌ１が、［１１－２０］方向における最短距離Ｌ２よりも短くされている。これにより、放熱性の低下を抑制しつつ、熱応力に対する半導体チップの耐力を向上することができる。

Abstract translation: 半导体器件设置有：分别在第一表面（12a）和第二表面（与第一表面相反）上形成有碳化硅并具有电极的半导体芯片（12） 设置在第一表面侧并通过接合部件连接到第一表面侧的电极的端子（14） 设置在第二表面侧并通过接合部件连接到第二表面侧的电极的散热片（22）。 第一表面（12a）是（0001）面，半导体芯片的厚度方向为[0001]方向。 在具有平面正方形的半导体芯片（12）的端部与具有平面矩形形状的端子（14）的端部之间的距离之外，使[1-100]方向上的最短距离（L1）比 [11-20]方向的最短距离（L2）。 因此，可以降低半导体芯片对热应力的电阻，同时抑制散热性能的降低。

公开(公告)号：WO2015111691A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/JP2015/051812

申请日：2015-01-23

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 藤野　純司 ,  米田　裕 ,  小川　翔平 ,  坂元　創一 ,  石原　三紀夫 ,  永井　美帆

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/45 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49537 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/72 ,  H01L24/81 ,  H01L25/07 ,  H01L25/162 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84214 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2224/85232 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 　電極端子６２は、主電極に接合される第一引出部６２１と、主電極と間隔をあけて対向配置される一端部から外部回路と接続される他端部まで連なるように、板材で形成され、一端部の主電極への対向面６２２ｆに、第一引出部６２１の主電極に接合される部分の隣接部が接合された第二引出部６２２とを備え、第一引出部６２１は、主電極に接合される部分が対向面６２２ｆから離れるように形成され、第二引出部６２２には、主電極に対応した開口部６２２ａが形成されている。

Abstract translation: 一种电极端子（62），其具有：接合到主电极的第一引出部分（621） 以及第二引出部分（622），其从板形成，以便从设置成面对主电极的一个端部跨越与外部电路连接的另一端部分的间隙连接， 在与第二引出部分622的一个端部处接合到与主电极对置的表面（622f）接合的与主电极接合的部分相邻的外部部分（621）。 第一引出部621形成为使与主电极接合的部分与对置面622d分离，在第二引出部形成与主电极对应的开口622a 部分（622）。

公开(公告)号：WO2014169209A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：PCT/US2014/033797

申请日：2014-04-11

Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

Inventor： DENISON, Marie ,  CARPENTER, Brian, Ashley ,  LOPEZ, Osvaldo, Jorge ,  HERBSOMMER, Juan, Alejandro ,  NOQUIL, Jonathan

IPC: H01L27/02 ,  H05K1/02

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/84 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40145 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/20752

Abstract: A packaged multi-output converter (200) comprising a leadframe with a chip pad (201) as ground terminal and a plurality of leads (202) including the electrical input terminal (203); a first FET chip (sync chip, 220) with its source terminal affixed to the leadframe and on its opposite surface a first drain terminal (221) positioned adjacent to a second drain terminal (222), the drain terminals connected respectively by a first (241) and a second (242) metal clip to a first (204) and second (205) output lead; a second FET chip (control chip, 211), positioned vertically over the first drain terminal, with its source terminal attached onto the first clip; a third FET chip (control chip, 212), positioned vertically over the second drain terminal, with its source terminal attached onto the second clip; and the drain terminals (213, 214) of the second and third chips attached onto a third metal clip (260) connected to the input lead (203).

Abstract translation: 一种封装的多输出转换器（200），包括具有作为接地端子的芯片焊盘（201）的引线框和包括所述电输入端子（203）的多个引线（202）; 第一FET芯片（同步芯片，220），其源极端子固定到引线框架，并且在其相对表面上与第二漏极端子（222）相邻定位的第一漏极端子（221），漏极端子分别由第一（ 241）和第二（242）金属夹到第一（204）和第二（205）输出引线; 位于第一漏极端子上方的第二FET芯片（控制芯片211），其源极端子附接到第一夹子上; 第三FET芯片（控制芯片212），其垂直地位于第二漏极端子上，其源极端子附接到第二夹子上; 和连接到连接到输入引线（203）的第三金属夹（260）上的第二和第三芯片的漏极端子（213,214）。

公开(公告)号：WO2014167693A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：PCT/JP2013/060967

申请日：2013-04-11

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 石井　稔二 ,  槇平　尚宏 ,  岩崎　秀和 ,  松橋　潤

IPC: G01R31/26

CPC classification number: H01L22/14 ,  G01R1/0466 ,  G01R1/0483 ,  G01R1/06738 ,  G01R31/2874 ,  G01R31/40 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

Abstract: 　半導体装置の歩留り向上を図る。また、ソケット端子の長寿命化を図る。ソケット端子ＳＴＥ１の先端部ＰＵに、突起部ＰＪ１および突起部ＰＪ２を設ける。これにより、例えば、大電流を流すリードとソケット端子ＳＴＥ１との接触を、突起部ＰＪ１による接触と、突起部ＰＪ２による接触との２点で行なうことができる。この結果、ソケット端子ＳＴＥ１からリードへ流れる電流は、突起部ＰＪ１を流れる経路と、突起部ＰＪ２を流れる経路に分散して流れることになる。したがって、ソケット端子ＳＴＥ１とリードとの間に大電流を流す場合であっても、ソケット端子ＳＴＥ１とリードとの間の接触部の温度上昇を抑制することができる。

Abstract translation: 本发明的目的是提高半导体产量，并延长插座端子的寿命。 插座端子（STE1）的前端部（PU）设置有突出部（PJ1）和突出部（PJ2）。 这样，例如插座端子（STE1）与大电流流过的导线之间的接触可以通过由突出部分（PJ1）提供的接触和由突出部分（ PJ2）。 结果，从插座端子（STE1）流向引线的电流的流动分散在流经突出部（PJ1）的流路和流过突出部（PJ2）的路径。 因此，即使在插座端子（STE1）和引线之间的大电流的情况下，插座端子（STE1）和引线的接触部分的温度上升也能保持最小。

公开(公告)号：WO2014159471A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/US2014/023807

申请日：2014-03-11

Applicant: VISHAY-SILICONIX

Inventor： TERRILL, Kyle ,  KUO, Frank ,  MAO, Sen

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: In one embodiment, a stack die package can include a lead frame and a first die including a gate and a source that are located on a first surface of the first die and a drain that is located on a second surface of the first die that is opposite the first surface. The gate and source are flip chip coupled to the lead frame. The stack die package can include a second die including a gate and a drain that are located on a first surface of the second die and a source that is located on a second surface of the second die that is opposite the first surface. The source of the second die is facing the drain of the first die.

Abstract translation: 在一个实施例中，堆叠管芯封装可以包括引线框架和包括位于第一管芯的第一表面上的栅极和源极的第一管芯和位于第一管芯的第二表面上的漏极， 与第一个表面相对。 栅极和源极被倒装芯片耦合到引线框架。 堆叠管芯封装可以包括位于第二管芯的第一表面上的包括栅极和漏极的第二管芯，以及位于与第一表面相对的第二管芯的第二表面上的源极。 第二管芯的源极面向第一管芯的漏极。

公开(公告)号：WO2014128899A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/JP2013/054431

申请日：2013-02-22

Applicant: 株式会社 日立製作所

Inventor： 露野　円丈 ,  宝蔵寺　裕之 ,  内藤　孝 ,  児玉　一宗 ,  宮城　雅徳 ,  青柳　拓也

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/564 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8389 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/8489 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　樹脂封止型電子制御装置の耐湿性を高める。　樹脂封止型電子制御装置は、半導体チップ２、チップコンデンサ３チップ抵抗４を備え、接合材５、基板６、ケース７、放熱板８、ガラス皮膜９、第一の封止材１０と、を備え、ガラス皮膜９が、半導体チップ２、チップコンデンサ３、チップ抵抗４等の素子群１及び、接合材５、基板６で形成される電子回路を直接被覆し、さらに第一の封止材１０で封止している事を特徴とする。ガラス皮膜が、水を透過しないため、素子群１周辺の吸水を防止し、吸水による半導体チップ２のリーク電流の増加や、素子群１間のマイグレーションによる絶縁抵抗の低下等の絶縁性能の低下を防止する事ができる。

Abstract translation: 本发明提高树脂密封电子控制装置的耐湿性。 树脂密封电子控制装置设置有半导体芯片（2），片状电容器（3），芯片电阻器（4），接合部件（5），基板（6），壳体（7） 散热板（8），玻璃涂膜（9）和第一密封部件（10）。 玻璃涂膜（9）的特征在于直接覆盖由接合部件（5），基板（6）和半导体芯片（2）的元件组（1），片状电容器（3）形成的电子电路， ，片状电阻器（4）等，并且还由第一密封构件（10）密封。 玻璃涂膜不是透水性的，因此防止元件组（1）附近的吸水，并且可以防止由吸水引起的半导体芯片（2）的泄漏电流的增加和绝缘的减少 性能如由元素组（1）内迁移导致的绝缘电阻降低。

公开(公告)号：WO2013008466A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：PCT/JP2012/004498

申请日：2012-07-12

Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社 ,  鈴木 健治

Inventor： 鈴木　健治

IPC: G01R15/20 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

CPC classification number: G01R15/207 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/3702 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/84

Abstract: 　Ｕ字形の電流経路を有する一次導体を備えた電流センサにおいて、製造コストを低減すること。電流センサ（２００）は、Ｕ字形の電流経路（２１０Ａ）を有する一次導体（２１０）と、磁電変換素子（２３０Ａ）を支持するための支持部（２２０Ａ）と、支持部（２１０Ａ）に接続されるリード端子（２２０Ｂ＿１）とを備え、支持部（２２０Ａ）は電流経路（２１０Ａ）と電気的に接続しないように形成されている。

Abstract translation: 本发明旨在降低具有U形电流路径的初级导体的电流传感器的制造成本。 该电流传感器（200）设置有具有U形电流路径（210A）的主导体（210），用于支撑磁电转换元件（230A）的支撑单元（220A），以及连接到 支撑单元（210A）。 支撑单元（220A）形成为不与电流路径（210A）电连接。

公开(公告)号：WO2012157583A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/JP2012/062214

申请日：2012-05-11

Applicant: 富士電機株式会社 ,  長畦 文男

Inventor： 長畦　文男

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L23/24 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　接合部コーナーでの応力集中を低減することにより、温度サイクル等の信頼性試験でのはんだ層のクラック進行を抑制し、あるいは防止できる半導体装置とその製造方法を提供する。　本発明の半導体装置は、両面に導体パターン（２ａ，２ｂ）が接合形成された絶縁基板（１）上に半導体チップ（３）をマウントするとともに絶縁基板（１）を放熱用ベース部材（４）と接合して、半導体チップ（３）の発熱が外部に放出可能な接続構造を有する。ここでは、導体パターン（２ａ，２ｂ）のうち放熱用ベース部材（４）側に接合形成された導体パターン（２ｂ）は、絶縁基板（１）との接合部周縁での厚みが当該接合部中心に比較して薄く形成されている。その結果、導体パターン（２ａ，２ｂ）の接合部中心に比較して、その外周部分における半田等による固着層を厚く形成することができる。

Abstract translation: 提供一种半导体器件，其通过在接合角减小应力集中，在温度循环和其他可靠性测试中抑制或防止焊料层中的裂纹前进; 还提供了所述半导体器件的制造方法。 该半导体器件具有通过将半导体芯片（3）安装在包括在两侧结合形成的导体图案（2a，2b）的绝缘基板（1）上并通过将绝缘基板（1）接合到 散热基体（4）能够从外部散发由半导体芯片（3）产生的热量。 在导体图案（2a，2b）中，形成在散热基底构件（4）侧的导体图案（2b）形成为使得与绝缘基板（1）的结的周边比 所述交界处的中心。 结果，接合周边的焊料等的固定层可以形成为比导电图案（2a，2b）的连接中心更厚。