摘要:
L'invention concerne un procédé d'assemblage pour permettre des liaisons électriques localisées entre des zones situées sur une face d'un premier substrat et des zones correspondantes situées sur une face d'un deuxième substrat, lesdites faces étant situées en regard l'une de l'autre, au moins l'un des substrats présentant une topographie de surface, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes consistant à : - former une couche intermédiaire comprenant au moins une couche d'enfouissement sur la face du substrat ou des substrats présentant une topographie de surface pour la (les) rendre compatible(s) d'un point de vue topographique avec le collage moléculaire desdites faces des substrats l'une à l'autre, la résistivité et/ou l'épaisseur de la couche intermédiaire étant choisies pour permettre lesdites liaisons électriques localisées, - mettre en contact les deux faces, les substrats étant positionnés de façon à pouvoir assurer les liaisons électriques entre les zones situées sur le premier substrat et les zones correspondantes situées sur le deuxième substrat, - coller par adhésion moléculaire les faces du premier et du deuxième substrat.
摘要:
L'invention concerne un procédé d'assemblage par adhésion moléculaire d'un premier substrat et d'un deuxième substrat selon des faces de contact, la face de contact du premier substrat présentant une couche électriquement conductrice sur au moins une partie de sa surface, le procédé comprenant les étapes suivantes : - dépôt d'une couche de liaison sur au moins une partie de la couche électriquement conductrice, ladite couche de liaison étant apte à assurer une adhésion moléculaire avec une zone de la face de contact du deuxième substrat et apte à se combiner avec la couche électriquement conductrice pour former un alliage conducteur, - mise en contact et collage par adhésion moléculaire de la couche de liaison du premier substrat avec la zone de la face de contact du deuxième substrat, - transformation, sur tout ou partie de son épaisseur, de tout ou partie de la couche électriquement conductrice avec tout ou partie de la couche de liaison et avec au moins une partie de l'épaisseur de la zone de la face de contact sur tout ou partie de la surface du deuxième substrat pour former une zone d'alliage(s) conducteur(s).
摘要:
L'invention concerne un procédé de scellement de deux plaques (2, 12) de matériaux semi-conducteurs, comportant : une étape d'implantation d'espèces métalliques (4) dans au moins la première plaque ; une étape d'assemblage de la première et de la deuxième plaque ; une étape de recuit.