公开(公告)号：WO2016166834A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：PCT/JP2015/061573

申请日：2015-04-15

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 梶原　孝信 ,  大前　勝彦 ,  伏江　俊祐 ,  椋田　宗明 ,  中島　大輔 ,  元岡　誠裕 ,  宮西　宏幸 ,  仲松　有紀 ,  鈴木　淳也

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/051 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6715 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/33 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 半導体装置（１００）において、リードフレーム（２）の放熱面（２ｂ）に、第一のモールド樹脂（７）により成形された第一のスカート部（７ａ）と、第二のモールド樹脂（８）により成形された第二のスカート部（８ａ）を設けた。また、薄肉成形部（８ｂ）は、第二のモールド樹脂（８）により第二のスカート部（８ａ）と一体的に成形される。このような構成により、薄肉成形部（８ｂ）とリードフレーム（２）との密着性が高く、放熱性と絶縁性に優れた半導体装置（１００）が得られる。

摘要翻译： 一种半导体器件（100），其中引线框架（2）的散热表面（2b）设置有由第一模制树脂（7）形成的第一裙部（7a）和第二裙部（8a） ）由第二模制树脂（8）形成。 使用第二模制树脂（8）将薄壁部分（8b）与第二裙部（8a）整体形成。 作为这种结构的结果，可以获得薄壁部分（8b）和引线框架（2）之间没有高粘合力的半导体器件（100），并且具有优异的散热性能和绝缘性能。

公开(公告)号：WO2016157394A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/JP2015/060024

申请日：2015-03-30

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 錦沢　篤志 ,  谷藤　雄一 ,  岡　浩偉 ,  団野　忠敏 ,  中村　弘幸

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 　樹脂封止型の半導体装置において、導電性のダイパッドＤＰ上に、絶縁性を有する接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２が搭載され、かつ、導電性を有する接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１が搭載されている。半導体チップＣＰ２の第１側面と第２側面とが交差して形成される第１の辺における、接合材ＢＤ２で覆われた部分の第１の長さは、半導体チップＣＰ１の第３側面と第４側面とが交差して形成される第２の辺における、接合材ＢＤ１で覆われた部分の第２の長さよりも大きい。

摘要翻译： 在本发明中，树脂密封型半导体装置被配置为通过具有绝缘性的接合材料BD2将半导体芯片CP2安装在导电性芯片焊盘DP上，半导体芯片CP1经由具有 导电性能。 在由半导体芯片CP2的第一表面和第二表面的交点形成的第一侧中的由接合材料BD2覆盖的部分的第一长度长于由接合材料BD1覆盖的部分的第二长度 第二侧由半导体芯片CP1的第三侧面和第四侧面的交点形成。

公开(公告)号：WO2015179294A3

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/US2015031377

申请日：2015-05-18

申请人： MICROCHIP TECH INC

发明人： DIX GREG ,  MELCHER ROGER ,  KLINE HAROLD

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L23/495 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/1613 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： A semiconductor power chip has a semiconductor power device (210, 530, 720, 730, 830, 840) (e.g., a power-FET device) formed on a semiconductor die (10); wherein the semiconductor power device (210, 530, 720, 730, 830, 840) comprises an array of conductive contact elements (230A, 230B, 230C); a passivation layer (250) formed over the plurality of conductive contact elements (230A, 230B, 230C), the passivation layer (250) comprising passivation openings (12, 252) over a plurality of the conductive contact elements (230A, 230B, 230C); and an array of conductive bumps (200, 200a', 200c', 200e', 200A, 200B', 200C) including one or more interconnection bumps (200a', 200c', 200e', 200A, 200B', 200C), wherein each interconnection bump (200a', 200c', 200e', 200A, 200B', 200C) is formed over the passivation layer (250) and extends into at least two of the passivation openings (12, 252) and into contact with at least two underlying conductive contact elements (230A, 230B, 230C) to thereby provide a conductive coupling between the at least two underlying conductive contact elements (230A, 230B, 230C). The array of conductive contact elements (230A, 230B, 230C) may comprise at least one gate contact element (230A), at least one drain contact element (230B) and at least one source contact element (230C). The semiconductor power chip may further comprise a lead- frame (104, 510, 610, 710, 810) coupled to the array of conductive bumps (200, 200a', 200c', 200e', 200A, 200B', 200C) such that the one or more interconnection bumps (200a', 200c', 200e', 200A, 200B', 200C) provide a conductive coupling between at least a portion of the array of conductive contact elements (230A, 230B, 230C) and the lead-frame (104, 510, 610, 710, 810).

摘要翻译： 半导体功率芯片具有形成在半导体管芯（10）上的半导体功率器件（210,530,720,730,830,840）（例如功率FET器件）。 其中所述半导体功率器件（210,530,720,730,830,840）包括导电接触元件阵列（230A，230B，230C）; 形成在所述多个导电接触元件（230A，230B，230C）上方的钝化层（250），所述钝化层（250）包括多个导电接触元件（230A，230B，230C）上的钝化开口（12,252） ）; 以及包括一个或多个互连凸块（200a'，200c'，200e'，200A，200B'，200C）的导电凸块（200,200a'，200c'，200e'，200A，200B'，200C） 每个互连突起（200a'，200c'，200e'，200A，200B'，200C）形成在钝化层（250）上并且延伸到至少两个钝化开口（12,252）中并且至少与 两个底层导电接触元件（230A，230B，230C），从而在所述至少两个下面的导电接触元件（230A，230B，230C）之间提供导电耦合。 导电接触元件阵列（230A，230B，230C）可以包括至少一个栅极接触元件（230A），至少一个漏极接触元件（230B）和至少一个源极接触元件（230C）。 半导体功率芯片还可以包括耦合到导电凸块阵列（200,200a'，200c'，200e'，200A，200B'，200C）的引线框架（104,510,610,710,810），使得 所述一个或多个互连凸块（200a'，200c'，200e'，200A，200B'，200C）提供导电接触元件阵列的至少一部分（230A，230B，230C） 框架（104,510,610,710,810）。

公开(公告)号：WO2015159179A1

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：PCT/IB2015/052486

申请日：2015-04-07

申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： TANAKA, Tetsuhiro ,  SAKAKURA, Masayuki

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/532 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： The electric characteristics of a semiconductor device using an oxide semiconductor are improved. The reliability of a semiconductor device using an oxide semiconductor is improved. The semiconductor device includes an element layer. The element layer includes a first film, a transistor, and a second film. The first film and the second film are partly in contact with each other. The region in which the first film and the second film are in contact with each other has a closed-loop shape when seen from above. The transistor is located between the first film and the second film. The region in which the first film and the second film are in contact with each other is located between a side surface of the element layer and the transistor.

摘要翻译： 提高使用氧化物半导体的半导体装置的电特性。 提高使用氧化物半导体的半导体装置的可靠性。 半导体器件包括元件层。 元件层包括第一膜，晶体管和第二膜。 第一膜和第二膜部分地彼此接触。 当从上方观察时，第一膜和第二膜彼此接触的区域具有闭环形状。 晶体管位于第一膜和第二膜之间。 第一膜和第二膜彼此接触的区域位于元件层的侧表面和晶体管之间。

公开(公告)号：WO2015107879A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/JP2015/000072

申请日：2015-01-09

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 杉浦　俊 ,  大倉　康嗣

IPC分类号： H01L23/36 ,  B23K1/00 ,  H01L23/40

CPC分类号： H01L23/3675 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/087 ,  B23K2201/40 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/38 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014

摘要： 　半導体装置は、一面にはんだ領域（１２ａ１）と非はんだ領域（１２ａ２）を有する半導体素子（１２）と、前記半導体素子の一面側に配置される第１金属部材（２２）と、前記半導体素子の裏面側に配置される第２金属部材（１８）と、前記半導体素子の前記はんだ領域と前記第１金属部材とを接続する第１はんだ（２０）と、前記半導体素子の前記裏面と前記第２金属部材とを接続する第２はんだ（１６）とを備える。少なくとも第２はんだは溶融接合を提供する。前記積層の方向からの投影視において、前記第１金属部材の重心位置（Ｃｇ）が、前記半導体素子の中心位置（Ｃ１）と一致している。

摘要翻译： 该半导体装置设置有：在一个表面上包括焊料区域（12a1）和非焊接区域（12a2）的半导体元件（12） 布置在所述半导体元件的一个表面侧上的第一金属构件（22）; 布置在半导体元件的背面侧的第二金属构件（18） 连接半导体元件的焊料区域和第一金属部件的第一焊料（20）; 以及将半导体元件的背面和第二金属构件相互连接的第二焊料（16）。 至少第二焊料提供熔融粘合。 在从层叠方向的投影视图中，第一金属构件的重心位置（Cg）与半导体元件的中心（C1）的位置一致。

公开(公告)号：WO2015087482A1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：PCT/JP2014/005625

申请日：2014-11-10

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 小林　渉 ,  林　英二 ,  神田　和輝

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/359 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52

CPC分类号： B23K26/359 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0078 ,  B23K26/0081 ,  B23K26/0084 ,  B23K26/0626 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/08 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2924/40102 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本発明は、従来よりも低エネルギー密度のエネルギービームにより、金属部材と他部材との密着性を確保できる粗面、もしくは、金属部材におけるはんだの拡がりを抑制できる粗面を形成することを目的とする。本発明の基材（２１）の表面（２１ａ）に金属薄膜（２２）が設けられた金属部材（２）の表面加工方法は、前記金属薄膜の表面（２２ａ）に対して、エネルギー密度が１００Ｊ／ｃｍ ２ 以下であるパルス発振のレーザービームを、パルス幅を１μ秒以下として照射することにより前記金属薄膜の表面部分を溶融または蒸発させ、前記溶融または蒸発の後に、前記金属薄膜の表面部分を凝固させることで、前記金属薄膜の表面を粗面化する、ことを有し、前記金属薄膜は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇのうちの少なくとも一つを主成分とする材料で構成されている。

摘要翻译： 本发明的目的是通过能量密度低于常规能量束的能量束形成一种粗糙表面，其确保金属构件和其它构件之间的粘附，或能够抑制 焊接在金属部件上。 公开了一种处理金属构件（2）的表面的方法，其具有设置在基材（21）的表面（21a）上的金属薄膜（22）。 该方法具有通过以下方式使金属薄膜的表面粗糙化的步骤：通过用脉冲宽度相等的脉冲振荡激光束照射金属薄膜的表面（22a）来熔化或蒸发金属薄膜的表面部分 所述脉冲振荡激光束的能量密度等于或小于100J / cm 2; 并在熔化或蒸发之后使金属薄膜的表面部分凝结。 金属薄膜由以Ni，Au，Pd和Ag组成的组中的至少一种元素作为主要成分的材料构成。

公开(公告)号：WO2015033197A2

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：PCT/IB2014/001646

申请日：2014-08-29

申请人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA ,  DENSO CORPORATION

发明人： KADOGUCHI, Takuya ,  HIRANO, Takahiro ,  KAWASHIMA, Takanori ,  OKUMURA, Tomomi ,  NISHIHATA, Masayoshi

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/2612 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes: opposed first and second metal plates; a plurality of semiconductor elements each interposed between the first metal plate and the second metal plate; a metal block interposed between the first metal plate and each of the semiconductor elements; a solder member interposed between the first metal plate and the metal block and connecting the first metal plate to the metal block; and a resin molding sealing the semiconductor elements and the metal block. A face of the first metal plate, which is on an opposite side of a face of the first metal plate to which the metal block is connected via the solder member, is exposed from the resin molding. The first metal plate has a groove formed along an outer periphery of a region in which the solder member is provided, the groove collectively surrounding the solder member.

摘要翻译： 一种半导体器件包括：相对的第一和第二金属板; 多个半导体元件，各自插入在所述第一金属板和所述第二金属板之间; 介于所述第一金属板和所述半导体元件之间的金属块; 插入在第一金属板和金属块之间并将第一金属板连接到金属块的焊料构件; 以及密封半导体元件和金属块的树脂模制件。 第一金属板的与第一金属板的通过焊料部件连接的第一金属板的面相反一侧的面从树脂成形体露出。 第一金属板具有沿着设置有焊料构件的区域的外周形成的槽，槽围绕焊料构件。

公开(公告)号：WO2015001676A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/JP2013/068552

申请日：2013-07-05

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 谷藤　雄一 ,  岡　浩偉 ,  奥西　勅子 ,  高田　圭太

IPC分类号： H01L23/50

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/565 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/77 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 　一実施の形態による半導体装置は、チップ搭載部上に搭載された半導体チップが樹脂で封止された半導体装置であって、第１方向に沿った上記半導体チップの周縁部と上記チップ搭載部の周縁部との間のチップ搭載面側に、第１部材が固定されている。また上記第１部材は上記樹脂に封止されている。また、平面視において、上記第１方向における上記チップ搭載部の上記第１部分の長さは、上記第１方向における上記半導体チップの長さより長くなっている。

摘要翻译： 根据一个实施例的半导体器件是其中安装在芯片安装部分上的半导体芯片用树脂密封的半导体器件，其中第一部件沿着第一方向被固定在半导体芯片周边之间的芯片安装表面侧 ，以及芯片安装部的周边。 此外，第一构件被树脂密封。 此外，在平面图中，芯片安装部分的第一方向的第一部分的长度比第一方向上的半导体芯片的长度长。

公开(公告)号：WO2014185010A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/JP2014/002239

申请日：2014-04-21

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 柳瀬　康行 ,  清澤　努

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/91 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 　炭化珪素基板（１１）の第２の主面上にオーミック電極層（１４）が配置され、オーミック電極層（１４）上に金属電極層（１５）が配置されている。炭化珪素基板（１１）の第２の主面の周辺部において、少なくとも対向する一組の辺に沿って、切り欠き部（２０）が形成されている。切り欠き部（２０）は、第２主面の辺に直交する断面の形状が角部（２１）を有している。この断面において、炭化珪素基板（１１）の厚みは、切り欠き部（２０）における基板端部では、切り欠き部（２０）が形成されていない部分よりも小さく、角部（２１）の底よりも大きい。

摘要翻译： 欧姆电极层（14）设置在碳化硅衬底（11）的第二主表面上，金属电极层（15）设置在欧姆电极层（14）上。 在碳化硅衬底（11）的第二主表面的周边部分中，沿着至少一对相对侧形成切口部分（20）。 每个切口部分（20）的横截面的形状具有角部（21），所述横截面与第二主表面的侧面正交。 在截面中，切口部（20）的基板端部的碳化硅基板（11）的厚度小于未形成切口部（20）的部分的厚度，大于 在角部（21）的底部的部分的厚度。

公开(公告)号：WO2013182591A2

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/EP2013/061572

申请日：2013-06-05

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： STREITEL, Reinhard

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L23/29 ,  C08K3/08 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2003/0812 ,  C08K2003/085 ,  C09J5/06 ,  C09J9/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/02 ,  C09J163/00 ,  C09J2205/31 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/529 ,  H01L2224/292 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verbinder (12) zum Verbinden zweier Körper bereitgestellt. Der Verbinder (12) weist ein Bindematerial (16) und ein Heizmaterial auf. Das Heizmaterial weist ein ferromagnetisches Material auf und ist zum Erwärmen des Bindematerials (16) in dem Bindematerial (16) eingebettet.

摘要翻译： 在各种实施例中，连接器（12）被设置用于连接两个主体。 所述的连接器（12）包括一接合材料（16）和一个加热材料。 加热材料包括铁磁材料和嵌入在接合材料（16）加热所述结合材料（16）。