公开(公告)号：WO2015175557A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/US2015/030413

申请日：2015-05-12

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： UZOH, Cyprian, Emeka ,  KATKAR, Rajesh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98 ,  H01L25/10 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/22 ,  B23K2201/40 ,  B32B15/01 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05294 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05839 ,  H01L2224/05844 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/05855 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/2401 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841

摘要： In some embodiments, to increase the height-to-pitch ratio of a solder connection that connects different structures with one or more solder balls, only a portion (510) of a solder ball's (140) surface is melted when the connection is formed on one structure (110) and/or when the connection is being attached to another structure (HOB). The structure (110) may be an integrated circuit, an interposer, a rigid or flexible wiring substrate, a printed circuit board, some other packaging substrate, or an integrated circuit package. In some embodiments, solder balls (140.1, 140.2) are joined by an intermediate solder ball (140i), upon melting of the latter only. Any of the solder balls (140, 140i) may have a non-solder central core (140C) coated by solder shell (140S). Some of the molten or softened solder may be squeezed out, to form a "squeeze-out" region (520, 520A, 520B, 520.1, 520.2). In some embodiments, a solder connection (210) such as discussed above, on a structure (110A), may be surrounded by a dielectric layer (1210), and may be recessed in a hole (1230) in that layer (1210), to help in aligning a post (1240) of a structure (HOB) with the connection (210) during attachment of the structures (110A, HOB). The dielectric layer (1210) may be formed by moulding. The dielectric layer may comprise a number of layers (1210.1, 1210.2), "shaved" (partially removed) to expose the solder connection (210). Alternatively, the recessed solder connections (210) may be formed using a sublimating or vapourisable material (1250), placed on top of the solder (210) before formation of the dielectric layer (1210) or coating solder balls (140); in the latter case, the solder (140C) sinks within the dielectric material (1210) upon removal of the material (1250) and subsequent reflow. In some embodiments, the solder connections (210) may also be formed in openings (2220) in a dielectric layer (2210) (photoimageable polymer or inorganic) by solder paste printing and/or solder ball jet placement followed by reflow to let the solder sink to the bottom of the openings (2220), with possible repetition of the process and possible use of different solders in the different steps. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may be used for bonding one or more structures (HOB, HOC) (e.g. an integrated circuit die or wafer, a packaging substrate or a package) to a structure (110A) (a wiring substrate) on which a die (HOB) is flip-chip connected. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may differ from each other, in particular in height, which can be used for attaching a structure (HOB) with posts (1240) of different heights or for attaching two structures (HOB, HOC) in the case of a stepped form of the dielectric layer, one of the structures (HOC) being possibly placed higher than the other structure (HOB). In some embodiments, the structure (HOA) may be removed after bonding to the structures (HOB, HOC) and a redistribution layer (3210) may be formed to provide connecting lines (3220) connecting the solder connections (210) to contact pads (120R) and possibly interconnecting between the solder connections (210) and/or between the contact pads (120R).

摘要翻译： 在一些实施例中，为了增加将不同结构与一个或多个焊球连接的焊料连接的高度与间距比，当焊接球（140）表面的一部分（510）形成在 一个结构（110）和/或当连接被附接到另一个结构（HOB）时。 结构（110）可以是集成电路，插入器，刚性或柔性布线基板，印刷电路板，一些其它封装基板或集成电路封装。 在一些实施例中，焊料球（140.1,140.2）仅在熔化时被中间焊球（140i）连接。 任何焊球（140,140i）可以具有由焊料壳（140S）涂覆的非焊料中心芯（140C）。 一些熔融或软化的焊料可能被挤出，以形成“挤出”区域（520,520A，520B，520.1,520.2）。 在一些实施例中，在结构（110A）上的如上所述的焊料连接（210）可被电介质层（1210）包围，并且可以凹入该层（1210）中的孔（1230）中， 以在结构（110A，110B）的附接期间帮助将结构的柱（1240）与连接件（210）对齐。 电介质层（1210）可以通过模制形成。 介电层可以包括多个层（1210.1,1212.2），“剃光”（部分去除）以暴露焊料连接（210）。 或者，可以在形成电介质层（1210）或涂覆焊球（140）之前使用升华或蒸发的材料（1250）形成凹陷的焊料连接（210），放置在焊料（210）的顶部上。 在后一种情况下，当去除材料（1250）和随后的回流时，焊料（140C）在电介质材料（1210）内下沉。 在一些实施例中，焊料连接（210）还可以通过焊膏印刷和/或焊球喷射放置形成在电介质层（2210）（可光成像的聚合物或无机）中的开口（2220）中，然后回流以使焊料 沉入开口（2220）的底部，可能重复该过程并可能在不同步骤中使用不同的焊料。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以用于将一个或多个结构（HOB，HOC）（例如，集成电路管芯或晶片，封装衬底或封装）结合到结构（110A）（布线基板 ），其上晶片（HOB）被倒装连接。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以彼此不同，特别是在高度上可以不同，其可用于将结构（HOB）与不同高度的柱（1240）连接或用于附接两个结构（HOB，HOC） 在阶梯形状的电介质层的情况下，结构（HOC）中的一个可能被放置得高于其他结构（HOB）。 在一些实施例中，可以在结合到结构（HOB，HOC）之后去除结构（HOA），并且可以形成再分布层（3210），以提供将焊接连接（210）连接到接触焊盘的连接线（3220） 120R），并且可能在焊料连接（210）和/或接触焊盘（120R）之间互连。

公开(公告)号：WO2012133598A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/JP2012/058271

申请日：2012-03-28

申请人： 千住金属工業株式会社 ,  大西 司 ,  山中 芳恵 ,  立花 賢

发明人： 大西　司 ,  山中　芳恵 ,  立花　賢

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/14 ,  C22C13/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B32B15/018 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/2076 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00014

摘要： 　はんだボールの接合界面における界面剥離を抑制し、且つ、はんだボールとソルダペーストと間に生じる未融合を抑制した、電子部品が落下した時の故障モードが低いはんだボールであって、ＡｕめっきなどのＮｉ電極部とＣｕに水溶性プリフラックスが塗布されたＣｕ電極部共に使用可能なはんだボールを提供する。　本発明は、Ａｇ０．５～１．１質量％、Ｃｕ０．７～０．８質量％、Ｎｉ０．０５～０．０８質量％、残部ＳｎのＢＧＡやＣＳＰの電極用鉛フリーはんだボールであり、接合されるプリント基板がＣｕ電極でも、表面処理にＡｕめっきやＡｕ／Ｐｄめっきを用いるＮｉ電極でも落下衝撃性が良好である鉛フリーはんだボールである。さらに、この組成にＦｅ、Ｃｏ、Ｐｔから選択される元素を１種以上を合計で０．００３～０．１質量％、又はＢｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐ、Ｇｅから選択される元素を１種以上を合計で０．００３～０．１質量％添加しても良い。

摘要翻译： 提供了在接合界面处剥离较少的焊球，焊球和焊料之间的非熔合较少，以及当电子部件掉落时几乎没有故障模式。 这些焊球可以用于具有Au镀层等的Ni电极和涂覆有有机可焊性防腐剂的Cu电极。 在本发明中，用于BGAs和CSP的电极的无铅焊球包含Ag为0.5〜1.1质量％，Cu为0.7〜0.8质量％，Ni为0.05〜0.08质量％，余量为Sn。 这样的无铅焊球对于要接合的印刷电路板赋予良好的耐冲击性，其具有经过Au镀层或Au / Pd电镀的表面处理的Cu电极或Ni电极。 可以向组合物中添加选自Fe，Co和Pt中的一种或多种元素的总计0.003至0.1质量％，或者选自Bi，In，Sb等中的一种或多种元素的总计0.003至0.1质量％ 可以添加P和Ge。

公开(公告)号：WO2010114687A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/US2010/027056

申请日：2010-03-11

申请人： MEGICA CORPORATION ,  LIN, Mou-Shiung ,  LEE, Jin-Yuan ,  LO, Hsin-Jung ,  YANG, Ping-Jung ,  LIU, Te-Sheng

发明人： LIN, Mou-Shiung ,  LEE, Jin-Yuan ,  LO, Hsin-Jung ,  YANG, Ping-Jung ,  LIU, Te-Sheng

IPC分类号： G01L7/00 ,  G06F19/00

CPC分类号： G06F1/16 ,  G11C5/147 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6666 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05673 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/4918 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/85 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/07025 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/0231

摘要： Integrated circuit chips and chip packages are disclosed that include an over-passivation scheme at a top of the integrated circuit chip and a bottom scheme at a bottom of the integrated circuit chip using a top post-passivation technology and a bottom structure technology. The integrated circuit chips can be connected to an external circuit or structure, such as ball-grid-array (BGA) substrate, printed circuit board, semiconductor chip, metal substrate, glass substrate or ceramic substrate, through the over-passivation scheme or the bottom scheme. Related fabrication techniques are described.

摘要翻译： 公开了集成电路芯片和芯片封装，其包括在集成电路芯片的顶部处的过钝化方案，以及使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片的底部的底部方案。 集成电路芯片可以通过过钝化方案或者通过钝化方案连接到外部电路或结构，例如球栅阵列（BGA）衬底，印刷电路板，半导体芯片，金属衬底，玻璃衬底或陶瓷衬底 底部方案。 描述了相关的制造技术。

公开(公告)号：WO2007016649A3

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/US2006030217

申请日：2006-08-02

申请人： SATCON TECHNOLOGY CORP

发明人： CASEY LEO FRANCIS

IPC分类号： H01L31/111

CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/83 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014

摘要： An electronic semiconductor package is described. The package has a wide band gap electronic semiconductor device requiring heat removal. On one side of the electronic semiconductor device is a first, thermally-conductive, electrically- insulative substrate having a predetermined electrically-conductive wire pattern affixed thereto. On the other side of the electronic semiconductor device is a second, thermally- conductive, electrically-insulative substrate. A heat removal device is mechanically-coupled to the second substrate. The heat removal device is made of a graphite-metal or metal-matrix composite material and a fin array structure of the same material. The coefficients of thermal expansion of the heat removal device and the first and second substrates are matched to minimize internal and external stresses.

摘要翻译： 描述电子半导体封装。 该封装具有需要除热的宽带隙电子半导体器件。 在电子半导体器件的一侧是具有固定到其上的预定导电丝图案的第一导热电绝缘基板。 在电子半导体器件的另一侧是第二导热的电绝缘衬底。 散热装置机械耦合到第二基板。 除热装置由石墨金属或金属基复合材料和相同材料的翅片阵列结构制成。 散热装置与第一和第二基板的热膨胀系数相匹配，以使内部和外部应力最小化。

公开(公告)号：WO2008117513A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：PCT/JP2008/000428

申请日：2008-03-04

申请人： 松下電器産業株式会社 ,  櫻井大輔 ,  八木能彦

发明人： 櫻井大輔 ,  八木能彦

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/12 ,  B33Y80/00 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/0047 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/742 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11552 ,  H01L2224/11554 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T29/49213 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本発明は電子部品の電極面に形成された導電性バンプであって、導電性バンプが、異なる導電フィラー含有率を有する複数の感光性樹脂層よりなる構成を有する。これにより、電極と導電性バンプの接着強度の向上と接続抵抗の低減という相反する機能を備えた導電性バンプを実現できる。

摘要翻译： 公开了一种形成在电子部件的电极表面上的导电凸块。 该导电凸块由具有不同导电填料含量的多个感光性树脂层构成。 因此，该导电凸块能够实现明显的冲突功能，即改善与电极的粘合强度和降低接触电阻。

公开(公告)号：WO2007056183A1

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：PCT/US2006/043028

申请日：2006-11-02

申请人： SECOND SIGHT MEDICAL PRODUCTS, INC. ,  GREENBERG, Robert, J. ,  TALBOT, Neil Hamilton ,  NEYSMITH, Jordan, Matthew ,  OK, Jerry ,  JIANG, Honggang

发明人： GREENBERG, Robert, J. ,  TALBOT, Neil Hamilton ,  NEYSMITH, Jordan, Matthew ,  OK, Jerry ,  JIANG, Honggang

IPC分类号： H01L23/31 ,  A61N1/375

CPC分类号： A61N1/375 ,  A61N1/3754 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： An implantable hermetically sealed microelectronic device, and method of manufacture are disclosed. The microelectronic device of the present invention is hermetically encased in a insulator, such as alumina formed by ion bean assisted deposition ("IBAD"), with a stack of biocompatible conductive layers extending from a contact pad on the device to an aperture in the hermetic layer. In a preferred embodiment, one or more patterned titanium layers are formed over the device contact pad, and one or more platinum layers are formed over the titanium layers, such that the top surface of the upper platinum layer defines an external, biocompatible electrical contact for the device. Preferably, the bottom conductive layer is larger than the contact pad on the device, and a layer in the stack defines a shoulder.

摘要翻译： 公开了可植入气密微电子器件及其制造方法。 本发明的微电子器件被气密地封装在诸如由离子豆辅助沉积（“IBAD”）形成的氧化铝之类的绝缘体中，一堆生物相容的导电层从器件上的接触垫延伸到密封的孔 层。 在优选实施例中，在器件接触焊盘上形成一个或多个图案化钛层，并且在钛层上形成一个或多个铂层，使得上铂层的顶表面限定外部的生物相容电接触 装置。 优选地，底部导电层大于器件上的接触焊盘，并且堆叠中的层限定肩部。

公开(公告)号：WO2004001813A2

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：PCT/JP2003/007855

申请日：2003-06-20

申请人： EBARA CORPORATION ,  YOSHIOKA, Junichiro ,  HORIE, Kuniaki ,  GUO, Yugang ,  MORIKAMI, Satoshi

发明人： YOSHIOKA, Junichiro ,  HORIE, Kuniaki ,  GUO, Yugang ,  MORIKAMI, Satoshi

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C25D17/001 ,  C25D7/12 ,  C25D7/123 ,  C25D17/004 ,  C25D17/005 ,  C25D17/06 ,  C25D17/08 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/76879 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05599

摘要： The present invention is to provide a substrate holder which can effect a more complete sealing with a sealing member and makes it possible to take a substrate out of it easily and securely, and also a plating apparatus provided with the substrate holder. A substrate holder (18), includes: a fixed holding member (54) and a movable holding member (58) for holding a substrate (W) therebetween; a sealing member (68) mounted to the fixed holding member (54) or the movable holding member (58); and a suction pad (94) for attracting a back surface of the substrate (W) held between the fixed holding member (54) and the movable holding member (58).

摘要翻译： 本发明提供一种能够利用密封构件实现更完全密封的基板保持件，并且可以容易且牢固地将基板从其中取出，以及设置有基板保持件的电镀装置。 一种基板保持架（18），包括：固定保持部件（54）和用于在其间保持基板（W）的可动保持部件（58） 安装到固定保持构件（54）或可动保持构件（58）上的密封构件（68）; 以及用于吸引保持在固定保持部件（54）与可动保持部件（58）之间的基板（W）的背面的吸盘（94）。

公开(公告)号：WO98052224A1

公开(公告)日：1998-11-19

申请号：PCT/US1998/009999

申请日：1998-05-14

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01R4/48 ,  H01R12/16 ,  H01R13/24 ,  H05K3/40

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/522 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/72 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11426 ,  H01L2224/1143 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/145 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/381 ,  H05K3/4092 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01104 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/114

摘要： Microelectronic contact structures (260, 360, 460) are lithographically defined and fabricated by applying a masking layer (220, 320, 420) on a surface of a substrate (202, 302, 402) such as an electronic component, creating an opening (222, 322, 422) in the masking layer, depositing a conductive trace of a seed layer (250, 350, 450) onto the masking layer and into the openings, and building up a mass of conductive material on the conductive trace. The sidewalls of the opening can be sloped (tapered). The conductive trace can be patterned by depositing material through a stencil or shadow mask (240, 340, 440). A protruding feature (230, 430) may be disposed on the masking layer so that a tip end (264, 364, 464) of the contact structure acquires a topography. All of these elements can be constructed as a group to form a plurality of precisely positioned resilient contact structures.

摘要翻译： 微电子接触结构（260,360,460）通过在诸如电子部件的基板（202,302,402）的表面上施加掩模层（220,320,420）而光刻地限定和制造，从而产生开口 222,322,422），在所述掩蔽层上沉积种子层（250,350,450）的导电迹线并且进入所述开口中，以及在所述导电迹线上建立大量导电材料。 开口的侧壁可以是倾斜的（渐缩的）。 导电迹线可以通过沉积材料通过模板或荫罩（240,340,440）进行图案化。 可以在掩蔽层上设置突出特征（230,430），使得接触结构的末端（264,364,464）获取形貌。 所有这些元件可以被构造成一组以形成多个精确定位的弹性接触结构。

公开(公告)号：WO2017029822A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：PCT/JP2016/056394

申请日：2016-03-02

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 西澤　弘一郎 ,  日坂　隆行

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L21/338 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H01L27/095 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/041 ,  H01L23/10 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L29/812 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/35121

摘要： 　中空部の気密性を保持し、歩留まり及び耐久性を向上させる。半導体装置１は、デバイス基板２、半導体回路３、封止枠７、キャップ基板８、ビア部１０、電極１１，１２，１３、バンプ部１４等を備える。デバイス基板２とキャップ基板８との間には、半導体回路３が気密状態で収容される中空部９を設ける。バンプ部１４は、全てのビア部１０と、キャップ基板８とを連結する。これにより、バンプ部１４Ａを用いてビア部１０を補強することができる。

摘要翻译： 本发明保持中空部的气密性，提高产率和耐久性。 半导体器件1设置有器件基板2，半导体电路3，密封框架7，盖基板8，通孔部10，电极11,12,13，凸块部14等。 中空部9设置在器件基板2和盖基板8之间，所述中空部具有密封状态下存储的半导体电路3。 凸起部分14将所有通孔部分10和盖基板8彼此连接。 因此，可以使用凸块部分14A来加强通孔部分10。

公开(公告)号：WO2013084529A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/JP2012/067320

申请日：2012-07-06

申请人： 住友電気工業株式会社 ,  森 大樹 ,  右田 真樹 ,  永井 陽一

发明人： 森　大樹 ,  右田　真樹 ,  永井　陽一

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L27/144

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

摘要： 撮像装置１は、受光素子ユニット２と、処理部３と、第１接続体４と、第２接続体５と、を備える。第１接続体４は、受光素子ユニット２の第１電極１１と処理部３の対応する第２電極２１とを電気的に接続する。第１接続体４は、第１電極１１および第２電極２１間に配置されインジウムを含む半田部２９ と、第１電極１１および第２電極２１と半田部２９とが合金化することを抑制するためのバリア層３０と、を含む。第２接続体５は、を前記第１接続体の融点以上の融点を有し、第１接続体よりも硬度が硬い材料を含む半田とが合金化することで形成された合金部３３を含む。

摘要翻译： 成像装置（1）设置有光接收元件单元（2），处理单元（3），第一连接体（4）和第二连接体（5）。 第一连接体（4）电连接：光接收元件单元（2）的第一电极（11）; 和对应于处理单元（3）的第二电极（21）。 第一连接体（4）包含：置于第一电极（11）和第二电极（21）之间的含铟焊料部分（29）; 以及用于减少第一电极（11）和第二电极（21）与焊料部分（29）的合金化的阻挡层（30）。 第二连接体（5）的熔点至少与第一连接体的熔点一样高，并且含有通过与含有比第一连接体硬度大的材料的焊料合金化形成的合金部（33）。