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    VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER HALBLEITEROBERFLÄCHE UND HALBLEITERCHIP
    1.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER HALBLEITEROBERFLÄCHE UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
    方法构建半导体表面及半导体晶片

    公开(公告)号：WO2010091936A1

    公开(公告)日：2010-08-19

    申请号：PCT/EP2010/050742

    申请日：2010-01-22

    Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH ,  BAUR, Elmar ,  BÖHM, Bernd ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

    Inventor： BAUR, Elmar ,  BÖHM, Bernd ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22

    CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0062

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; Bereitstellen eines zweiten Halbleiterwafers (3); Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Halbleiterwafers (3); Strukturieren der dem zweiten Halbleiterwafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2); Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (31) des zweiten Halbleiterwafers (3) übertragen wird.

    Abstract translation: 提供了一种用于图案化的半导体表面，其包括以下步骤提供了一种方法：提供（1）具有结构化表面（11）的第一晶片; 提供第二半导体晶片（3）; 施加光刻胶（2）到所述第二半导体晶片（3）的外表面; 光致抗蚀剂（2）的表面形成图案，以在第二半导体晶片（3）的面向远离通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11）; 光致抗蚀剂的结构化表面（21）上施加图案化工艺（6）（2），其中，所述光致抗蚀剂（2）（3）发送的第二半导体晶片的外表面（31）上至少局部地施加结构。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2008131743A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：PCT/DE2008/000715

    申请日：2008-04-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ILLEK, Stefan ,  PLOESSL, Andreas ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  EISSLER, Dieter

    Inventor： ILLEK, Stefan ,  PLOESSL, Andreas ,  HEINDL, Alexander ,  RODE, Patrick ,  EISSLER, Dieter

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, einer auf dem Halbleiterkörper angeordneten Reflektorschicht (72) und zwei elektrischen Kontakten (7,8) angegeben, wobei ein erster Kontakt (7) der beiden Kontakte auf der der Reflektorschicht zugewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, der zweite Kontakt (8) der beiden Kontakte auf der von der Reflektorschicht abgewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist und die Reflektorschicht zwischen einem Teilbereich des zweiten Kontakts und dem Halbleiterkörper angeordnet ist.

    Abstract translation: 它是与具有合适的半导体层序列的半导体主体（2），用于生成辐射有源区（4），一个设置在半导体本体反射器层（72）和两个电触头（7,8）上，其中，第一光电装置 （7）接触的面对所述有源区域的反射层侧的一侧上的两个触点导电连接到所述半导体主体，所述第二触头（8）上从所述活性区域的所述反射层侧的远程侧的两个触点的导电地连接到所述半导体基体是 和半导体主体的第二接触的部分之间的反射层被布置。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS
    7.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
    方法用于制造光电半导体元件

    公开(公告)号：WO2010136304A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：PCT/EP2010/055986

    申请日：2010-05-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAUR, Elmar ,  HEINDL, Alexander ,  BOEHM, Bernd ,  RODE, Patrick ,  ZULL, Heribert

    Inventor： BAUR, Elmar ,  HEINDL, Alexander ,  BOEHM, Bernd ,  RODE, Patrick ,  ZULL, Heribert

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  G03F7/00

    CPC classification number: H01L33/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L33/005 ,  H01L33/20

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist, wobei die strukturierte Oberfläche (11) zumindest stellenweise durch Erhebungen (E1, E2) erster (H1) und zweiter Höhe (H2) gebildet ist, wobei die erste Höhe (H1) größer ist als die zweite Höhe (H2); - Bereitstellen eines zweiten Wafers (3); - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Wafers (3); - Strukturieren der dem zweiten Wafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2), wobei die Erhebungen (E1, E2) als Gräben (G1, G2) erster und zweiter Tiefe in den Fotolack (2) abgedruckt werden; - Anwendung eines Strukturierungsverf ahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (30) des zweiten Wafers (3) übertragen wird.

    Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体器件，其包括以下步骤的方法： - 提供（1）具有结构化表面（11），第一晶片，其中所述结构化表面（11）至少局部地通过凸起（E1，E2） 首先（H1）形成，并且第二高度（H2），其中，所述第一高度（H1）比所述第二高度（H2）更大; - 提供第二晶片（3）; - 施加抗蚀剂（2）所述第二晶片的外表面（3）上; - 通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11），图案化（3）的面向远离所述光致抗蚀剂（2）的表面的第二晶片，其中所述凸起（E1，E2）（如沟槽G1， G2）的第一和第二深度（在光致抗蚀剂2）将被打印; - 一个Strukturierungsverf Ahrens的（6）到所述光致抗蚀剂（2），其中，所述结构化表面（21）的应用 - 的光致抗蚀剂（2）施加的结构被至少局部地转移到第二晶片（3）的外表面（30）。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENCHIPS UND LUMINESZENZDIODENCHIP
    8.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENCHIPS UND LUMINESZENZDIODENCHIP 审中-公开
    一种用于生产LED芯片的LED芯片和

    公开(公告)号：WO2007022741A1

    公开(公告)日：2007-03-01

    申请号：PCT/DE2006/001262

    申请日：2006-07-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BRUNNER, Herbert ,  EISSLER, Dieter ,  FISCHER, Helmut ,  GUENTHER, Ewald, Karl, Michael ,  HEINDL, Alexander

    Inventor： BRUNNER, Herbert ,  EISSLER, Dieter ,  FISCHER, Helmut ,  GUENTHER, Ewald, Karl, Michael ,  HEINDL, Alexander

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren angegeben, bei dem ein Grundkörper bereitgestellt wird, der eine Schichtenfolge für den Lumineszenzdiodenchip aufweist, die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Auf zumindest eine Hauptfläche des Grundkörpers wird eine Deckschicht aufgebracht. In die Deckschicht wird mindestens eine Kavität eingebracht, die vollständig oder teilweise mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial gefüllt wird. Das Lumineszenzkonversionsmaterial weist mindestens einen Leuchtstoff auf. Zudem wird ein Verfahren angegeben, bei dem die Deckschicht photostrukturierbares Material sowie mindestens einen Leuchtstoff aufweist, so dass sie als Lumineszenzkonversionsmaterial fungieren und unmittelbar photostrukturiert werden kann. Weiterhin werden Lumineszenzdiodenchips beschrieben, die mit den Verfahren herstellbar sind.

    Abstract translation: 提供了一种在其基体设置，具有用于发光二极管芯片，其适于发射电磁辐射的层序列的方法。 在基体的至少一个主表面的覆盖层施加。 在覆盖层中至少一个腔结合，其被完全地或部分地填充有发光转换材料。 发光转换材料包含至少一种磷光体。 此外，提供了一种方法，其中，所述涂膜材料可光图案化和至少一种磷光体，使得它们用作发光和可​​以立即发生光结构化的。 此外，所描述的LED芯片可与方法来制造。

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