公开(公告)号：WO2007144970A1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：PCT/JP2006/321064

申请日：2006-10-23

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏

Inventor： 真島 敏幸 ,  嶋瀬 朗 ,  寺田 浩敏 ,  堀田 和宏

IPC: G01R31/311 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01N21/95607 ,  G01N2021/95615

Abstract: 　半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、不良解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、複数のレイヤのそれぞれでの配線パターンのパターンデータ群によって半導体デバイスの複数の配線の構成が記述された配線情報を用い、複数の配線のうちで解析領域を通過する配線を不良の候補配線として抽出するとともに、候補配線の抽出において、パターンデータ群を用いた配線パターンの等電位追跡を行うことで、候補配線を抽出する。これにより、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムが実現される。

Abstract translation: 缺陷分析装置（10）包括用于获取半导体装置的缺陷观察图像（P2）的检查信息取得部（11） 布局信息获取单元，用于获取布局信息; 以及用于分析缺陷的缺陷分析单元（13）。 缺陷分析单元（13）使用通过多层中的布线图案的图案数据组来描述半导体器件的多个布线配置的布线信息，以提取通过分析区域的线作为缺陷 多个布线中的布线候选。 当提取布线候选时，缺陷分析单元（13）通过使用图案数据组来执行诸如布线图案的电位轨迹，以提取候选布线。 这实现了能够通过使用缺陷观察图像可靠且有效地进行半导体器件缺陷的分析的半导体缺陷分析装置，缺陷分析方法和缺陷分析程序。

公开(公告)号：WO2007088552A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：PCT/IL2007/000145

申请日：2007-02-05

Applicant: 4ID LTD. ,  TSHUVA, Moshe ,  ALTMAN, Joshua

Inventor： TSHUVA, Moshe ,  ALTMAN, Joshua

IPC: G01J3/28 ,  G01J5/60 ,  G01N21/25 ,  G01N21/88 ,  G01N23/04 ,  G01N25/72 ,  G01R31/309 ,  G01R31/311

CPC classification number: G01J5/602 ,  G01J5/0096 ,  G01J2005/0077 ,  G01N21/88 ,  G01N25/72 ,  G01N2021/3568 ,  G01R31/311

Abstract: An apparatus for imaging an internal component of a non-homogeneous structure comprising an imaging system with either at least one camera having a plurality of filters of different wavelength pass bands associated therewith, or, a plurality of cameras of different imaging wavelength for imaging in one or more wavelength ranges wherein an external portion of the structure allows passage of radiation at a wavelength in the wavelength range and the internal component is essentially opaque at the wavelength.

Abstract translation: 一种用于对非均匀结构的内部部件进行成像的装置，包括具有至少一个相机的成像系统，所述相机具有与其相关联的不同波长通过带的多个滤光器，或者，具有不同成像波长的多个相机用于一体成像 或更多的波长范围，其中结构的外部部分允许辐射在波长范围内的波长并且内部部件在波长处基本上不透明。

公开(公告)号：WO2006037881A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：PCT/FR2005/002422

申请日：2005-09-30

Applicant: CENTRE NATIONAL D'ETUDES SPATIALES ,  DESPLATS, Romain ,  SANCHEZ, Kévin ,  BEAUDOIN, Félix

Inventor： DESPLATS, Romain ,  SANCHEZ, Kévin ,  BEAUDOIN, Félix

IPC: G01R31/311

CPC classification number: G01R31/311

Abstract: L'invention concerne un procédé d'analyse d'un circuit intégré. Le procédé comporte, pour une pluralité de points ô la surface du circuit intégré : - une étape d'application (102) d'un rayonnement laser, en un point de la surface du circuit intégré : une étape (106) d'excitation du circuit ; une étape (108) de recueil de la réponse du circuit ô l'excitation ; une étape (114) de calcul du temps de propagation séparant l'instant d'excitation du circuit de l'instant de recueil de la réponse ; et une étape (116) de création d'une image du circuit intégré illustrant une valeur représentative du temps de propagation pour chaque point d'application du rayonnement laser. L'invention concerne également une installation d'analyse d'un circuit intégré.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于分析集成电路的方法。 对于集成电路的多个表面点，该方法包括以下步骤：在集成电路的表面的一个点中施加（102）激光辐射; 励磁（106）电路; 收集（108）电路对励磁的响应; 计算（114）介于激发时间和响应收集时间之间的传播时间; 以及创建（116）表示在激光辐射应用的每个点处表示传播时间的值的集成电路的图像。 本发明还涉及用于分析集成电路的安装。

公开(公告)号：WO2005093445A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/IB2005/000755

申请日：2005-03-23

Applicant: MELEXIS NV ,  BERGMANN, Peter

Inventor： BERGMANN, Peter

IPC: G01R31/311

CPC classification number: G01R31/311

Abstract: A testing apparatus for a radiation sensing integrated circuit comprises a load board (101), a test socket (102), suitable for the device under test DUT (103), and a plunger (104). A radiation source (107) is provided on the load board (101) adjacent to the test socket (102). The radiation source (107) generates radiation for testing the response to stimulus of the radiation sensing element of the DUT (103). To enable the sensing element of the DUT (103) to be exposed to the radiation, a pathway (108) is provided through plunger (104). The pathway (108) has a U-Shape with the end of one side of the U being adjacent to the radiation source (107) and the other end of the U being adjacent to the sensing element of DUT (103). Prisms (105, 106) are mounted at the base of each side of the U so as to reflect incident light along the pathway (108), such that radiation entering the pathway (108) from the radiation source (107), travels along the U and exits the other end of the U where it is then incident upon the radiation sensing element of DUT (103).

Abstract translation: 一种用于辐射传感集成电路的测试装置包括一个适用于待测器件（103）的负载板（101），测试插座（102）和一个柱塞（104）。 辐射源（107）设置在与测试插座（102）相邻的负载板（101）上。 辐射源（107）产生用于测试对DUT（103）的辐射感测元件的刺激的响应的辐射。 为了使DUT（103）的感测元件暴露于辐射，通过柱塞（104）提供通路（108）。 通路（108）具有U形，U的一侧的端部与辐射源（107）相邻，并且U的另一端与DUT（103）的感测元件相邻。 棱镜（105,106）安装在U的每一侧的底部，以便沿着路径（108）反射入射光，使得从辐射源（107）进入路径（108）的辐射沿着 U并离开U的另一端，然后它入射到DUT（103）的辐射感测元件上。

公开(公告)号：WO2005076885A2

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/US2005/003360

申请日：2005-02-02

Applicant: FORMFACTOR, INC. ,  MILLER, Charles, A.

Inventor： MILLER, Charles, A.

IPC: G01R31/311

CPC classification number: G01R1/0491 ,  G01R1/07 ,  G01R1/07378 ,  G01R31/3025

Abstract: An interface device receives test data from a tester. A signal representing the test data is transmitted to a device under test through electromagnetically coupled structures on the interface device and the device under test. The device under test processes the test data and generates response data. A signal representing the response data is transmitted to the interface device through electromagnetically coupled structures on the device under test and the interface device.

Abstract translation: 接口设备从测试器接收测试数据。 表示测试数据的信号通过接口设备和被测设备上的电磁耦合结构发送到被测设备。 被测设备处理测试数据并产生响应数据。 表示响应数据的信号通过被测设备和接口设备上的电磁耦合结构传送到接口设备。

公开(公告)号：WO2004023521A3

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：PCT/US0327267

申请日：2003-08-29

Applicant: CREDENCE SYSTEMS CORP ,  DESPLATS ROMAIN ,  PERDU PHILIPPE

Inventor： DESPLATS ROMAIN ,  PERDU PHILIPPE ,  LE COUPANEC PATRICIA ,  LO WILLIAM K ,  KASAPI STEVEN

IPC: G01R31/311 ,  G01R31/302

CPC classification number: G01R31/2656 ,  G01R31/311

Abstract: A method (Figure 2) for analyzing photon emission data to discriminate between photons emitted by transistors and photons emitted by background sources. The analysis involves spatial and/or temporal correlation of photon emissions (200). After correlation, the analysis may further involve obtaining a likelihood that the correlated photons were emitted by a transistor (230). After correlation, the analysis may also further involve assigning a weight to individual photon emissions as a function of the correlation. The weight, in some instances, reflecting a likelihood that the photons were emitted by a transistor. The analysis may further involve automatically identifying transistors in a photon emission image.

Abstract translation: 一种用于分析光子发射数据以区分由晶体管发射的光子和由背景源发射的光子的方法（图2）。 分析涉及光子发射的空间和/或时间相关性（200）。 在相关之后，分析还可以包括获得相关光子由晶体管（230）发射的可能性。 在相关之后，分析还可以进一步包括将权重分配给单个光子发射作为相关性的函数。 在一些情况下，重量反映了光子被晶体管发射的可能性。 该分析还可以包括自动识别光子发射图像中的晶体管。

公开(公告)号：WO2004040326A1

公开(公告)日：2004-05-13

申请号：PCT/JP2003/013869

申请日：2003-10-29

Applicant: 株式会社 日立製作所 ,  小宮 泰麿 ,  菊地 修司 ,  上坂 晃一 ,  鳥羽 忠信 ,  山本 恵一

Inventor： 小宮 泰麿 ,  菊地 修司 ,  上坂 晃一 ,  鳥羽 忠信 ,  山本 恵一

IPC: G01R31/311

CPC classification number: G01R31/311

Abstract: 　本発明は、半導体集積回路不良解析をより簡略化された解析装置にて実施することを可能とし、不良解析作業の簡便化を図ることを目的とする。半導体集積回路においてプローブにて電磁界を照射し、オープンゲートまたはゲート電位を活性化することで電源電流変動などの半導体集積回路内の電気的な特性変動を検出し、不良の有無を検出することを特徴とする半導体集積回路の不良解析装置である。

Abstract translation: 通过简化的分析装置进行半导体集成电路的缺陷的分析。 实现简化的缺陷分析操作。 一种用于半导体集成电路的缺陷分析装置，其中使用探针照射电磁场以激活开路栅极或栅极电位，从而检测半导体集成电路中的诸如电源电流变化的电特性变化，以便确定 是否存在任何缺陷。

公开(公告)号：WO03065063A8

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：PCT/US0302830

申请日：2003-01-30

Applicant: SCHLUMBERGER TECHNOLOGIES INC ,  WILSHER KENNETH R

Inventor： WILSHER KENNETH R

IPC: G01R31/311 ,  G01R35/00 ,  G01R37/00 ,  G01R29/027 ,  G04F10/04 ,  G04F10/10

CPC classification number: G01R35/005 ,  G01R31/311

Abstract: PICA probe system methods and apparatus are described, including methods and apparatus for calibrating an event timer having a coarse measurement capability in which time intervals defined by clock boundaries are counted and a fine measurement capability in which time between boundaries is interpolated using a voltage ramp.

Abstract translation: 描述了PICA探针系统方法和装置，包括用于校准具有粗略测量能力的事件定时器的方法和装置，其中对由时钟边界定义的时间间隔进行计数，并且使用电压斜坡内插边界之间的精细测量能力。

公开(公告)号：WO0104653A9

公开(公告)日：2002-05-02

申请号：PCT/US0018711

申请日：2000-07-06

Applicant: MFI TECHNOLOGIES CORP

Inventor： BRIDGES GREG E ,  THOMSON DOUGLAS J

IPC: G01R1/067 ,  G01R31/311 ,  G01R31/26

CPC classification number: G01R1/06705 ,  G01R31/311 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/873 ,  Y10S977/901 ,  Y10S977/953

Abstract: A sub-micron probe apparatus (101) to be added to an existing probe station (113). In one embodiment, the probe apparatus includes a course positioning unit to be optionally mounted or added to an existing probe station platform. A fine positioning unit is attached to an arm attached to the course positioning unit (103). A cantilever having a tip is attached to a support structure attached to the fine positioning unit. The course and fine positioning units are used to place the cantilever (105) and tip (107) over a surface of a device under test (DUT) (119). Motion of the cantilever is detected with a motion sensor (111). An image of the surface of the DUT may be obtained. In addition, an electrical signal carried in an electrical trace on or near the surface of the DUT can be detected. An electrical signal may also be supplied to the electrical trace on or near the surface of the DUT. The field of vision of an optical imager (115) used to image the DUT at the probe area is not obstructed by the probe apparatus.

Abstract translation: 将要添加到现有探测台（113）的亚微米探针装置（101）。 在一个实施例中，探针装置包括可选地安装或添加到现有探测台平台的路线定位单元。 精细定位单元附接到附接到路线定位单元（103）的臂。 具有尖端的悬臂连接到附接到精细定位单元的支撑结构。 过程和精细定位单元用于将悬臂（105）和尖端（107）放置在被测器件（DUT）（119）的表面上。 用运动传感器（111）检测悬臂的运动。 可以获得DUT的表面的图像。 此外，可以检测携带在DUT表面上或附近的电迹线中的电信号。 电信号也可以提供给DUT表面上或附近的电迹线。 用于在探测区域成像DUT的光学成像器（115）的视野不被探测装置阻挡。

公开(公告)号：WO0167071B1

公开(公告)日：2002-04-18

申请号：PCT/US0107475

申请日：2001-03-07

Applicant: BOXER CROSS INC

Inventor： BORDEN PETER G ,  LI JIPING

IPC: G01N21/956 ,  G01R31/311 ,  H01L21/66 ,  G01B11/06

CPC classification number: G01R31/311 ,  G01N21/95607 ,  G01N21/95684 ,  H01L22/12

Abstract: A structure (10) having a number of traces (11A-11N) passing through a region (11) is evaluated by using a beam (12) of electromagnetic radiation to illuminate the region, and generating an electrical signal that indicates an attribute of a portion (also called "reflected portion") of the beam reflected from the region. The just-described acts of "illuminating" and "generating" are repeated in another region, followed by a comparison of the generated signals to identify variation of a property between the two regions. Such measurements can identify variations in material properties (or dimensions) between different regions in a single semiconductor wafer of the type used in fabrication of integrated circuit dice, or even between multiple such wafers. In one embodiment, the traces are each substantially parallel to and adjacent to the other, and the beam has wavelength greater than or equal to a pitch between at least two of the traces. In one implementation the beam is polarized, and can be used in several ways, including, e.g., orienting the beam so that the beam is polarized in a direction parallel to, perpendicular to, or at 45 DEG to the traces. Energy polarized parallel to the traces is reflected by the traces, whereas energy polarized perpendicular to the traces passes between the traces and is reflected from underneath the traces. Measurements of the reflected light provide an indication of changes in properties of a wafer during a fabrication process.

Abstract translation: 具有穿过区域（11）的多条迹线（11A-11N）的结构（10）通过使用电磁辐射束（12）来照射该区域，并且生成电信号，该电信号指示 从区域反射的光束的部分（也称为“反射部分”）。 刚刚描述的“照亮”和“产生”行为在另一个区域中重复，随后比较产生的信号以识别两个区域之间的特性的变化。 这样的测量可以识别在集成电路裸片的制造中使用的类型的单个半导体晶片中的不同区域之间或者甚至在多个这样的晶片之间的材料特性（或尺寸）的变化。 在一个实施例中，迹线各自基本平行于彼此并且与另一个相邻，并且波束具有大于或等于迹线中的至少两个迹线之间的间距的波长。 在一个实施例中，光束是偏振的，并且可以以几种方式使用，包括例如定向光束，使得光束在与迹线平行，垂直或45°的方向上被极化。 与轨迹平行偏振的能量由轨迹反射，而垂直于轨迹偏振的能量在轨迹之间穿过并从轨迹下面反射。 反射光的测量提供了制造过程期间晶片特性变化的指示。